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[实用新型]圆筒结构中磁约束等离子体热传导各向异性试验系统-CN202222098453.5有效
发明人：毛保全;梁双斌;白向华;赵其进;杨雨迎;徐振辉;李华;韩小平;陈春林;李程;王之千;朱锐;李桂杰 -专利权人：中国人民解放军陆军装甲兵学院
申请日： 2022-08-10 - 公布日： 2022-11-18 - 主分类号： H05H1/10 文献下载
摘要：本实用新型提供圆筒结构中磁约束等离子体热传导各向异性试验系统，属于磁约束等离子体热传导各向异性试验技术领域，包括等离子体反应器、磁场产生装置以及高温燃烧发生器，所述磁场产生装置产生垂直于等离子体反应器的磁场该圆筒结构中磁约束等离子体热传导各向异性试验系统通过在常压下，对等离子体传热情况表现的各向异性进行试验研究。
圆筒结构约束等离子体热传导各向异性试验系统

[发明专利]紧凑核聚变反应堆-CN201180039094.8无效
发明人：阿兰·赛克斯;米哈尔·格瑞亚耐维奇 -专利权人：托卡马克方案英国有限公司
申请日： 2011-05-26 - 公布日： 2013-05-01 - 主分类号： G21B1/05 文献下载
摘要：反应堆具有环形等离子体室（34）和等离子体约束系统（31），此系统被布置成产生用于约束等离子体室（34）中的等离子体的磁场。等离子体约束系统（31）被配置成使得被约束的等离子体的主要半径为0.75m或更少。反应堆被配置成在2MA或更少的等离子体电流下运行。磁场包括5T或更少的环形分量。
紧凑聚变反应堆

[发明专利]一种磁场和电场增强的电弧离子镀长管内壁镀膜方法-CN201010244662.5无效
发明人：赵彦辉;肖金泉;杜昊;华伟刚;于宝海;宫骏;孙超 -专利权人：中国科学院金属研究所
申请日： 2010-08-04 - 公布日： 2012-02-08 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本发明属于材料表面改性领域，涉及一种磁场和电场增强的电弧离子镀长管内壁镀膜方法。通过在电弧离子镀过程中采用磁场约束和控制等离子体束流运动轨迹，在电弧离子镀沉积装置中设置两套磁场发生装置，一套放在真空室外的等离子体传输通道上，即用磁场对等离子体束流进行聚焦，约束等离子体束流传输时的横截面直径和传输效率，另一套放置于真空室内的管状工件外侧，引导等离子体束流沿着管状工件中心轴向方向扩散；在电弧离子镀中利用电场增强是用电场对等离子体实现加速定向流动，是在工件内部设置脉冲电场；利用磁场和电场对等离子体束流的约束和控制
一种磁场电场增强电弧离子镀内壁镀膜方法

[实用新型]电弧离子镀膜装置-CN201020281150.1无效
发明人：赵彦辉;肖金泉;杜昊;华伟刚;于宝海;宫骏;孙超 -专利权人：中国科学院金属研究所
申请日： 2010-08-04 - 公布日： 2011-03-16 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本实用新型属于材料表面改性领域，涉及一种用于长管内壁镀膜的磁场和电场增强的电弧离子镀膜装置。通过在电弧离子镀过程中采用磁场约束和控制等离子体束流运动轨迹，在电弧离子镀沉积装置中设置两套磁场发生装置，一套放在真空室外的等离子体传输通道上，即用磁场对等离子体束流进行聚焦，约束等离子体束流传输时的横截面直径和传输效率，另一套放置于真空室内的管状工件外侧，引导等离子体束流沿着管状工件中心轴向方向扩散；在电弧离子镀中利用电场增强是用电场对等离子体实现加速定向流动，在工件内部设置脉冲电场；利用磁场和电场对等离子体束流的约束和控制
电弧离子镀膜装置

[发明专利]胶囊型医疗装置用引导系统-CN201080003673.2有效
发明人：河野宏尚 -专利权人：奥林巴斯医疗株式会社
申请日： 2010-08-04 - 公布日： 2011-11-23 - 主分类号： A61B1/00 文献下载
摘要：本发明所涉及的胶囊型医疗装置用引导系统(301)在将使磁场产生部(2)产生的磁场从将胶囊型内窥镜(10)约束在任意的位置上的峰值磁场切换为具有大致均匀的磁梯度并对胶囊型内窥镜(10)的永磁体施力的均匀梯度磁场时，使磁场条件存储部(347)存储该峰值磁场在水平面的产生位置，并且在将使磁场产生部(2)产生的磁场从均匀梯度磁场切换为峰值磁场时，使磁场产生部(2)在磁场条件存储部(347)所存储的位置处产生峰值磁场。
胶囊医疗装置引导系统

[发明专利]一种利用磁约束调控湿法冶金溶液微观结构的方法-CN202211333239.1在审
发明人：王志;姚夏妍;王东;钱国余;郭建伟 -专利权人：中国科学院过程工程研究所
申请日： 2022-10-28 - 公布日： 2023-01-20 - 主分类号： C22B3/22 文献下载
摘要：本发明提出一种利用磁约束调控湿法冶金溶液微观结构的方法，属于利用强磁极端环境改变物质结构的技术领域。包括湿法冶金溶液以稳流、湍流或旋转状态分流均匀穿过由匀强磁场与梯度磁场并联构成的可调磁场装置，并调节磁场极间距与溶液在磁场两极间的滞留时间和循环流动频率，通过不对称往复磁化约束水团簇结构、离子对结构以及离子团簇结构
一种利用约束调控湿法冶金溶液微观结构方法

[发明专利]电磁屏蔽的感应加热设备-CN200780002146.8无效
发明人： J·洛旺斯 -专利权人：应达公司
申请日： 2007-01-08 - 公布日： 2009-04-01 - 主分类号： H05B6/02 文献下载
摘要：感应装置围绕所述罩的外部并且流过感应装置的ac电流建立磁场，该磁场与所述工件耦合以感应加热所述工件。所述气密罩可以包含不导电材料以允许用于与所述工件耦合的所述磁场通过，以及用于约束所述磁场的区域的电磁屏蔽材料。在可选例子中，位于所述感应装置周围的电磁分流器代替所述电磁屏蔽材料或者与所述电磁屏蔽材料结合使用，以在朝向所述工件的方向上约束所述磁场。
电磁屏蔽感应加热设备

[实用新型]磁轭、组件以及断路器-CN201220029082.9有效
发明人：范磊磊;徐家贺;赵峰;武军 -专利权人：西门子公司
申请日： 2012-01-29 - 公布日： 2012-10-03 - 主分类号： H01H71/24 文献下载
摘要：本实用新型公开一种磁轭，用于与断路器的静触头配合，该磁轭包括：第一结构，构造为约束所述静触头产生的对增强电动斥力有利的磁场以增强所述有利的磁场；第二结构，构造为约束所述静触头产生的对增强电动斥力不利的磁场以减小所述不利的磁场对所述电动斥力的影响本实用新型的磁轭具有与静触头电流路径相对应的结构，从而增强对接触部分有利的磁场而减弱不利的磁场；整合了引弧角从而减少零件数量、降低结构复杂性；安装方便。
磁轭组件以及断路器

[发明专利]一种射频离子源-CN201910410936.4在审
发明人：施春燕 -专利权人：苏州至臻精密光学有限公司
申请日： 2019-05-17 - 公布日： 2019-07-23 - 主分类号： B24B1/00 文献下载
摘要：安装座上设有陶瓷底座，陶瓷底座上设有陶瓷放电腔，离子引束系统安装在陶瓷放电腔中并固定在陶瓷底座上，安装座上设有上安装架，上安装架中在陶瓷放电腔的外部套设有耦合天线线圈，上安装架上在耦合天线线圈上方设有约束磁场，约束磁场套住陶瓷放电腔上部，上安装架上在约束磁场上方设有中和器，安装座下部设有下安装架，安装座下部设有匹配网络，陶瓷放电腔开口处设有栅网，下安装架上设有两个通过线缆分别与耦合天线线圈及匹配网络连接的线缆接头
陶瓷放电腔安装座上安装架陶瓷底座约束磁场耦合天线射频离子源匹配网络下安装架等离子气体线缆接头开口处束系统送气管中和器吹送套住线缆栅网离子外部

[实用新型]一种射频离子源-CN201920707277.6有效
发明人：施春燕 -专利权人：苏州至臻精密光学有限公司
申请日： 2019-05-17 - 公布日： 2019-12-20 - 主分类号： B24B1/00 文献下载
摘要：安装座上设有陶瓷底座，陶瓷底座上设有陶瓷放电腔，离子引束系统安装在陶瓷放电腔中并固定在陶瓷底座上，安装座上设有上安装架，上安装架中在陶瓷放电腔的外部套设有耦合天线线圈，上安装架上在耦合天线线圈上方设有约束磁场，约束磁场套住陶瓷放电腔上部，上安装架上在约束磁场上方设有中和器，安装座下部设有下安装架，安装座下部设有匹配网络，陶瓷放电腔开口处设有栅网，下安装架上设有两个通过线缆分别与耦合天线线圈及匹配网络连接的线缆接头
陶瓷放电腔安装座上安装架陶瓷底座约束磁场耦合天线匹配网络下安装架本实用新型等离子气体射频离子源线缆接头开口处束系统送气管中和器吹送套住线缆栅网离子外部

[发明专利]磁控等离子体鞘层特性研究方法-CN201910559102.X有效
发明人：毛保全;白向华;李程;杨雨迎;宋瑞亮;王之千;朱锐;张天意 -专利权人：中国人民解放军陆军装甲兵学院
申请日： 2019-06-26 - 公布日： 2022-05-10 - 主分类号： H05H1/10 文献下载
摘要：本发明公开了磁控等离子体鞘层特性研究方法，属于磁约束等离子体鞘层领域，包括以下步骤：S1：产生等离子体，温度高达3000～4000k；S2：电磁线圈电流的加载；S3：产生感应电场，外加磁场产生激励电场，电场对粒子的加速效应可使高温燃气中初始的电子形成雪崩电离效应；S4:形成磁约束等离子体鞘层；S5：磁约束等离子体鞘层的隔热效应；S6：磁约束等离子体鞘层抑制动力学热流密度。该磁控等离子体鞘层特性研究方法，施加平行磁场后带电粒子的运动将变成绕磁力线的回旋运动，降低了等离子体横越磁场传递的热流密度，由于燃气传递的热流密度下降，内壁面的温升也随之下降，从而提高身管抗热烧蚀的能力
等离子体特性研究方法

[发明专利]低温超导磁体交流损耗的计算方法-CN201910056246.3有效
发明人：周伟;毛凯;张艳清;翟茂春;谭浩;张志华;陈慧星;张泉;胡良辉;朱然 -专利权人：中国航天科工飞航技术研究院（中国航天海鹰机电技术研究院）
申请日： 2019-01-22 - 公布日： 2023-01-10 - 主分类号： G06F30/20 文献下载
摘要：本发明提供一种低温超导磁体交流损耗的计算方法，包括：建立待测低温超导线圈的模型；设置模型的约束条件；基于约束条件对模型求解包括：基于H方程获取模型任意时刻的磁场幅值和磁场变化率，并基于此获取一个周期内模型的每匝超导股线的磁场幅值的最大值以及磁场变化率与时间的函数；根据每匝超导股线的磁场最大值，获取每匝超导股线的临界电流和临界电流密度；根据每匝超导股线的磁场变化率与时间的函数以及耦合时间常数获取总耦合损耗；以及根据一个周期内模型的每匝超导股线的磁场变化率与时间的函数
低温超导磁体交流损耗计算方法

[发明专利]一种基于激光冲击强化等离子体冲击波约束方法-CN201711012259.8有效
发明人：陆莹;乔红超;赵吉宾;孙博宇;胡太友 -专利权人：中国科学院沈阳自动化研究所
申请日： 2017-10-26 - 公布日： 2020-10-09 - 主分类号： C21D10/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种激光冲击强化等离子体冲击波约束方法。利用强磁场的约束使激光诱导产生的等离子体(正离子、负离子)分离，使正离子附着在牺牲层(铝箔或者黑胶带)表面，形成一种透明带电的等离子体约束层，主要作用是约束产生的等离子体冲击波，增强冲击波对靶材的作用效果由于等离子体存在的时间尺度要远大于激光脉冲宽度，所以利用强磁场将激光诱导产生的等离子正负离子分离形成一层约束层。本发明方法工艺简单，可控性强、效果显著，相比于传统的约束层(水或者玻璃)，激光诱导产生的等离子可以对复杂曲面、凹槽、榫槽、复杂内壁面的激光冲击强化进行约束，有效地抑制冲击波向外扩散，提高激光冲击强化效果
一种基于激光冲击强化等离子体冲击波约束方法

[实用新型]静磁悬浮装置-CN88221572.8无效
发明人：宾鸿川 -专利权人：宾鸿川
申请日： 1988-12-29 - 公布日： 1989-08-30 - 主分类号： B60L13/04 文献下载
摘要：由磁场体和感应体组成。通电后感应体受磁场感应产生作用力，使感应体悬浮腾空，没有约束物使感应体产生摩擦影响，提高了效率。
磁悬浮装置

[发明专利]基于环状磁约束技术的击穿光谱检测系统及方法-CN202010886048.2在审
发明人：李红莲;谢红杰;张仕钊;李小亭;方立德 -专利权人：河北大学
申请日： 2020-08-28 - 公布日： 2020-11-03 - 主分类号： G01N21/71 文献下载
摘要：本发明提供了一种基于环状磁约束技术的击穿光谱检测系统及方法，所述系统包括激光发射机构、环状磁场机构、检测机构、信号采集机构和计算机；所述检测机构包括用于放置被测样品的置物台，所述环状磁场机构包括环绕所述置物台设置的N极大磁铁、S极大磁铁、第一N极小磁铁、第二N极小磁铁、第一S极小磁铁和第二S极小磁铁；本发明将激光诱导击穿光谱技术与环状磁场约束组合测量具有更高的灵敏度和准确度，本发明采用的是环状磁场，为激光诱导击穿光谱技术的谱线增强方法提供了新的思路
基于环状约束技术击穿光谱检测系统方法