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- [发明专利]一维新型宽带隙半导体硫基锌配合物的合成方法-CN201810554403.9有效
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张俊
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安徽建筑大学
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2018-05-21
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2022-04-08
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C07D285/125
- 本发明属于半导体技术领域，具体涉及一种一维新型宽带隙半导体硫基锌配合物的合成方法，步骤1，将5‑甲硫基‑1，3，4‑噻二唑‑2‑硫醇加入至DMF中，机械搅拌至完全溶解，得到5‑甲硫基‑1，3，4‑噻二唑‑2‑硫醇有机液；步骤2，将六水合硝酸锌加入至5‑甲硫基‑1，3，4‑噻二唑‑2‑硫醇有机液中，匀速搅拌至完全溶解，得到混合有机液；步骤3，将三乙胺加入至混合有机液中直至沉淀不再产生，抽滤后得到白色滤饼；步骤4，将白色沉淀恒温干燥24h得到白色晶体沉淀‑硫基锌配合物。本发明解决了一维硫基锌配合物的方法空白，具有制备简单，产率稳定的特点，且制备的硫基锌配合物纯度高。
- 维新宽带半导体硫基锌配合合成方法
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