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[发明专利]一种生长薄板硅晶体的方法-CN201110193163.2有效
发明人：李乔;马远 -专利权人：浙江碧晶科技有限公司
申请日： 2011-07-11 - 公布日： 2011-11-30 - 主分类号： C30B15/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种生长薄板硅晶体的方法，包括：将由硅原料熔化所形成的硅熔液流入到液态衬底的上面，所述的硅熔液浮于所述的液态衬底之上，形成硅熔液薄层；再通过温度场控制，使得在所述的硅熔液薄层和液态衬底的水平方向形成温度梯度，最终所述的硅熔液薄层结晶生成薄板硅晶体。由于液态衬底物质对硅熔液/硅晶体的支撑作用，容易形成表面平整的薄板硅。本发明的生长薄板硅晶体的方法中，不采用固体模具或提拉线即可形成硅熔液薄层，生长过程中不存在破坏晶体结构的物质，从而生成的薄板硅结晶颗粒大，生成的薄板硅面积大，产量高；在有单晶硅片引导的前提下，可生产薄板单晶硅
一种生长薄板晶体方法

[发明专利]一种可去除含碳杂质的太阳能级硅晶体的制备方法-CN200910099619.1无效
发明人：李乔;马远 -专利权人：浙江碧晶科技有限公司
申请日： 2009-06-11 - 公布日： 2009-11-04 - 主分类号： C30B15/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种可去除含碳杂质的太阳能级硅晶体的制备方法，包括将带有含碳杂质的硅原料置入晶体提拉炉内的坩埚内，加热使坩埚内的硅原料熔化并使硅熔液与SiO₂接触，保持硅熔液温度1420～1750℃，调整硅熔液表面的真空度使得含碳杂质与SiO₂的反应加速，并导致硅熔液表面波动或鼓泡，使生成的SiO和CO逸出；控制硅熔液温度在1410～1500℃之间，调节硅熔液表面真空度使硅熔液表面停止波动或鼓泡，通过籽晶诱导制备硅晶体。本发明制备方法可采用高碳含量的多晶硅原料生产出低碳含量的硅晶体，减少生产硅单晶时断棱(失去单晶结构)的概率，提高产品的质量和成品率。
一种去除杂质太阳能级晶体制备方法

[发明专利]一种硅铝粉末制备系统及制备方法-CN202310439128.7有效
发明人：任兴宇;舒畅 -专利权人：成都佩克斯新材料有限公司
申请日： 2023-04-23 - 公布日： 2023-07-21 - 主分类号： B22F9/08 文献下载
摘要：本申请公开了一种硅铝粉末制备系统及制备方法，制备系统包括两个第一坩埚、两组第一出液控制装置、混合装置和雾化装置，两个第一坩埚分别用于制备硅熔液和铝熔液，两第一坩埚顶部均设有惰性气体保护层，且两第一坩埚底部均设置有出液嘴；两组第一出液控制装置用于分别打开或封闭对应出液嘴；混合装置用于接收分别从两个出液嘴出来的硅熔液和铝熔液，并将硅熔液和铝熔液进行混合，以制得硅铝熔液；雾化装置用于对从混合装置出来的硅铝熔液进行雾化，以制得硅铝粉末，本申请具有可对各环节氧含量进行有效控制、制得的硅铝粉末产品表面氧化程度低的优点。
一种粉末制备系统方法

[发明专利]一种电场与熔盐作用下制备高纯多晶硅的方法-CN201210214263.3无效
发明人：褚君浩;徐璟玉;蒋君祥;熊斌;丁杰;戴宁 -专利权人：上海太阳能电池研究与发展中心
申请日： 2012-06-26 - 公布日： 2012-10-03 - 主分类号： C30B30/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种电场和熔盐作用下制备高纯多晶硅的方法，具体是指在多晶硅定向凝固的晶体生长过程中，在硅液和电极之间设置熔盐层，将电极与硅液隔开，在电场作用下硅液中的杂质向电极方向迅速迁移，当到达熔盐与硅液的界面时，与熔盐发生反应而被吸收，同时熔盐层保护电极不被硅液腐蚀。该方法不仅能有效避免电极对硅液的污染，还能提高定向凝固工艺的除杂能力和硅锭的利用率。
一种电场作用制备高纯多晶方法

[实用新型]一种可改善硅单晶纵向电阻率石英坩埚-CN202122014571.9有效
发明人：贾国华;王凯;郭谦;张文霞;王福如 -专利权人：内蒙古中环协鑫光伏材料有限公司
申请日： 2021-08-25 - 公布日： 2022-03-08 - 主分类号： C30B15/10 文献下载
摘要：一种可改善硅单晶纵向电阻率石英坩埚，在石英坩埚内配设有隔离件；所述隔离件使熔硅液沿所述石英坩埚轴向分为含有掺杂剂的熔硅液层和未含有掺杂剂的熔硅液层，并能够使所述未含有掺杂剂的熔硅液层中的熔硅液随硅单晶生长逐步流入至所述含有掺杂剂的熔硅液层内，以稀释所述含有掺杂剂的熔硅液层中的掺杂剂的浓度，以保持所述硅单晶生长过程中其纵向电阻率的均匀性。本实用新型可使在晶体生长过程中所用熔硅液中的掺杂剂的浓度保持稳定，以使拉制好的硅单晶中的掺杂剂在其纵向上的含量分布均匀，从而使硅单晶圆棒的纵向电阻率差值缩小，以提高产品成品率。
一种改善硅单晶纵向电阻率石英坩埚

[发明专利]用于生长单晶硅锭的装置和方法-CN201580076628.2在审
发明人：金尚熹;郑容好 -专利权人： LG矽得荣株式会社
申请日： 2015-08-14 - 公布日： 2017-11-28 - 主分类号： C30B15/00 文献下载
摘要：一种实施方式提供一种用于生长单晶硅锭的方法，所述方法可包括在坩埚中制备硅熔液；将种晶探入硅熔液；旋转种晶和坩埚，同时向坩埚施加水平磁场；以及提拉从硅熔液中生长的硅锭，其中，生长的硅锭和硅熔液之间的界面形成于离水平面向下1‑5毫米的位置，且生长后的硅锭的体积微缺陷(BMD)尺寸为55‑65纳米。
用于生长单晶硅装置方法

[发明专利]太阳能级硅晶体的制备及提纯方法-CN200910098370.2无效
发明人：李乔;马远 -专利权人：浙江碧晶科技有限公司
申请日： 2009-05-11 - 公布日： 2009-09-30 - 主分类号： C30B15/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种太阳能级硅晶体的制备及提纯方法，其特点是提纯及硅晶体制备过程在晶体提拉炉(采用Czochralski法进行晶体生长的设备)内完成，并且采用石墨材料加工的坩埚作为与硅原料(及其熔化后的熔液)直接接触的容器，其操作过程包括(1)加热使石墨坩埚内的硅原料熔化，在硅熔液温度1500～2000℃，硅熔液表面真空度0～500Pa条件下蒸发杂质；(2)控制硅熔液温度在1410～1500℃之间，通过籽晶诱导制备硅晶体；(3)石墨坩埚内硅熔液将耗尽时，升温至1600～1850℃，硅熔液表面的真空度控制在0～5Pa，蒸发硅熔液中余下的杂质；(4)降温但保持石墨坩埚内温度800℃以上，向石墨坩埚中加入下一批硅原料；(5)本发明方法生产的硅晶体氧含量很低，改善了掺硼硅晶体制作成的太阳能电池的光致衰减性能，也实现了连续生产。
太阳能级晶体制备提纯方法

[发明专利]一种可改善硅单晶纵向电阻率石英坩埚及拉晶方法-CN202110983886.6在审
发明人：贾国华;王凯;郭谦;张文霞;王福如 -专利权人：内蒙古中环协鑫光伏材料有限公司
申请日： 2021-08-25 - 公布日： 2023-03-03 - 主分类号： C30B15/10 文献下载
摘要：一种可改善硅单晶纵向电阻率石英坩埚，在石英坩埚内配设有隔离件；所述隔离件使熔硅液沿所述石英坩埚轴向分为含有掺杂剂的熔硅液层和未含有掺杂剂的熔硅液层，并能够使所述未含有掺杂剂的熔硅液层中的熔硅液随硅单晶生长逐步流入至所述含有掺杂剂的熔硅液层内，以稀释所述含有掺杂剂的熔硅液层中的掺杂剂的浓度，以保持所述硅单晶生长过程中其纵向电阻率的均匀性。本发明可使在晶体生长过程中所用熔硅液中的掺杂剂的浓度保持稳定，以使拉制好的硅单晶中的掺杂剂在其纵向上的含量分布均匀，从而使硅单晶圆棒的纵向电阻率差值缩小，以提高产品成品率。
一种改善硅单晶纵向电阻率石英坩埚方法

[发明专利]一种电子束及渣滤熔炼提纯多晶硅的方法及设备-CN201110125905.8有效
发明人：谭毅;战丽姝;姜大川;顾正;邹瑞洵 -专利权人：大连隆田科技有限公司
申请日： 2011-05-16 - 公布日： 2011-08-10 - 主分类号： C01B33/037 文献下载
摘要：本发明属于用物理冶金技术提纯多晶硅的技术领域。一种电子束及渣滤熔炼提纯多晶硅的方法，在熔炼坩埚中加热熔化造渣剂形成造渣剂熔液，并保持其液态，同时通过加料装置向水冷铜坩埚中连续加入高磷、高硼和高金属的多晶硅料，硅料在电子束轰击下熔化成硅熔液，并熔炼去除杂质磷；除磷后的低磷硅熔液导流进入到造渣剂熔液之中，在熔入的过程中，硅熔液中的杂质硼与造渣剂反应去除杂质硼，加满料后将熔炼坩埚中的熔液加热保持液态熔炼3-10分钟，定向凝固，切去硅锭顶部废渣及金属含量较高的硅块即可本发明综合利用电子束熔炼除磷、渣滤熔炼除硼及定向凝固除金属的技术去除多晶硅中的磷、硼和金属杂质，提纯效果好，生产效率高，适合批量生产。
一种电子束熔炼提纯多晶方法设备

[发明专利]一种拉晶装置、设备及方法-CN201910863523.1在审
发明人：兰洵;全铉国 -专利权人：西安奕斯伟硅片技术有限公司
申请日： 2019-09-12 - 公布日： 2019-11-29 - 主分类号： C30B15/20 文献下载
摘要：本发明实施例提供了一种拉晶装置、设备及方法，拉晶装置包括：坩埚，包括一用于容纳硅熔液的容纳空间；磁场发射部，用于向坩埚处输出磁场；温度测量部，用于测量一个或多个指定位置的硅熔液的温度值；控制部，控制部分别与磁场发射部和温度测量部连接，控制部用于接收温度测量部发送的一个或多个指定位置的硅熔液的温度值，根据一个或多个指定位置的硅熔液的温度值，确定磁场发射部输出磁场的目标磁场强度，并控制磁场发射部输出强度为目标磁场强度的磁场。这样可以对磁场进行自动化调控，能将硅熔液的对流强度控制在一定范围内，进而优化硅熔液对流变化所导致的硅熔液内部的热传导，为硅晶体生长提供更加稳定的工艺条件。
硅熔液磁场发射部磁场温度测量部拉晶装置目标磁场输出坩埚对流自动化调控工艺条件强度控制容纳空间硅晶体热传导测量发送容纳生长优化

[发明专利]一种直拉单晶生产过程中的除杂方法-CN201210162057.2无效
发明人：余思明;程佑富 -专利权人：浙江锦锋光伏科技有限公司
申请日： 2012-05-23 - 公布日： 2013-12-04 - 主分类号： C30B15/20 文献下载
摘要：本发明涉及一种直拉单晶生产过程中的除杂方法，该方法主要是在单晶炉内快速吊起硅晶体，使硅晶体下端离开液面并在硅晶体的底部形成内凹面；然后将硅晶体具有内凹面的一面略微插入液面，使硅熔液液面的不可熔杂质逐渐吸附在硅晶体上采用本发明，因为硅晶体的内凹面会带着一部分惰性气体进入硅熔液，气体鼓向硅晶体的四周并冒泡，带走硅晶体底部及周围的热量，形成更低的局部温度，不可熔杂质便会逐渐吸附在硅晶体上，这样，能最大限度地将不可熔杂质通过吸附后除去，大大提高了硅的纯度，促进了硅单晶生长，提高了硅单晶的产品质量。
一种直拉单晶生产过程中的方法

[发明专利]拉制单晶硅棒前的除杂工艺-CN202211661032.7有效
发明人：请求不公布姓名 -专利权人：新美光（苏州）半导体科技有限公司
申请日： 2022-12-23 - 公布日： 2023-06-02 - 主分类号： C30B15/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种拉制单晶硅棒前的除杂工艺。拉制单晶硅棒前的除杂工艺包括如下步骤：步骤一、将硅料放入坩埚内，加热使硅料熔融，得到硅熔体；步骤二、调整坩埚内的热场温度至引颈温度，待硅熔体的液面稳定之后依次进行引晶步骤和放肩步骤，之后将肩部与硅熔体的液面分离；步骤三、调整坩埚内的热场和/或调整坩埚的转速，使硅熔体内部的杂质富集于液面位置；步骤四、将肩部放入硅熔体中，使肩部的部分位于液面以下，静置使杂质富集于肩部上，之后将富集杂质的肩部与液面分离；以及步骤五上述拉制单晶硅棒前的除杂工艺的工艺简单，通过调整坩埚内的热场和/或调整坩埚的转速，能够让杂质向硅熔体表面富集，易于除去杂质。
拉制单晶硅杂工

[发明专利]单晶硅的制造方法及单晶硅以及硅晶片-CN03808958.0有效
发明人：布施川泉;大国祯之;三田村伸晃;太田友彦;胜冈信生 -专利权人：信越半导体株式会社
申请日： 2003-04-23 - 公布日： 2005-07-27 - 主分类号： C30B29/06 文献下载
摘要：本发明涉及一种利用不进行达斯颈部法的柴可劳斯基法而进行的单晶硅的制造方法，利用前端部的角度为28°以下的前端尖或者去掉尖前端的形状的晶种，在使上述晶种的前端部接触硅熔液之前，使其停止在硅熔液的正上方并予以加温，之后，使上述晶种的前端部接触硅熔液，沉入硅熔液直至成为期望直径为止，之后，转为拉升而进行单晶的拉升时，至少在使上述晶种的前端部接触硅熔液而转为拉升的期间，使硅熔液表面的温度变动保持在±5℃以内。由此，在不使用达斯颈部法而利用柴可劳斯基法来育成单晶硅的方法中，可以提高以无位错育成单晶的成功率的同时，即使是结晶方向为200mm的大直径高重量的单晶硅。
单晶硅制造方法以及晶片

[发明专利]一种不收尾的直拉单晶方法及硅单晶-CN202210878287.2在审
发明人：陶莹 -专利权人：北京麦竹吉科技有限公司;陶莹
申请日： 2022-07-25 - 公布日： 2022-10-25 - 主分类号： C30B15/20 文献下载
摘要：该方法采用籽晶和硅熔体，依次进行引颈、放肩和等径生长，等径生长结束后，降低晶体的转速和所述硅熔体的受热温度，使晶体的固液面向硅熔体内凸起；快速将晶体提拉至与硅熔体的液面分离的位置；分离后，停止提拉晶体；该方法有效降低了晶体与硅熔体的固液界面下面的强迫对流强度，使晶体的固液面向硅熔体内凸起；快速提高拉速，可使晶体与液面快速分离，不会产生滑移线，可不用收尾。
一种收尾直拉单晶方法硅单晶

[实用新型]一种单晶炉中液口距实时监控装置及具备其的单晶炉-CN202121510041.7有效
发明人：黎志欣;胡动力 -专利权人：连城凯克斯科技有限公司
申请日： 2021-07-05 - 公布日： 2022-04-08 - 主分类号： C30B15/20 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种单晶炉中液口距实时监控装置及具备其的单晶炉，单晶炉包括主室，主室内设置有承载硅熔体的坩埚，硅熔体包含有硅熔体表面，硅熔体表面上方有晶棒，坩埚上方设置到导流筒，导流筒围绕晶棒设置，硅熔体、导流筒与晶棒限定出第一空间，液口距实时监控装置包括：液面测量装置，液面测量装置设置在第一空间的正上方，液面测量装置测量得到液面测量装置与硅熔体表面之间的第一距离；控制装置，控制装置与液面测量装置相连，控制装置实时记录所述第一距离，并根据第二预设距离，计算得到液口距。由此通过精确测量第一距离，在根据预设的第二距离，精确计算出液口距，实现液口距的在线实时监控。
一种单晶炉中液口距实时监控装置具备单晶炉

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