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[发明专利]环形光电探测器及光收发系统-CN202310420844.0在审
发明人：宋泽国;郝沁汾 -专利权人：无锡芯光互连技术研究院有限公司
申请日： 2023-04-19 - 公布日： 2023-07-18 - 主分类号： H01L31/0232 文献下载
摘要：该环形光电探测器包括硅衬底、硅波导层、光电吸收层和电极层，硅波导层设于硅衬底上，硅波导层包括第一硅波导结构和第二硅波导结构，第一硅波导结构设置为环形，第二硅波导结构设置为两个对称的锥形，第二硅波导结构的宽度从两端向中间逐渐减小，第二硅波导结构设于第一硅波导结构的一侧，第一硅波导结构沿两锥形的连接线的延长线对称分布，第二硅波导结构被配置为能将入射光耦合到第一硅波导结构中；光电吸收层呈环形设置于第一硅波导结构上；电极层呈环形设置于第一硅波导结构上
环形光电探测器收发系统

[发明专利]环形光电探测器及其制备方法、光收发系统-CN202310420850.6在审
发明人：宋泽国;郝沁汾 -专利权人：无锡芯光互连技术研究院有限公司
申请日： 2023-04-19 - 公布日： 2023-08-11 - 主分类号： H01L31/0232 文献下载
摘要：该环形光电探测器包括硅衬底、硅波导层、光电吸收层和电极层，硅波导层设于硅衬底上，硅波导层包括第一硅波导结构和第二硅波导结构，第一硅波导结构设置为环形，第二硅波导结构设置为长方形，第二硅波导结构设置于第一硅波导结构的一侧；光电吸收层呈环形设置于第一硅波导结构上；电极层设置于第一硅波导结构上。本发明提供的环形光电探测器，入射光进入第二硅波导结构，通过间接耦合的方式进入第一硅波导结构中，光在第一硅波导结构内循环传播，并耦合到光电吸收层内，提高了入射光的吸收效率和环形光电探测器的响应度。
环形光电探测器及其制备方法收发系统

[发明专利]折叠式硅-铌酸锂混合集成电光调制器及其制备方法-CN201910715011.0在审
发明人：陈朋鑫;蔡浚明;刘柳;胡金耀 -专利权人：华南师范大学
申请日： 2019-08-05 - 公布日： 2019-12-24 - 主分类号： G02F1/025 文献下载
摘要：本发明公开了一种折叠式硅‑铌酸锂混合集成电光调制器及其制备方法，包括硅基输入波导，硅基光分路器，硅‑铌酸锂波导耦合结构，第一条波导臂，第二条波导臂，硅基光合路器，硅基输出波导，硅基波导交叉结构，三个电极；其中第一条波导臂、第二条波导臂均包括硅‑铌酸锂波导耦合结构及两条以上铌酸锂波导；第一条波导臂、第二条波导臂还包括硅基弯曲波导，硅基交叉结构；在光路转弯前铌酸锂光波导中的光通过硅‑铌酸锂波导耦合结构从铌酸锂波导中耦合到硅基光波导中，在硅基波导中实现光路的转弯，并通过与硅基弯曲波导相连接的硅基交叉结构实现光路在波导中的转换，本发明有利于实现调制器的小型化。
硅基波导臂铌酸锂波导交叉结构耦合结构光路硅基波导弯曲波导转弯铌酸锂光波导电光调制器硅基光波导光分路器光合路器混合集成输出波导输入波导调制器折叠式铌酸锂耦合到电极波导制备转换

[发明专利]氮化硅波导辅助悬臂梁端面耦合器-CN202210295252.6有效
发明人：程秀兰;李雅倩;王敏;权雪玲;刘民;王晓东 -专利权人：上海交通大学
申请日： 2022-03-24 - 公布日： 2023-03-28 - 主分类号： G02B6/13 文献下载
摘要：本发明提供了一种氮化硅波导辅助悬臂梁端面耦合器，包括硅衬底、氮化硅波导结构、硅波导结构、连接梁结构以及悬臂梁结构；悬臂梁结构连接设置在连接梁结构上，连接梁结构连接设置在硅衬底上；硅衬底设置有衬底槽，悬壁梁结构悬于衬底槽的上方；氮化硅波导结构和硅波导结构设置在悬壁梁结构内，氮化硅波导结构位于硅波导结构的上方；氮化硅波导结构的一端设置在耦合端面处，硅波导结构的一端与耦合端面间隔设置；氮化硅波导结构为亚波长光栅氮化硅波导结构，硅波导结构为亚波长光栅倒锥硅波导结构
氮化波导辅助悬臂梁端面耦合器

[发明专利]硅阵列结构的太赫兹波偏振分束器-CN201611160713.X有效
发明人：章乐;李九生 -专利权人：中国计量大学
申请日： 2016-12-15 - 公布日： 2019-01-25 - 主分类号： G02B6/126 文献下载
摘要：本发明公开了一种硅阵列结构的太赫兹波偏振分束器。它包括包括基底层、中央矩形硅波导、左一长矩形硅波导、左二长矩形硅波导、左三长矩形硅波导、中一短矩形硅波导、中二短矩形硅波导、中三短矩形硅波导、下一长矩形硅波导、下二长矩形硅波导、右一长矩形硅波导、倒L形硅波导、右二长矩形硅波导、L形硅波导、信号输入端、第一信号输出端、第二信号输出端，信号从信号输入端输入，第一信号输出端输出TE波，第二信号输出端输出TM波，获得偏振分束性能。本发明具有结构简单、分束率高，尺寸小，成本低、易于集成等优点。
阵列结构赫兹偏振分束器

[实用新型]用于激光器与单模硅波导间的耦合结构-CN202120650362.0有效
发明人：宋若谷;蔡艳;汪巍;余明斌 -专利权人：上海新微技术研发中心有限公司
申请日： 2021-03-30 - 公布日： 2021-11-23 - 主分类号： G02B6/42 文献下载
摘要：本实用新型提供一种用于激光器与单模硅波导间的耦合结构，耦合结构包括：直波导；锥形波导，锥形波导的输入端连接于直波导；单模硅波导，连接于锥形波导的输出端；直波导与锥形波导包括交替层叠的二氧化硅层及氮化硅层，交替层叠的次数为2次以上，单模硅波导包括插入至锥形波导中的第一硅波导段以及凸出于锥形波导的第二硅波导段，第一硅波导段被锥形波导最下层的二氧化硅层包裹。本实用新型可以用于实现大尺寸差下激光器/波导与波导间的光耦合，具有耦合效率高，传输损耗小，结构简单，便于加工等优点，在硅光集成领域存在诸多潜在的应用。
用于激光器单模波导耦合结构

[发明专利]硅波导端面耦合结构及其制作方法-CN202010484964.3有效
发明人：张巍;顿鹏翔;黄翊东;冯雪;刘仿;崔开宇 -专利权人：清华大学
申请日： 2020-06-01 - 公布日： 2021-06-15 - 主分类号： G02B6/122 文献下载
摘要：本发明涉及光子集成器件技术领域，公开了硅波导端面耦合结构及其制作方法。该结构包括由下至上依次叠放的衬底硅、氧化层、硅波导和氮化硅层，氮化硅层的端部构造为脊形结构以形成脊形氮化硅波导，脊形氮化硅波导用于与普通单模光纤端面耦合。该方法包括：利用绝缘体上硅衬底中位于衬底硅上表面氧化层之上的薄膜硅层制备硅波导；在硅波导与光纤耦合的一端制备成宽度逐渐收窄的尖锥结构以形成硅波导尖锥结构；在硅波导与氧化层上方沉积一层氮化硅层；通过对氮化硅层进行浅刻蚀制备出脊形结构以形成脊形氮化硅波导本发明的脊形氮化硅波导变换模场可以与普通单模光纤匹配，适合硅光子芯片封装过程中硅波导与普通单模光纤的低损耗耦合。
波导端面耦合结构及其制作方法

[发明专利]用于激光器与单模硅波导间的耦合结构及其制作方法-CN202110342095.5在审
发明人：宋若谷;蔡艳;汪巍;余明斌 -专利权人：上海新微技术研发中心有限公司
申请日： 2021-03-30 - 公布日： 2022-10-04 - 主分类号： G02B6/42 文献下载
摘要：本发明提供一种用于大尺寸发光端面激光器与单模硅波导间的耦合结构及其制作方法，耦合结构包括：直波导；锥形波导，锥形波导的输入端连接于直波导；单模硅波导，连接于锥形波导的输出端；直波导与锥形波导包括交替层叠的二氧化硅层及氮化硅层，交替层叠的次数为2次以上，单模硅波导包括插入至锥形波导中的第一硅波导段以及凸出于锥形波导的第二硅波导段，第一硅波导段被锥形波导最下层的二氧化硅层包裹。本发明可以用于实现大尺寸差下激光器/波导与波导间的光耦合，具有耦合效率高，传输损耗小，结构简单，便于加工等优点，在硅光集成领域存在诸多潜在的应用。
用于激光器单模波导耦合结构及其制作方法

[发明专利]一种基于硅波导的模斑转换器-CN202310261344.7在审
发明人：杨瑾;于文琦;李少波;梁晓东;马向;齐合飞;刘博缘;何剑涛 -专利权人：中国电子科技集团公司第五十四研究所
申请日： 2023-03-17 - 公布日： 2023-05-12 - 主分类号： G02B6/14 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于硅波导的模斑转换器，属于硅基光子芯片技术领域；其包括氧化物包层、衬底和硅波导结构，其中硅波导结构在二氧化硅包层内并采用三叉戟的结构。三叉戟结构硅波导的输入端为单个波导，与输入光波导连接，输出端为双波导，与光纤对接在一起，模斑转换器输出端通过采用这种三叉戟的结构可以提高波导与光纤之间的耦合效率。三叉戟硅波导的传输部分采用锥形的结构，通过硅波导宽度的逐渐缩小，波导对于光的限制作用减弱，当波导宽度缩小到一定程度时，光无法被限制在波导中，就会从波导中溢出，光斑尺寸随之增加，实现波导与光纤之间两种模斑的高效耦合
一种基于波导转换器

[实用新型]一种基于硅波导的模斑转换器-CN202320525679.0有效
发明人：杨瑾;于文琦;李少波;梁晓东;马向;齐合飞;刘博缘;何剑涛 -专利权人：中国电子科技集团公司第五十四研究所
申请日： 2023-03-17 - 公布日： 2023-08-29 - 主分类号： G02B6/14 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种基于硅波导的模斑转换器，属于硅基光子芯片技术领域；其包括氧化物包层、衬底和硅波导结构，其中硅波导结构在二氧化硅包层内并采用三叉戟的结构。三叉戟结构硅波导的输入端为单个波导，与输入光波导连接，输出端为双波导，与光纤对接在一起，模斑转换器输出端通过采用这种三叉戟的结构可以提高波导与光纤之间的耦合效率。三叉戟硅波导的传输部分采用锥形的结构，通过硅波导宽度的逐渐缩小，波导对于光的限制作用减弱，当波导宽度缩小到一定程度时，光无法被限制在波导中，就会从波导中溢出，光斑尺寸随之增加，实现波导与光纤之间两种模斑的高效耦合
一种基于波导转换器

[发明专利]一种基于硅锗混合波导的温度传感器及硅光芯片-CN202210662270.3在审
发明人：郑宇;黄颖 -专利权人：武汉科宇智联信息技术有限公司
申请日： 2022-06-13 - 公布日： 2022-09-23 - 主分类号： G01K11/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种基于硅锗混合波导的温度传感器及硅光芯片，温度传感器的核心传感结构包括对称的两个光传输支路：第一传感硅波导和第二传感硅波导；第一传感硅波导或第二传感硅波导上集成有传感锗波导；输入温度传感器的光源信号经过分光后，分别经过第一传感硅波导和第二传感硅波导后输出；尺寸小、成本低、结构简单，实现了硅光芯片核心温度监控。
一种基于混合波导温度传感器芯片

[发明专利]多波长硅基混合集成slot激光器阵列及其制备方法-CN201710243196.0在审
发明人：戴兴;李梦珂;李雅博;周旭亮;于红艳;潘教青 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2017-04-13 - 公布日： 2017-06-23 - 主分类号： H01S5/40 文献下载
摘要：一种多波长硅基混合集成slot激光器阵列及其制备方法，多波长硅基混合集成slot激光器阵列包括硅基波导结构及键合在所述硅基波导结构上的多模半导体增益激光器阵列，其中，所述硅基波导结构包括硅基衬底以及设置在所述硅基衬底上的n条波导通道，每一波导通道包括顺序设置的硅波导部分、taper部分以及slot部分，所述各波导通道的slot部分的宽度均不同，其中n≥2，n为正整数。
波长混合集成 slot 激光器阵列及其制备方法

[发明专利]基于插指型MOS结构的硅基电光调谐波导结构-CN201610031805.1在审
发明人：肖希;李淼峰;王磊;杨奇;余少华 -专利权人：武汉邮电科学研究院
申请日： 2016-01-18 - 公布日： 2016-06-01 - 主分类号： G02B6/12 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于插指型MOS结构的硅基电光调谐波导结构，涉及光通信领域中的硅基电光可调波导器件。该结构包括由下至上设置的单晶硅材质的硅衬底、填埋二氧化硅层和单晶硅材质的外延硅层；外延硅层上设置有基于插指型MOS结构的硅基电光调谐波导，该波导包括硅波导下半层、栅氧层和硅波导上半层；硅波导下半层包括下波导区、下平板区和下欧姆接触区；第二电极位于下欧姆接触区上，栅氧层位于下波导区的外表面；硅波导上半层包括上波导区、上平板区和上欧姆接触区；第一电极位于上欧姆接触区上。本发明能够将光场充分与载流子积累区交叠，大幅度提高调谐效率，有利于实现更紧凑、更高效的硅基电光调谐器件。
基于插指型 mos 结构电光调谐波导

[发明专利]一种温度不敏感硅基阵列波导光栅结构波分复用器-CN202011083875.4在审
发明人：陈宏志 -专利权人：上海航天科工电器研究院有限公司
申请日： 2020-10-12 - 公布日： 2021-01-01 - 主分类号： G02B6/12 文献下载
摘要：一种温度不敏感硅基阵列波导光栅结构波分复用器，包括一阵列硅波导区，所述阵列硅波导区两端分别耦合连接有第一自由传输区和第二自由传输区，所述第一自由传输区的输入端耦合连接有一输入硅波导，所述第二自由传输区的输出端并列耦合连接有九个相互平行的输出硅波导，所述输入硅波导与所述输出硅波导均采用正负热光系数相抵消的温度不敏感结构。本发明采用了无源解决方案，通过正负热光系数相抵消的温度不敏感结构，实现了硅基波导温度不敏感特性，使得硅基阵列波导光栅结构波分复用器进一步地拓展应用。
一种温度敏感阵列波导光栅结构波分复用器

[发明专利]硅和铌酸锂混合集成光调制器及其制备方法-CN201810467755.0有效
发明人：蔡鑫伦;何名博;徐梦玥 -专利权人：中山大学
申请日： 2018-05-16 - 公布日： 2020-11-03 - 主分类号： G02F1/03 文献下载
摘要：本发明涉及一种硅和铌酸锂混合集成光调制器，包括绝缘体上硅基光波导结构、光学分束结构、硅楔形波导光学模式转换结构、键合介质层、铌酸锂波导、信号金属电极和接地金属电极，其中绝缘体上硅基光波导结构与光学分束结构的输入端连接，光学分束结构的两个输出端分别通过硅楔形波导光学模式转换结构与铌酸锂波导连接；所述信号金属电极设置在铌酸锂波导结构相对的一侧；接地金属电极设置在铌酸锂波导结构相背的一侧；所述混合集成光调制器是一种双层结构：硅基光波导结构、光学分束结构、硅楔形波导光学模式转换结构设置在键合介质层内，铌酸锂波导、信号金属电极和接地金属电极设置在键合介质层上方。
铌酸锂混合集成调制器及其制备方法

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