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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

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B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]阵列基板的制作方法、阵列基板及显示面板-CN202110391323.8有效
发明人：陈阳;张合静;许哲豪;袁海江 -专利权人：北海惠科光电技术有限公司;惠科股份有限公司
申请日： 2021-04-12 - 公布日： 2023-04-25 - 主分类号： H01L21/77 文献下载
摘要：本发明公开了一种阵列基板的制作方法、阵列基板及显示面板，所述阵列基板的制作方法包括：提供一基板；在基板上依次形成第一金属层、栅极绝缘层和有源层；在所述有源层上依次形成至少两层掺杂非晶硅薄膜，至少两层所述掺杂非晶硅薄膜形成掺杂层；其中，所述掺杂非晶硅薄膜采用等离子体化学气相沉淀法沉积。通过采用等离子体化学气相沉淀法沉积，采用不同沉积功率形成有至少两层掺杂非晶硅薄膜，其中一层掺杂非晶硅薄膜采用低射频功率沉积，其中一层采用高射频功率沉积，形成不同致密性的掺杂非晶硅薄膜，有利于改善膜质，降低沉积第二金属层时对掺杂非晶硅薄膜和有源层的影响
阵列制作方法显示面板

[发明专利]一种硅薄膜锂离子电池负电极及其制备方法-CN201210122893.8无效
发明人：唐阳洋;涂江平;夏新辉;张永起;俞迎霞 -专利权人：浙江大学
申请日： 2012-04-24 - 公布日： 2012-08-15 - 主分类号： H01M4/1395 文献下载
摘要：本发明公开了一种硅薄膜锂离子电池负电极的制备方法，包括：将基片表面进行清洗，得到清洗后的基片；将清洗后的基片置于含钴离子的电解液中，在基片上电沉积钴薄膜；在沉积有钴薄膜的基片上采用磁控溅射法沉积硅薄膜后得到硅薄膜锂离子电池负电极该方法在基片上先电沉积钴薄膜，再磁控溅射沉积非晶硅薄膜，该制备方法易于实施，操作简便，可操作性强，易于工业化大规模生产。本发明还公开了一种硅薄膜锂离子电池负电极，包括基片、沉积在基片上的钴薄膜以及覆盖在钴薄膜上的硅薄膜，钴薄膜起到了良好的支撑和缓冲以及良好导电性的作用，覆盖在其表面的硅薄膜凹凸的表面对体积变化也起到了良好的缓冲作用
一种薄膜锂离子电池电极及其制备方法

[发明专利]钝化接触电池的制备方法-CN202010678383.3在审
发明人：张胜军;张梦葛;沈梦超;绪欣;吴智涵;黄海冰 -专利权人：常州时创能源股份有限公司
申请日： 2020-07-15 - 公布日： 2020-10-16 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种钝化接触电池的制备方法，先在硅片背面PECVD沉积掺杂非晶硅层，再去除硅片正面和侧边的非晶硅绕镀，再对硅片进行退火，使硅片背面沉积的掺杂非晶硅层晶化为掺杂多晶层。本发明可解决由PECVD在线沉积掺杂非晶硅产生的非晶硅绕镀问题，且本发明无需通过沉积掩膜层来阻挡非晶硅绕镀，本发明主要通过链式刻蚀机碱洗的方法，并在添加剂的协助下，使碱对非晶硅绕镀进行快速腐蚀，而对BSG层的腐蚀量极低，实现在对发射极几乎无损害的前提下快速去除非晶硅绕镀，从而大大降低了由于掺杂非晶硅绕镀造成的电池漏电问题。
钝化接触电池制备方法

[发明专利]一种晶体管的制备工艺-CN201410760232.7在审
发明人：王迪 -专利权人：昆山国显光电有限公司
申请日： 2014-12-12 - 公布日： 2015-04-22 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明公开一种晶体管的制备工艺，包括利用激光照射的方式，从基板无膜一侧的进行照射，使非晶硅熔融形成多晶硅的步骤M；还包括于基板上方顺次沉积缓冲层、非晶硅层、绝缘层；对非晶硅层和绝缘层进行光刻以形成硅岛；于硅岛的上方沉积栅金属层；沉积第一层间介电层，并形成接触孔；进行重掺杂；进行后续制程形成源/漏极、第二层间介电层、氧化铟锡阳极和像素限定层等步骤。本发明在非晶硅层上方沉积覆盖层，降低晶化后多晶硅粗糙度。另外，本发明中激光照射的晶化步骤可在非晶硅a-Si沉积完成之后和S/D重掺杂之前的任意步骤中进行，增加了工艺灵活性。
一种晶体管制备工艺

[发明专利]硅化镍纳米线的制备方法-CN200810066522.6有效
发明人：孙海林;姜开利;李群庆;范守善 -专利权人：清华大学;鸿富锦精密工业(深圳)有限公司
申请日： 2008-04-09 - 公布日： 2009-10-14 - 主分类号： C01B33/06 文献下载
摘要：一种硅化镍纳米线的制备方法，其具体包括以下步骤：提供一硅基片，并在该硅基片表面形成一二氧化硅层；在上述硅基片的二氧化硅层表面沉积一钛层；提供一生长装置，且该生长装置具有一反应室，并将上述沉积有钛层的硅基片置入反应室内，并加热至500～1000℃；溅射产生镍团簇，并使该镍团簇沉积到硅基片表面，生长硅化镍纳米线。
硅化镍纳米制备方法

[发明专利]用于形成热稳定有机硅聚合物膜的方法-CN201910678900.4有效
发明人： T·J·V·布兰夸特 -专利权人： ASM IP控股有限公司
申请日： 2019-07-22 - 公布日： 2022-05-10 - 主分类号： C08G77/04 文献下载
摘要：一种用于形成热稳定有机硅聚合物膜的方法，包括：(i)在反应空间中使用含硅前体在衬底上沉积有机硅聚合物，其主链由硅原子构成；以及(ii)以增加Si‑H键的方式在反应空间中不存在前体的情况下将在步骤(i)中沉积的所述有机硅聚合物暴露于氢等离子体，并且减小所述有机硅聚合物中的C‑H键而不沉积有机硅聚合物。
用于形成稳定有机硅聚合物方法

[发明专利]一种硅薄膜太阳能电池的制作方法-CN200810143065.6无效
发明人：万青;易宗凤 -专利权人：湖南大学
申请日： 2008-10-08 - 公布日： 2009-02-11 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种硅薄膜太阳能电池的制作方法，首先将纯度大于99.999％的P型高纯多晶硅粉碎至粒度为5－50微米的高纯多晶硅粉末，然后涂敷于结合有铝电极的衬底上，形成高纯p型硅微米颗粒膜；通过退火工艺使硅微米颗粒和金属导电底电极界面合金化，接着在所述的硅颗粒单层膜上沉积n型硅层，或者依次沉积本征硅层、n型硅层；最后沉积一层透明导电电极层。本发明采用高纯多晶硅源料破碎、涂覆这一独特技术可以在玻璃、塑料、金属薄片等衬底上实现高质量多晶硅薄膜的沉积，用于太阳能电池制作工艺方法简单、生产成本低、光电转换效率高，具有非常广泛的产业化价值。
一种薄膜太阳能电池制作方法

[发明专利]一种碳化硅半导体器件的栅极介质层的制造工艺-CN201510656987.7在审
发明人：苏冠创;黄升晖 -专利权人：南京励盛半导体科技有限公司
申请日： 2015-10-12 - 公布日： 2017-04-19 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明涉及一种碳化硅半导体器件的栅极介质层的制造工艺，包括以下步骤先将碳化硅表面清洗干净，在沉积介质层前，要将碳化硅表面的氧原子去掉，剩下以硅原子为主的表面，用原子层沉积法或分子束外延法在碳化硅的表面沉积一层氮化硅(SiN)，跟着再用原子层沉积法或分子束外延法沉积一层硅，然后用CVD法沉积一层多晶硅或非晶态硅，接着用热氧化法把SiN层之上的硅全部氧化掉，这氧化层与氮化硅层共同组成栅极介质层，在形成氧化层后，可以进行各种高温退火如氢退火
一种碳化硅半导体器件栅极介质制造工艺

[发明专利]硅异质结太阳电池中TCO薄膜和Cu种子层的制备方法-CN202110887924.8在审
发明人：王伟;赵晓霞;宫元波;田宏波;宗军;王雪松;李洋 -专利权人：国家电投集团科学技术研究院有限公司
申请日： 2021-08-03 - 公布日： 2022-01-18 - 主分类号： C23C14/08 文献下载
摘要：本发明公开了一种硅异质结太阳电池中TCO薄膜和Cu种子层的制备方法，包括：a、在PVD设备内对形成有非晶硅薄膜的硅异质结电池正背表面进行TCO1薄膜沉积；b、将所述沉积TCO1薄膜后的硅异质结电池在所述PVD设备内进行铜种子层沉积；c、将所述沉积铜种子层后的硅异质结电池在所述PVD设备内进行TCO2薄膜沉积。本发明的方法通过PVD技术形成TCO1/铜种子层/TCO2结构，并且采用真空退火处理，沉积形成的TCO2薄膜保证了真空退火无论在PVD腔室内或者设备外均可进行，有效改善了TCO薄膜与铜的界面质量，从而提高了电池性能
硅异质结太阳电池 tco 薄膜 cu 种子制备方法

[发明专利]一种纯硅芯低损耗光纤的制造方法-CN201610463104.5有效
发明人：马静;冯高锋;杨军勇;章海峰;陈坚盾 -专利权人：浙江富通光纤技术有限公司;富通集团有限公司;杭州富通通信技术股份有限公司
申请日： 2016-06-21 - 公布日： 2019-01-18 - 主分类号： C03B37/014 文献下载
摘要：本申请公开了一种纯硅芯低损耗光纤的制造方法，包括：对掺氟沉积管的内壁进行蚀刻；在所述掺氟沉积管内沉积二氧化硅并进行玻璃化，形成二氧化硅芯层；将具有所述二氧化硅芯层的所述掺氟沉积管熔缩为实心的芯棒，其中，所述掺氟沉积管形成内包层；在所述芯棒的外部沉积二氧化硅，形成外包层，制成纯硅芯光纤预制棒；将所述纯硅芯光纤预制棒进行拉丝，制成纯硅芯低损耗光纤。本发明提供的上述纯硅芯低损耗光纤的制造方法，能够避免氟元素扩散进入芯层和芯层的OH^‑含量超标，保证拉丝光纤的性能。
一种纯硅芯低损耗光纤制造方法

[发明专利]形成具有粗糙表面的多晶硅的方法-CN200410054227.0无效
发明人：江瑞星;梁世岳 -专利权人：上海宏力半导体制造有限公司
申请日： 2004-09-02 - 公布日： 2006-03-08 - 主分类号： H01L21/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种形成具有粗糙表面的多晶硅的方法，它利用化学气相沉积法沉积一个多晶硅层，然后利用刻蚀液对多晶硅表面进行侵蚀，使多晶硅表面产生更大的表面积，或者在化学气相沉积多晶硅层时，同时通入一种含有氧分子的气体，来使多晶硅晶粒表面形成硅氧化物，再利用对该硅氧化物与硅具有高选择比的刻蚀液，对多晶硅表面进行一次刻蚀工艺，以获得一个具有较大表面积的多晶硅。
形成具有粗糙表面多晶方法

[发明专利]一种高吸收、宽光谱黑硅复合材料及其制备方法-CN202210325722.9在审
发明人：米冠宇;吕坚;阙隆成;周云;黄建;刘钟远;谭成 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2022-03-30 - 公布日： 2022-07-01 - 主分类号： C23C14/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种高吸收、宽光谱黑硅复合材料及其制备方法。包括对硅衬底进行黑硅化处理，得到黑硅，所述黑硅表面具有尖锥阵列；向黑硅表面溅射沉积TiN纳米颗粒。本发明利用“黑硅化”在传统硅表面形成均匀、大面积尖锥状黑硅结构；再利用“黑硅表面沉积TiN纳米颗粒”，使得黑硅表面微结构更加复杂，增加了光在黑硅尖锥间的反射次数，材料吸收率获得提升；同时通过磁控溅射，在尖锥状黑硅表面沉积
一种吸收光谱复合材料及其制备方法

[发明专利]形成具有低电阻的钨多金属栅极的方法-CN200710096752.2无效
发明人：金秀贤;郭鲁正;金栢满;李荣镇;黄善佑;林宽容 -专利权人：海力士半导体有限公司
申请日： 2007-04-06 - 公布日： 2008-04-02 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：本发明公开了一种形成钨多金属栅极的方法，包括步骤：依次在半导体衬底上形成栅极绝缘层和多晶硅层；在该多晶硅层上沉积阻挡层；通过原子层沉积工艺在该阻挡层上沉积钨成核层；通过化学气相沉积工艺在该钨成核层上沉积钨层；在该钨层上沉积硬掩模层；以及蚀刻该硬掩模层、钨层、钨成核层、阻挡层、多晶硅层和栅极绝缘层。
形成具有电阻金属栅极方法

[发明专利]一种深硅刻蚀方法-CN201510646129.4有效
发明人：李成强 -专利权人：北京北方华创微电子装备有限公司
申请日： 2015-10-08 - 公布日： 2019-05-31 - 主分类号： B81C1/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种深硅刻蚀方法，涉及半导体技术领域，能够改善侧壁的形貌。该深硅刻蚀方法包括深硅刻蚀初始阶段，所述深硅刻蚀初始阶段包括交替进行的多个第一沉积步骤和多个第一刻蚀步骤，多个所述第一沉积步骤的沉积时间呈递减趋势，多个所述第一刻蚀步骤的刻蚀时间呈递增趋势。本发明用于进行深硅刻蚀。
一种刻蚀方法

[发明专利]一种非晶硅薄膜太阳能电池及制备方法-CN200910237865.9有效
发明人：白志民 -专利权人：北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司
申请日： 2009-11-12 - 公布日： 2011-05-18 - 主分类号： H01L31/042 文献下载
摘要：本发明公开了一种非晶硅薄膜太阳能电池及制备方法，涉及太阳能开发技术领域，为提高光电转换效率而发明。所述非晶硅薄膜太阳能电池包括玻璃基板，在玻璃基板上设有至少一个立体电池单元；其中立体电池单元包括：沉积在玻璃基板上、且设为立体凸起状的透明导电膜，以及在透明导电膜上依次沉积的非晶硅层及金属背电极。所述非晶硅薄膜太阳能电池的制备方法，包括：在玻璃基板上沉积透明导电膜；通过光刻和刻蚀，使透明导电膜形成立体凸起状；在立体凸起状的透明导电膜上沉积非晶硅层；在非晶硅层上沉积金属背电极。
一种非晶硅薄膜太阳能电池制备方法

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