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[发明专利]减少磁控溅射工艺中基板电弧放电的方法-CN202210186483.3在审
发明人：陈献龙;张志敏 -专利权人：广州粤芯半导体技术有限公司
申请日： 2022-02-28 - 公布日： 2022-04-12 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本发明提供了一种减少磁控溅射工艺中基板电弧放电的方法，包括：将基板置于磁控溅射机台的承载单元上；执行磁控溅射工艺，基板暴露于承载单元之外的区域覆盖有导电材料层；获取基板相对于遮挡单元或承载单元的实际位置信息；获取基板的实际位置信息相对基板在承载单元上的标准位置信息的偏差数据，若偏差数据超出预设偏差，则相应调整磁控溅射机台，以使基板的放置位置在标准位置的预设偏差内。本发明中，通过测量基板背面的导电材料层的分布以获得基板位置，并进一步获得基板位置相对标准位置的偏差，若上述偏差超出预设范围，则相应调整后续的放置基板的位置，使偏差在预设范围内，从而实现预防及减少磁控溅射工艺中基板电弧放电
减少磁控溅射工艺中基板电弧放电方法

[发明专利]一种微带电路制备方法以及微带环隔器-CN202211608571.4在审
发明人：唐冉;赵新华;徐翔 -专利权人：北京航天微电科技有限公司
申请日： 2022-12-14 - 公布日： 2023-05-09 - 主分类号： H01P11/00 文献下载
摘要：一种微带电路制备方法，包括：S1、在铁氧体上通过磁控溅射制备钛钨层以及铜层；S2、电镀加厚铜层，并制备键合金层；S3、通过光刻工艺制备图形，得到微带电路。使用磁控溅射制备种子层薄膜，然后溅射低成本导电层替代传统金层，使用电镀工艺制备最外层金层，最后使用光刻工艺制备微带电路图形。通过优化微带电路膜系和镀膜工艺流程，使用磁控溅射方法制备铜层的方法替代了铁氧体表面溅射金的工艺，解决了在大批量生产过程中溅射金靶的成本过高的问题，降低成本。
一种微带电路制备方法以及环隔器

[发明专利]磁控溅射源及磁控溅射设备-CN201010621854.3有效
发明人：刘旭 -专利权人：北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司
申请日： 2010-12-24 - 公布日： 2012-07-04 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本发明提供一种磁控溅射源及应用该磁控溅射源的磁控溅射设备。其中，所述磁控溅射源包括磁控管及驱动装置，所述磁控管和所述驱动装置相连接，所述驱动装置用于驱动所述磁控管以螺旋线形轨迹对整个靶材区域进行扫描。从而在将本发明提供的磁控溅射源应用于磁控溅射工艺中时，能够使靶材各个区域均被有效溅射，以避免靶材上的某些区域不能被充分利用的问题；并且，还可通过调节驱动装置的运行速度而对磁控管在其靶材中心区域和边缘的停留时间进行有效调节本发明提供的磁控溅射设备同样能够有效提高靶材的利用率。
磁控溅射设备

[发明专利]HJT电池生产中操控磁控溅射设备的方法-CN202111613450.4有效
发明人：杨骥;鲁林峰;黄金;李东栋;杨立友;王继磊;贾慧君 -专利权人：晋能清洁能源科技股份公司
申请日： 2021-12-27 - 公布日： 2023-06-30 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本发明涉及一种HJT电池生产中操控磁控溅射设备的方法，属于太阳能电池生产技术领域。包括：将ITO旋转靶材安装在磁控溅射设备的靶位上；给磁控溅射设备抽真空，将磁控溅射设备的真空度抽至2E‑4Pa以下；将靶材的转速设置为5rap，并开启靶材旋转；以200sccm的流量向磁控溅射设备中通入Ar，以0.8‑3.5sccm的流量通入O2；开启磁控溅射设备的DC电源，调整功率为9.3kw，将打弧阈值减小为溅射工艺通用范围的50％；开启磁控溅射设备进行硅片镀膜。
hjt 电池生产操控磁控溅射设备方法

[发明专利]采用磁控溅射提高镀层结合力的方法-CN201210444099.5无效
发明人：林永峰 -专利权人：无锡新三洲特钢有限公司
申请日： 2012-11-08 - 公布日： 2014-05-21 - 主分类号： C23C28/02 文献下载
摘要：一种采用磁控溅射提高镀层结合力的方法，其工艺流程包括等离子体清洗、磁控溅射铜镍合金中间层、无氰电镀铜。所述方法采用等离子清洗能够充分的去除基体表面的油污和氧化物提高预镀层的结合力，采用磁控溅射预镀铜镍合金中间层工艺简单并能极大地提高镀层与基件结合力。
采用磁控溅射提高镀层结合方法

[发明专利]透光基板的镀膜方法-CN201410707441.5在审
发明人：姚力军;潘杰;相原俊夫;大岩一彦;王学泽;吴剑波 -专利权人：宁波江丰电子材料股份有限公司
申请日： 2014-11-28 - 公布日： 2016-06-22 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本发明提供了一种透光基板的镀膜方法，包括采用晶粒尺寸小于或等于50μm的靶材，进行磁控溅射工艺，在透光基板的表面形成镀膜层，在磁控溅射工艺中，因为靶材较小的晶粒尺寸，在体积恒定的靶材内，增加了晶界数量，因为在晶界上的原子之间作用力较大，原子的自由能较大，所以在磁控溅射过程中晶界处原子较易被溅射。为此在磁控溅射过程中可有效提升靶材被带电离子轰击后溅射的速率，在短时间溅射出尺寸较小，且密度较大的晶粒，在透光基板上迅速形成密度更高、均匀度更好的镀膜层，从而减小透光基板上的铬合金镀膜上的漏光现象。
透光镀膜方法

[发明专利]制备具有改善的耐磨性的双层涂布的切割工具的方法-CN201580051021.9有效
发明人： D·库拉波夫;T·萨萨基;S·科塞基;K·莫里斯塔;S·B·阿布苏里克;K·伊诺伊 -专利权人：欧瑞康表面解决方案股份公司;普费菲孔;日立金属株式会社;三菱日立工具株式会社
申请日： 2015-09-17 - 公布日： 2021-03-12 - 主分类号： C23C14/34 文献下载
摘要：一种制备涂布有硬涂层的工具的方法，所述方法包括以下步骤：采用第一磁控溅射工艺将TiAlN涂层施加到基体上和采用第二磁控溅射工艺将TixSi1‑xN涂层施加到所述TiAlN层上，其中x小于或等于0.85，优选在0.80至0.70之间，包括0.80和0.70；而所述第二磁控溅射工艺采用大于100W/cm2的功率密度来实施且本身为一种HIPIMS工艺。
制备具有改善耐磨性双层切割工具方法

[发明专利]一种屏下散热组件制成工艺-CN202110294588.6在审
发明人：王荣福 -专利权人：深圳市汉嵙新材料技术有限公司
申请日： 2021-03-19 - 公布日： 2021-08-03 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本发明公开了一种屏下散热组件制成工艺，包括如下步骤，采用磁控溅射的方法在泡棉的一侧镀石墨烯层；采用磁控溅射的方法在石墨烯层上镀金属层。利用磁控溅射的方法在泡棉上形成石墨烯镀层，并利用磁控溅射的方法在石墨烯镀层上形成金属镀层即可制得屏下散热组件，无需使用胶水，不仅能够有效地提高屏下散热组件的散热性能，还能够简化生产工艺，提高生产效率，从而降低屏下散热组件的制造成本
一种散热组件制成工艺

[发明专利]用于制造柔性基底多层薄膜的卷绕镀膜系统-CN201810399652.5有效
发明人：刘坤;胡强;孙飞;黄爱青 -专利权人：东北大学
申请日： 2018-04-28 - 公布日： 2019-09-03 - 主分类号： C23C14/56 文献下载
摘要：多个镀膜室与多个镀膜辊一一对应地设置，每个镀膜室包括一个或多个溅射单元，每个溅射单元包括升降装置、连接于升降装置的磁控溅射靶以及两个靶挡板，两个靶挡板位于磁控溅射靶和镀膜辊之间且间隔以形成延伸在磁控溅射靶和镀膜辊之间的溅射区间，磁控溅射靶和升降装置与电控装置连接。每个溅射区间设有抽气阀和布气阀，二者均与电控装置连接。该卷绕镀膜系统可独立控制每个溅射区间是否使用以及在使用时的工艺参数，能够随意控制镀膜的层数、靶材的种类，在柔性基底上一次性镀制多层工艺参数不同的膜层，提升镀膜效率。
溅射磁控溅射靶镀膜系统柔性基底升降装置镀膜辊卷绕挡板电控装置多层薄膜镀膜室独立控制镀膜效率气阀抽气阀一次性靶材镀膜镀制多层膜层制造延伸

[发明专利]一种直流磁控溅射镀膜电源快速可靠助燃电路-CN201910441113.8在审
发明人：李民久;陈庆川;蒲世豪;贺岩斌;姜亚南;熊涛;黄雨;邵斌 -专利权人：核工业西南物理研究院;成都同创材料表面科技有限公司
申请日： 2019-05-24 - 公布日： 2019-09-03 - 主分类号： H02M7/5387 文献下载
摘要：本发明属于自动控制技术和电力电子技术领域，具体涉及一种直流磁控溅射镀膜电源快速可靠助燃电路，通过增加助燃电路，助燃电路输出的电压叠加上高频逆变开关电源的高频整流桥输出的电压，以达到助燃启辉电压的幅值，当启辉成功后，直流磁控溅射电源输出电流超过启辉成功判断阈值，或者直流磁控溅射电源输出电压低于主电源空载电压判断阈值，助燃电路停止工作，这时直流磁控溅射工艺需要的电压和电流由直流磁控溅射电源的主电路供给；一但辉光熄灭，助燃电路启动输出，电源的输出电压又达到助燃启辉电压的幅值，确保镀膜工艺连续性；减小电弧能量，提高镀膜质量。
助燃直流磁控溅射电源直流磁控溅射电路镀膜电源启辉电压输出电压启辉电力电子技术领域高频逆变开关电源自动控制技术电弧能量电路启动电路输出镀膜工艺高频整流空载电压输出电流桥输出主电路主电源辉光减小熄灭成功输出

[发明专利]一种磁控溅射单银LOW-E钢化玻璃及其制造工艺-CN202111390768.0在审
发明人：韩君晖 -专利权人：太仓耀华玻璃有限公司
申请日： 2021-11-23 - 公布日： 2022-03-11 - 主分类号： C03C17/36 文献下载
摘要：本发明属于镀膜钢化玻璃技术领域，具体涉及一种磁控溅射单银LOW‑E钢化玻璃及其制造工艺。本发明提供的磁控溅射单银LOW‑E钢化玻璃的制造工艺，是在玻璃基片上采用磁控溅射法依次镀设SiNx层、ZnOx层、Nicr、Ag层、Nicr层、ZnOx层、SiNx层，得到单银LOW‑E玻璃；然后对单银LOW‑E玻璃进行物理钢化，得所述的磁控溅射单银本发明制得的磁控溅射单银LOW‑E钢化玻璃，具有较好的隔热性能和遮阳性能，透过率偏差小，颜色偏差小，其镀膜层致密均匀且结合力强，质量稳定，综合性能优异。
一种磁控溅射 low 钢化玻璃及其制造工艺

[发明专利]一种通过等离子体辉光光谱来控制磁控溅射镀膜杂质含量的方法-CN202011601018.9有效
发明人：瞿佳华;刘宽菲;任宇航 -专利权人：尚越光电科技股份有限公司
申请日： 2020-12-30 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本发明公开了一种通过等离子体辉光光谱来控制磁控溅射镀膜杂质含量的方法，光谱分析工作站分析收集到的光谱内容进行处理，对其中的光谱信息进行表征，并得出等离子体的光谱图；将所得光谱图和标准光谱图进行对比分析，若光谱图正常，则磁控溅射工艺正常进行，若光谱图异常，则自动停止磁控溅射工艺，并采取修正措施后继续磁控溅射；最终磁控溅射镀膜获得Mo背电极或TCO层。
一种通过等离子体辉光光谱控制磁控溅射镀膜杂质含量方法

[实用新型]一种直流磁控溅射镀膜电源快速可靠助燃电路-CN201920760742.2有效
发明人：李民久;陈庆川;蒲世豪;贺岩斌;姜亚南;熊涛;黄雨;邵斌 -专利权人：核工业西南物理研究院;成都同创材料表面科技有限公司
申请日： 2019-05-24 - 公布日： 2020-05-22 - 主分类号： H02M7/5387 文献下载
摘要：本实用新型属于自动控制技术和电力电子技术领域，具体涉及一种直流磁控溅射镀膜电源快速可靠助燃电路，通过增加助燃电路，助燃电路输出的电压叠加上高频逆变开关电源的高频整流桥输出的电压，以达到助燃启辉电压的幅值，当启辉成功后，直流磁控溅射电源输出电流超过启辉成功判断阈值，或者直流磁控溅射电源输出电压低于主电源空载电压判断阈值，助燃电路停止工作，这时直流磁控溅射工艺需要的电压和电流由直流磁控溅射电源的主电路供给；一但辉光熄灭，助燃电路启动输出，电源的输出电压又达到助燃启辉电压的幅值，确保镀膜工艺连续性；减小电弧能量，提高镀膜质量。
一种直流磁控溅射镀膜电源快速可靠助燃电路

[发明专利]一种高透薄膜的制备方法-CN201310548946.7有效
发明人：陈路玉 -专利权人：中山市创科科研技术服务有限公司
申请日： 2013-11-07 - 公布日： 2014-03-19 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本发明公开了一种高透薄膜的制备方法，其特征在于包括以下步骤：A、直流电源溅射Nb平面靶，在透明耐热玻璃基板上磁控溅射Nb2O5层；B、交流电源溅射氧化钛陶瓷旋转靶，在Nb2O5层上磁控溅射TiO2层；C、交流电源溅射掺铝氧化锌陶瓷靶旋转靶，在TiO2层上磁控溅射AZO层；D、直流电源溅射银平面靶，在AZO层上磁控溅射Ag层；E、直流电源溅射NiCr合金平面靶，在Ag层上磁控溅射NiCr层；F、交流电源溅射氧化钛陶瓷旋转靶，在NiCr层上磁控溅射TiO2层。本发明的目的是为了克服现有技术中的不足之处，提供一种工艺简单，操作方便，生产成本相对较低的高透薄膜的制备方法。
一种薄膜制备方法

[发明专利]用于硅异质结电池的ITO薄膜的制备方法-CN201911316635.1在审
发明人：王伟;赵晓霞;宫元波;周永谋;田宏波;李洋;宗军 -专利权人：国家电投集团科学技术研究院有限公司;国家电投集团新能源科技有限公司
申请日： 2019-12-19 - 公布日： 2021-06-22 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：该方法包括：通过磁控溅射法沉积透明导电氧化物ITO薄膜，所述磁控溅射法中采用的工艺气体包括氩气、氧气和氢气。该方法通过在磁控溅射法沉积ITO薄膜工艺中引入氢气作为反应气体，可以显著降低薄膜产品中散射中心密度，提高载流子迁移率，从而在保持薄膜良好透过率的同时，获得电学性能的提高。
用于硅异质结电池 ito 薄膜制备方法