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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]硅通孔可靠性分析方法-CN201611244489.2有效
发明人：董刚;何映婷;杨银堂 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2016-12-29 - 公布日： 2019-10-25 - 主分类号： G06F17/50 文献下载
摘要：本发明公开了一种硅通孔可靠性分析方法，主要解决现有技术中仿真时间长，消耗存储大的问题。其技术方案是：1)提取硅通孔内外各层材料的物理参数；2)输入硅通孔的环境温度T和外加激励；3)使用1)和2)中的参数，计算硅通孔热分布；4)使用Matlab对硅通孔热分布采点，得到硅通孔不同位置的温度；5)根据硅通孔不同位置的温度，计算硅通孔的平均温差6)计算单位时间内总热量Q；7)根据温差和总能量Q，得到一个等效热容值；8)变换条件，得到新的硅通孔热分布，重复3)～7)得到一组等效热容值本发明缩短了仿真时间，减小了存储量，可用于硅通孔的三维集成电路设计优化。
硅通孔可靠性分析方法

[发明专利]液体硅通孔兼容嵌入式微流道的散热结构和装置及其制法-CN202310623833.2有效
发明人：索曌君;郭芬;苏康;李拓 -专利权人：苏州浪潮智能科技有限公司
申请日： 2023-05-30 - 公布日： 2023-08-04 - 主分类号： H01L23/473 文献下载
摘要：本发明提供一种液体硅通孔兼容嵌入式微流道的散热结构和装置及其制法，散热结构包括：基底，基底包括第一外底板和第一内底板，基底内刻蚀有第一扰流柱阵列；热沉，热沉包括第二外底板和第二内底板，热沉内刻蚀有第二扰流柱阵列；以及多层集成电路芯片，多层集成电路芯片垂直堆叠，设置在基底和热沉中间，多层集成电路芯片中刻蚀有信号硅通孔阵列和液体硅通孔阵列，信号硅通孔阵列通过凸点与基底连接，液体硅通孔阵列通过液体微凸点分别与热沉和基底连接本发明的散热结构由液体硅通孔和内嵌扰流柱的微流道热沉和基板共同构成，提高了集成电路的散热性能和系统可靠性。
液体硅通孔兼容嵌入式微散热结构装置及其制法

[发明专利]一种基于硅通孔的大功率芯片背面散热方法-CN202010372238.2在审
发明人：马奎;杨发顺;周小康;王硕 -专利权人：贵州大学
申请日： 2020-05-06 - 公布日： 2020-08-07 - 主分类号： H01L23/367 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于硅通孔的大功率芯片背面散热方法，所述散热方法为：在芯片背面制备散热硅通孔阵列，在散热硅通孔中填充导热系数高的散热材料实现降低芯片整个体硅区域的热阻；解决了现有技术的芯片主要通过减薄、背面金属化降低大功率芯片体硅区域热阻，该方法存在散热效率低、工艺成本高、工艺可靠性差等问题，不利于提高电力电子系统的热可靠性等技术问题。
一种基于硅通孔大功率芯片背面散热方法

[发明专利]硅通孔结构-CN201210115868.7有效
发明人：徐依协 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2012-04-18 - 公布日： 2013-10-30 - 主分类号： H01L23/48 文献下载
摘要：一种硅通孔结构，包括：衬底；至少一个的硅通孔阵列，所述硅通孔阵列包括多个贯穿衬底的第一硅通孔和第二硅通孔，所述第一硅通孔与第二硅通孔间隔排列，且所述第一硅通孔产生的应力与第二硅通孔产生的应力部分抵消。本发明提供的硅通孔结果应力小，封装质量佳。
硅通孔结构

[发明专利]硅通孔结构-CN201210115869.1有效
发明人：徐依协 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2012-04-18 - 公布日： 2013-10-30 - 主分类号： H01L23/48 文献下载
摘要：一种硅通孔结构，包括：衬底；至少一个的硅通孔阵列，所述硅通孔阵列包括多个贯穿衬底的硅通孔；连接多个硅通孔的第一导电线和第二导电线，且第一导电线和第二导电线互相连接，其中，所述第一导电线沿第一方向连接多个硅通孔，所述第二导电线沿第二方向连接多个硅通孔，且第一方向不同于第二方向。本发明提供的硅通孔结构应力小，封装质量佳。
硅通孔结构

[发明专利]硅通孔结构-CN201210114818.7有效
发明人：徐依协 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2012-04-18 - 公布日： 2013-10-30 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：一种硅通孔结构，包括：衬底；至少一个的硅通孔阵列，所述硅通孔阵列包括多个贯穿衬底的硅通孔；连接多个硅通孔的第一导电线、第二导电线和第三导电线，其中，所述第一导电线沿第一方向连接多个硅通孔，所述第二导电线沿第二方向连接多个硅通孔，第一方向不同于第二方向，且第三导电线在所述硅通孔阵列边角连接第一导电线和第二导电线，使得沿第一方向的应力和第二方向的应力互相抵消。本发明提供的硅通孔结构应力小，封装质量佳。
硅通孔结构

[发明专利]硅通孔阵列-CN202110450323.0有效
发明人：张卫;刘子玉;蒋涵;陈琳;孙清清 -专利权人：复旦大学
申请日： 2021-04-25 - 公布日： 2023-02-03 - 主分类号： H01L23/528 文献下载
摘要：本公开涉及一种硅通孔阵列，属于半导体器件领域，能够抑制信号的耦合，提高信号的完整性。一种硅通孔阵列，该硅通孔阵列包括信号硅通孔和屏蔽接地硅通孔，其中，所述信号硅通孔和所述屏蔽接地硅通孔交错排布成正N边形，N≥5。
硅通孔阵列

[实用新型]硅通孔结构-CN201520165910.5有效
发明人：盛亚;程仁豪;刘凌 -专利权人：中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
申请日： 2015-03-23 - 公布日： 2015-06-24 - 主分类号： H01L23/48 文献下载
摘要：本实用新型揭示了一种硅通孔结构。至少包括两个硅通孔，还包括隔离环，所述隔离环接地，每个隔离环围绕一个硅通孔。利用本实用新型的硅通孔结构，改善了硅通孔之间信号耦合对实际信号产生的影响，提高了制得器件的可靠性。
硅通孔结构

[实用新型]硅通孔结构-CN201420291727.5有效
发明人：沈哲敏;李广宁 -专利权人：中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
申请日： 2014-06-03 - 公布日： 2014-10-22 - 主分类号： H01L23/48 文献下载
摘要：本实用新型提出了一种硅通孔结构，包括：半导体衬底，形成于半导体衬底内的硅通孔连线，形成于硅通孔连线表面的缓冲层，并暴露出一部分硅通孔连线；在硅通孔连线的表面形成一层具有塑性变形能力的缓冲层，当硅通孔连线遭受到高温处理发生突起时
硅通孔结构

[实用新型]硅通孔结构-CN201420235163.3有效
发明人：甘正浩 -专利权人：中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
申请日： 2014-05-08 - 公布日： 2014-09-03 - 主分类号： H01L23/528 文献下载
摘要：本实用新型揭示了一种硅通孔结构，包括：半导体基底，所述半导体基底上具有硅通孔；第一电介质层，所述第一电介质层填充于所述硅通孔的侧壁上；第二电介质层，所述第二电介质层位于所述第一电介质层的侧壁上，所述第二电介质层的介电常数小于所述第一电介质层的介电常数在本实用新型提供的硅通孔结构中，由于所述第二电介质层的介电常数小于所述第一电介质层的介电常数，减小了整个所述硅通孔结构的寄生电容，从而提高硅通孔结构的电性能。
硅通孔结构

[实用新型]硅通孔结构-CN201120454618.7有效
发明人：汪学方;徐春林;王宇哲;徐明海;胡畅;刘胜 -专利权人：华中科技大学
申请日： 2011-11-16 - 公布日： 2012-07-11 - 主分类号： H01L23/538 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种硅通孔结构，其形成于硅片上，并包括掺杂粒子构成的导电区和绝缘区，绝缘区与所述导电区掺杂的粒子的极性相反，所述导电区表面覆盖有金属电极，所述硅片的表面除所述金属电极之外的区域覆盖有绝缘层本实用新型硅通孔结构的优点在于：通过粒子掺杂方式形成硅通孔结构的导电区和绝缘区，导电区和绝缘区的基体都还是硅片本身，避免了目前硅通孔技术中金属和硅片热膨胀系数不同造成的热应力问题，能够提高器件的可靠性和寿命
硅通孔结构

[发明专利]同轴硅通孔-CN201080049019.5有效
发明人： R.P.沃兰特;M.G.法鲁克;P.F.芬德伊斯;K.S.佩特拉卡 -专利权人：国际商业机器公司
申请日： 2010-10-14 - 公布日： 2012-07-18 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：一种硅通孔(TSV)结构，其在硅衬底(40)内形成独特的同轴互连或三轴互连。所述TSV结构提供有两个或更多独立电导体(50、60)，所述电导体彼此绝缘且与衬底绝缘。
同轴硅通孔

[发明专利]硅通孔结构和硅通孔结构的制作方法-CN202211382044.6在审
发明人：阮勇;周峥;尤政;赵晓光;宋志强 -专利权人：清华大学
申请日： 2022-11-07 - 公布日： 2023-03-14 - 主分类号： B81B7/00 文献下载
摘要：本申请涉及一种硅通孔结构和硅通孔结构的制作方法，硅通孔结构至少包括衬底、绝缘层和导电层。绝缘层形成在衬底通孔的内壁上，具有第一凹陷部的导电层形成在绝缘层上。在硅通孔结构内部温度升高而产生热应力时，通过第一凹陷部中的第一应力分散部对热应力进行分散，缓解了硅通孔结构因热失配而产生的翘曲问题，提升了硅通孔结构的稳定性。
硅通孔结构制作方法

[实用新型]一种用于单晶硅生长的热屏装置-CN201520564781.7有效
发明人：邹凯;倪海江;陈家骏 -专利权人：包头市山晟新能源有限责任公司
申请日： 2015-07-30 - 公布日： 2015-12-16 - 主分类号： C30B15/00 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种用于单晶硅生长的热屏装置，包括上部热屏和设置于所述上部热屏内的下部热屏，在所述上部热屏内开设有上部通孔，所述下部热屏自所述上部通孔的下端口伸出所述上部热屏，所述下部热屏能够在所述上部通孔内沿所述上部通孔的轴线方向移动本实用新型提供的热屏装置，在保持现有直拉硅单晶炉热场结构不变的情况下，充分利用热屏下沿空间装料，装置简单易行，大大增加了实际的装料量，并且提升了单晶硅的品质，提高了生产效率。
一种用于单晶硅生长装置

[发明专利]硅通孔结构的制备方法和硅通孔结构-CN202080103632.4在审
发明人：李珩;张晓东;胡天麒;戚晓芸 -专利权人：华为技术有限公司
申请日： 2020-09-27 - 公布日： 2023-04-21 - 主分类号： H01L23/48 文献下载
摘要：本申请提供一种硅通孔结构的制备方法和硅通孔结构。该制备方法包括：提供晶圆，该晶圆包括衬底层、介质层和金属层；从衬底层的第二侧形成贯穿衬底层的导通孔，该导通孔停止在金属层上；从衬底层的第二侧形成凹孔；在衬底层的第二侧的表面、导通孔内和凹孔内沉积金属；对金属进行研磨，以去除衬底层的第二侧的表面上的除导通孔和凹孔之外的区域上的金属。本申请中凹孔的设置能够使得在衬底层上没有导通孔的地方增加金属，有助于在研磨过程中金属尽可能地均匀分布，从而有助于提高研磨工艺的一致性和可靠性。另外，本申请中导通孔对应的TSV可以不是TSV array，因而够根据产品需要，灵活地设计TSV图案，增大工艺窗口。
硅通孔结构制备方法

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