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[发明专利]用于电子器件的化合物-CN201780067963.5在审
发明人：特雷莎·穆希卡-费尔瑙德;雷米·安米安;姜贤熙;郑日;金俊昊 -专利权人：默克专利有限公司
申请日： 2017-11-06 - 公布日： 2019-08-02 - 主分类号： C07F7/08 文献下载
摘要：本申请涉及根据特定式的硅杂芴衍生物。所述硅杂芴衍生物可用于电子器件中。此外，本申请涉及所述硅杂芴衍生物的制备方法，以及包含所述硅杂芴衍生物的电子器件。
硅杂芴电子器件可用制备申请

[发明专利]杂芳族化合物-CN201880081173.7在审
发明人：特雷莎·穆希卡-费尔瑙德;雷米·马努克·安米安;玛加丽塔·武赫雷尔-普利特克尔;郑日;赵明纪;金俊昊 -专利权人：默克专利有限公司
申请日： 2018-12-17 - 公布日： 2020-07-31 - 主分类号： C07F7/08 文献下载
摘要：本申请涉及根据特定式的硅杂芴衍生物。所述硅杂芴衍生物可用于电子器件中。此外，本申请涉及用于制备所述硅杂芴衍生物的方法和包含所述硅杂芴衍生物的电子器件。
杂芳族化合物

[发明专利]一种硅杂螺芴衍生物及其应用-CN201510475155.5在审
发明人：鄢亮亮;杨红领 -专利权人：上海和辉光电有限公司
申请日： 2015-08-06 - 公布日： 2017-02-22 - 主分类号： C07F7/10 文献下载
摘要：本发明公开了一种硅杂螺芴衍生物，其特征在于其结构为如下通式(I)所示。本发明的硅杂螺芴衍生物可用于制备电子发光器件，制备的电子发光器件效率高，热稳定性好，寿命长。
一种硅杂螺芴衍生物及其应用

[发明专利]有机化合物、电子器件及电子装置-CN201911320582.0在审
发明人：李健;沙荀姗;喻超 -专利权人：陕西莱特光电材料股份有限公司
申请日： 2019-12-19 - 公布日： 2020-04-14 - 主分类号： C07D319/14 文献下载
摘要：本申请的有机化合物，主体是包含芴或硅芴的稠合杂芳环基，在立体空间中展现为大平面结构，通过在芴或硅芴基的9号位引入富电子的芳胺或杂芳胺取代基，使得化合物的空穴传输性能表现优异。
有机化合物电子器件电子装置

[发明专利]有机化合物、电子器件及电子装置-CN202010270448.0有效
发明人：李健;沙荀姗;喻超 -专利权人：陕西莱特光电材料股份有限公司
申请日： 2020-04-08 - 公布日： 2020-12-04 - 主分类号： C07D319/14 文献下载
摘要：本申请的有机化合物，主体是包含芴或硅芴的稠合杂芳环基，在立体空间中展现为大平面结构，通过在芴或硅芴基的9号位引入富电子的芳胺或杂芳胺取代基，使得化合物的空穴传输性能表现优异。
有机化合物电子器件电子装置

[发明专利]含四苯基硅和螺[芴-氧杂蒽]单元的蓝光主体材料及其制备方法和应用-CN201310554078.3在审
发明人：周明杰;张振华;王平;钟铁涛 -专利权人：海洋王照明科技股份有限公司;深圳市海洋王照明技术有限公司;深圳市海洋王照明工程有限公司
申请日： 2013-11-08 - 公布日： 2015-05-20 - 主分类号： C08G61/12 文献下载
摘要：本发明属于有机电致发光材料领域，其公开了一种含四苯基硅和螺[芴-氧杂蒽]单元的蓝光主体材料及其制备方法和应用；该材料的结构式如下：苯基氧杂蒽单元主体材料及其制备方法应用

[发明专利]具有螺氮杂芴类化合物的发光材料及使用其的发光器件-CN201910788739.6在审
发明人：王彦杰 -专利权人：武汉华星光电半导体显示技术有限公司
申请日： 2019-08-26 - 公布日： 2019-12-13 - 主分类号： C07D471/22 文献下载
摘要：一种具有螺氮杂芴类化合物的发光材料，包括：一电子传输材料以及一主体材料，所述发光材料为基于螺氮杂芴类或螺氮杂硅芴类的化合物，连接吸电子单元，从而得到电子传输材料；或连接给体单元，从而得到双极主体材料，因此具有优异的电子传输特性
发光材料电子传输材料氮杂芴类主体材料电子传输特性吸电子单元发光器件给体单元硅芴双极

[发明专利]含硅芴共轭聚合物及其制备方法和应用-CN200710028956.2有效
发明人：曹镛;王二刚;王藜 -专利权人：华南理工大学
申请日： 2007-07-02 - 公布日： 2008-03-26 - 主分类号： C08G61/12 文献下载
摘要：本发明涉及含硅芴共聚物的制备及其应用，所述共聚物由单体2，7－硅芴和窄带隙单体共聚物组成，共聚物的吸收光谱吸收边大于500纳米。其制备方法是将2，7－硅芴单体与含氮和/或硫杂原子的窄带隙单体进行共聚，将其吸收带边推向红光及近红外区。本发明提供的含硅芴聚合物可用于制备聚合物太阳能电池，场效应管等领域。
含硅芴共轭聚合物及其制备方法应用

[发明专利]一种经C-H芳基化环化反应的5,5-螺硅芴的合成方法-CN202111341630.1在审
发明人：杨修光;裴晓东;骆艳华;吴忠凯;朱叶峰;申保金;张玲;张倩倩 -专利权人：中钢集团南京新材料研究院有限公司
申请日： 2021-11-12 - 公布日： 2022-01-21 - 主分类号： C07F7/08 文献下载
摘要：本发明公开了一种5,5‑螺硅芴的合成方法，包括：以2‑(三甲基硅)苯基三氟甲烷磺酸盐、二苯基二羟基硅烷为起始原料，在溶剂存在下，在催化剂、配体和碱的作用下，经C‑H芳基化环化反应，一锅法合成5,5‑螺硅芴本发明的合成方法中采用的配体为芳基膦类衍生物，可以与铑盐生成环铑中间体，有效增加了催化剂反应效率，实现反应的连续快速进行，反应条件温和，通过一锅两步偶联环化方式，历经C‑H芳基化环化过程，构建含两个五元硅杂环的螺硅芴结构，缩短了反应步骤，避免使用价格昂贵的2‑溴联苯或2,2’‑二溴联苯为反应原料，为5,5‑螺硅芴提供了一种新的合成路线。
一种芳基化环化反应螺硅芴合成方法

[发明专利]一种硅杂芴的单体材料及制备方法-CN200510023644.3无效
发明人：徐良衡;姚红兵;高芸 -专利权人：徐良衡
申请日： 2005-01-27 - 公布日： 2005-10-12 - 主分类号： C07F7/08 文献下载
摘要：本发明属电场发光材料技术领域，具体为一种电场发光的硅杂芴单体材料及其制备方法。该材料以2，2′－二卤代联苯为原料，经与正丁基锂、四氯硅烷、活泼金属等一系列反应而制备获得。其化合物名称为2，7－二溴－9，9－双取代基－9－硅杂芴。
一种硅杂芴单体材料制备方法

[发明专利]一种POSS杂化共轭聚合物的制备方法-CN201910662067.4有效
发明人：林美娟;星光;凌启淡 -专利权人：福建师范大学
申请日： 2019-07-22 - 公布日： 2021-08-24 - 主分类号： C08G61/02 文献下载
摘要：本发明是涉及一种POSS杂化共轭聚合物的制备方法。本发明是通过2‑(4‑溴苯基)‑苯并咪唑和2‑苯基苯并噻唑制备铱配合物，通过三硅醇苯基POSS制备3,6‑二溴咔唑苯基POSS，再将铱配合物、3,6‑二溴咔唑苯基POSS、2,7‑二溴‑9,9‑二辛基芴与9,9‑二辛基‑2,7‑二频哪醇硼酸酯芴在四三苯基膦钯催化剂作用下通过Suzuki缩聚反应得到POSS杂化共轭聚合物。将聚芴主体单元、铱配合物客体单元与纳米POSS键合结合起来，获得高效、稳定的发光共轭聚合物杂化材料，可用于光致发光、电致发光、信息存储、传感器等领域。
一种 poss 共轭聚合物制备方法

[发明专利]一种聚芴-钙钛矿纳米杂化材料及其制备方法-CN201910498951.9在审
发明人：赖文勇;刘昌键;杜斌;牛坚;李祥春;黄维 -专利权人：南京邮电大学
申请日： 2019-06-11 - 公布日： 2019-09-06 - 主分类号： C09K11/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种聚芴‑钙钛矿纳米杂化材料及其制备方法。该聚芴‑钙钛矿纳米杂化材料中含有聚芴的β构象；其制备方法包括如下步骤：步骤1：将钙钛矿纳米颗粒按照不同比例加入聚芴的有机溶液中并充分搅拌混合；步骤2：用该溶液制备薄膜并将溶剂蒸干，最终得到聚芴‑钙钛矿纳米杂化材料本发明实现的聚芴‑钙钛矿纳米杂化材料制备过程简单、可控，制备的聚芴‑钙钛矿纳米杂化材料薄膜中含有聚芴的β构象，增加了聚芴的有效共轭长度和有序性，薄膜的载流子传输效率得到提高，在光电器件领域有着重要的应用潜力
聚芴钙钛矿纳米杂化材料制备薄膜构象载流子传输效率光电器件领域纳米颗粒溶液制备应用潜力有机溶液制备过程溶剂共轭可控蒸干

[发明专利]一种羧酸型聚芴/二氧化钛纳米杂化材料的制备方法-CN201510391619.4有效
发明人：李坚;徐延明;杨凯祥;任强;汪称意 -专利权人：常州大学
申请日： 2015-07-06 - 公布日： 2017-07-14 - 主分类号： C08L65/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种羧酸型聚芴/二氧化钛纳米杂化材料的制备方法，包括步骤合成含羧基的二溴芴单体、合成羧酸型聚芴、采用溶胶‑凝胶法制备羧酸型聚芴/TiO2纳米杂化材料。本发明的有益效果是本发明合成了一种阴离子型聚芴，并采用溶胶‑凝胶法制备了羧酸型聚芴/二氧化钛纳米杂化材料；此法简单、反应条件温和，且两相混合接近分子水平，有利于杂化材料形成均相体系；所制备的羧酸型聚芴/二氧化钛纳米杂化材料可观察到明显的荧光猝灭现象，聚芴与二氧化钛粒子界面存在电荷的分离和传输过程，且成膜性较好，因此该杂化材料在光电领域有着潜在的应用。
一种羧酸型聚芴氧化纳米材料制备方法

[发明专利]一种地西他滨的合成与工业化生产方法-CN201110162020.5有效
发明人：邹国勇;李巍;郭柯馨;陈婧 -专利权人：江苏豪森医药集团连云港宏创医药有限公司
申请日： 2011-06-16 - 公布日： 2012-12-19 - 主分类号： C07H19/12 文献下载
摘要：本发明涉及一种地西他滨的合成与工业化生产方法，即以2-脱氧-D-核糖为原料，与甲醇反应得到甲苷，3，5-二羟基用9-芴甲氧羰基保护，然后与氯化氢反应得到1-氯芴糖，1-氯芴糖再与硅烷化的5-氮杂胞嘧啶反应本发明的特点是1-氯芴糖与硅烷化的5-氮杂胞嘧啶缩合反应中不需要四氯化锡，避免原料药中重金属超标的问题；同时控制三氟甲磺酸三甲基硅酯的量和反应条件，使产物中β体含量增加。
种地合成工业化生产方法

[发明专利]2，4-二氮杂芴衍生物和电子器件-CN202111584936.X在审
发明人：袁晓冬;张业欣;陈华 -专利权人：维思普新材料（苏州）有限公司
申请日： 2021-12-22 - 公布日： 2022-04-29 - 主分类号： C07D401/14 文献下载
摘要：本发明涉及2，4‑二氮杂芴衍生物和电子器件。本发明的2，4‑二氮杂芴衍生物通过引入2，4‑二氮杂芴衍生物结构，得到的2，4‑二氮杂芴衍生物具有良好的成膜性和热稳定性，可用于制备有机电致发光器件。本发明的2，4‑二氮杂芴衍生物可以作为发光层、空穴阻挡层或电子传输层的构成材料，能够降低驱动电压，提高效率、亮度和寿命等。
二氮杂芴衍生物电子器件

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