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[发明专利]一种砷化镓团簇及其制备方法和应用-CN202310350439.6在审
发明人：田阳;于昊松;杨斌;黄迎红;徐宝强;季登会;蒋文龙;刘新阳;李一夫;孔令鑫;梁栋;王立鹏;马廷壮 -专利权人：昆明理工大学;云南锡业研究院有限公司
申请日： 2023-04-03 - 公布日： 2023-07-14 - 主分类号： C01G28/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种砷化镓团簇及其制备方法和应用，属于半导体领域。本发明提供的砷化镓团簇的制备方法，包括以下步骤：将砷化镓颗粒进行加热分解，得到所述砷化镓团簇。在砷化镓颗粒受热分解的过程中，一部分砷原子和镓原子没有分开而是团聚在一起形成了团簇。同时本发明的制备方法的操作流程短、环境友好。实施例结果表明，本发明成功制备得到了砷化镓团簇。
一种砷化镓团簇及其制备方法应用

[发明专利]一种回收砷和镓的装置及方法-CN202211079263.7在审
发明人：田阳;于昊松;杨斌;陈秀敏;徐宝强;蒋文龙;李一夫;王飞;邓勇;王立鹏;梁栋;王东 -专利权人：昆明理工大学
申请日： 2022-09-05 - 公布日： 2022-12-09 - 主分类号： F27B14/04 文献下载
摘要：本发明属于冶金行业的二次资源回收技术领域，具体涉及一种回收砷和镓的装置及方法。其中，一种回收砷和镓的装置所述封闭的炉体与抽真空管连通，所述抽真空管连接所述抽真空机构；所述封闭的炉体包括第一炉体、第二炉体和第三炉体；所述第一炉体内设置有第一加热机构和石墨坩埚，所述第一加热机构用于加热石墨坩埚本发明的一种回收砷和镓的装置设置具有实现砷化镓团簇和砷蒸气分别定向冷凝的结构，实现砷和镓的高纯度回收。
一种回收装置方法

[发明专利]一种砷化镓多晶合成及单晶衬底拋光方法-CN202211592323.5在审
发明人：何建军;沈丹丹;张浩鹏 -专利权人：江苏秦烯新材料有限公司
申请日： 2022-12-13 - 公布日： 2023-03-07 - 主分类号： C30B28/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种砷化镓多晶合成及单晶衬底拋光方法，涉及拋光方法领域。该砷化镓多晶合成及单晶衬底拋光方法，包括炉体，所述炉体的内部设置有氮化硼坩埚，所述炉体的上端转动连接有密封保温盖，所述氮化硼坩埚的下端设置有加热器，所述炉体的左侧设置有真空泵，所述炉体的右侧设置有输气泵本发明在无液封砷化镓多晶合成基础上，又经过了垂直布里奇曼法定向结晶，合成的圆柱形GaAs多晶不存在镓团和砷团。采用本发明的方法合成的GaAs多晶化学计量比达到了水平布里奇曼法的水平，由于没有使用石英安培瓶，避免了Si杂质的沾污，因此合成的GaAs多晶既可用于半绝缘GaAs单晶的生长，又可用于低阻掺杂砷化镓单晶生长
一种砷化镓多晶合成衬底方法

[发明专利]本征砷化镓波导结构的太赫兹波单偏振输出器-CN201710891577.X有效
发明人：李九生;孙建忠 -专利权人：中国计量大学
申请日： 2017-09-27 - 公布日： 2020-03-27 - 主分类号： G02B6/126 文献下载
摘要：本发明公开了一种本征砷化镓波导结构的太赫兹波单偏振输出器。它包括砷化镓层、砷化镓输入波导、砷化镓第一锥形波导、砷化镓多模干涉波导、砷化镓第二锥形波导、砷化镓定向耦合波导、砷化镓第三锥形波导、砷化镓第一弧形波导、砷化镓第二弧形波导、砷化镓第三弧形波导、砷化镓第一输出波导、砷化镓第二输出波导，当输入TE偏振模式的太赫兹波时，太赫兹波直接从砷化镓第二输出波导输出，没有发生偏振模式转换，当输入TM偏振模式的太赫兹波时，太赫兹波经过砷化镓多模干涉波导转换为TE偏振模式，经砷化镓定向耦合波导耦合从砷化镓第一输出波导输出
征砷化镓波导结构赫兹偏振输出

[发明专利]1.3微米高密度量子点结构及其制备方法-CN200410009992.0无效
发明人：牛智川;方志丹;倪海桥;韩勤;龚政;张石勇;佟存柱;彭红玲;吴东海;赵欢;吴荣汉 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2004-12-09 - 公布日： 2006-06-14 - 主分类号： C09K11/74 文献下载
摘要：一种1.3微米高密度量子点结构，其特征在于，包括：一砷化镓过渡层；一第一砷化镓势垒层，该第一砷化镓势垒层制作在砷化镓过渡层上；一砷化铟自组织量子点，该砷化铟自组织量子点制作在第一砷化镓势垒层上；一铟镓砷覆盖层，该铟镓砷覆盖层制作在砷化铟自组织量子点上；一第二砷化镓势垒层，该第二砷化镓势垒层制作在铟镓砷覆盖层上；一砷化镓覆盖层，该砷化镓覆盖层制作在第二砷化镓势垒层上。
1.3 微米高密度量子结构及其制备方法

[发明专利]一种砷化镓多晶无液封合成方法和装置-CN200910000937.8无效
发明人：周春锋;刘晏凤;杨连生 -专利权人：中国电子科技集团公司第四十六研究所;天津晶明电子材料有限责任公司
申请日： 2009-01-23 - 公布日： 2009-08-05 - 主分类号： C30B29/42 文献下载
摘要：本发明公开了一种砷化镓多晶无液封合成方法和装置，该方法在无液封砷化镓多晶合成基础上，又经过了垂直布里奇曼法定向结晶，合成的圆柱形GaAs多晶不存在镓团和砷团，且分布及不均匀，可以直接满足垂直布里奇曼法或者垂直梯度冷凝法
一种砷化镓多晶无液封合成方法装置

[发明专利]具有低暗电流特性的谐振腔增强型光电探测器-CN200910237780.0无效
发明人：孙晓明;郑厚植;章昊 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2009-11-17 - 公布日： 2010-12-15 - 主分类号： H01L31/111 文献下载
摘要：一种具有低暗电流特性的谐振腔增强型光电探测器，包括：一砷化镓衬底；一砷化镓缓冲层生长在砷化镓衬底上；一谐振腔结构生长在砷化镓缓冲层上；一有源区生长在腔体下砷化镓层上，包括交替生长的铟镓砷量子点和砷化镓间隔层；一腔体中砷化镓层生长在有源区上；一势垒结构生长在腔体中砷化镓层上，包括依次生长的下铝镓砷层、砷化铝层、上铝镓砷层以及铝镓砷渐变层，其中下铝镓砷层和上铝镓砷层的组成成份都为Al0.45Ga0.55As，铝镓砷渐变层的组成成份为AlXGa1-XAs，沿着生长方向，X由0.45渐变至0；一腔体上砷化镓层生长在势垒结构上；一上反射镜生长在腔体上砷化镓层上，包括依次生长的上反射镜砷化铝层和上反射镜砷化镓层。
具有电流特性谐振腔增强光电探测器

[发明专利]宽光谱砷化铟/砷化铟镓/砷化镓量子点材料生长方法-CN200610002667.0无效
发明人：刘宁;金鹏;王占国 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2006-01-26 - 公布日： 2007-08-01 - 主分类号： C09K11/62 文献下载
摘要：一种宽光谱砷化铟/砷化铟镓/砷化镓量子点材料生长方法，包括如下步骤：在衬底上制备砷化镓缓冲层，该缓冲层是下述有源区的下势垒层；在砷化镓缓冲层上制备有源区，该有源区是该砷化铟/砷化铟镓/砷化镓量子点材料的核心部分，为该材料的光谱发射区；在有源区上制备低温砷化镓盖层，该低温砷化镓盖层为上述有源区的上势垒层；在低温砷化镓盖层上制备高温砷化镓盖层，该高温砷化镓盖层是该砷化铟/砷化铟镓/砷化镓量子点材料的最外一层，具有保护作用
光谱砷化铟砷化铟镓砷化镓量子材料生长方法

[发明专利]具有蓝光性能的吡唑基氧化镓团簇及其制备方法和用途-CN202211232698.0在审
发明人：伍志鲲;马鲁祥;殷保祺 -专利权人：中国科学院合肥物质科学研究院
申请日： 2022-10-10 - 公布日： 2022-12-23 - 主分类号： C07F5/00 文献下载
摘要：本发明属于荧光材料制备技术领域，具体涉及一种具有蓝光性能的吡唑基氧化镓团簇及其制备方法和用途。本发明选择氯化镓、吡唑基配体(吡唑或4‑甲基吡唑)和2‑氟苯甲酸作为反应原料，采用N,N‑二甲基甲酰胺作反应溶剂，采用溶剂热反应合成方法制备目标产物，即吡唑基氧化镓团簇。该吡唑基氧化镓团簇的最大激发波长在359‑361nm，并在433‑436nm的蓝光区域有着较强发射，产物的绝对量子产率可达15.01％‑17.70％；该吡唑基氧化镓团簇可作为一种新的蓝色荧光发光材料，可用于制作荧光发光器件的发光层和防伪标识等
具有性能吡唑氧化镓团簇及其制备方法用途

[发明专利]负极活性物质及其制造方法-CN201880051730.0有效
发明人：伊藤大辅;须藤业 -专利权人：株式会社村田制作所
申请日： 2018-08-07 - 公布日： 2023-09-26 - 主分类号： H01M4/38 文献下载
摘要：负极活性物质包含：基质，其包含硅、锡及锗中的至少一种的第一元素、铜、硼、磷、铝、镓、砷、锑、锂及钠中的至少一种的第二元素、以及氧，第二元素与氧结合；以及团簇，其分散于基质中，包含至少一种的第一元素。
负极活性物质及其制造方法

[发明专利]一种具有防反射层的砷化镓太阳能电池-CN201710498727.0在审
发明人：黄孝如 -专利权人：海门市绣羽工业设计有限公司
申请日： 2017-06-27 - 公布日： 2019-01-04 - 主分类号： H01L31/0216 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有防反射层的砷化镓太阳能电池，所述砷化镓太阳能电池依次包括：砷化镓衬底；位于砷化镓衬底上的背电场层；位于背电场层上的砷化镓p‑n结，所述砷化镓p‑n结包括层叠设置的n型砷化镓层和p型砷化镓层；位于砷化镓p‑n结上的砷化铝镓窗口层；位于砷化铝镓窗口层上的电极接触层；位于电极接触层上的防反射层；以及，位于电极接触层上的若干电极。
砷化镓砷化镓太阳能电池电极接触层防反射层砷化铝镓背电场窗口层衬底光电转换效率防反射结构太阳能电池层叠设置电极反射

[发明专利]长波长砷化铟/砷化镓量子点材料-CN200610088947.8无效
发明人：刘宁;金鹏;王占国 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2006-07-27 - 公布日： 2008-01-30 - 主分类号： C09K11/74 文献下载
摘要：一种长波长砷化铟/砷化镓量子点材料，其特征在于，所述材料是基于应变自组织的量子点材料，其结构包括：一砷化镓衬底；一砷化镓缓冲层，该砷化镓缓冲层制作在衬底上；一多周期量子点层，该多周期量子点层制作在砷化镓缓冲层上；一砷化镓盖层，该砷化镓盖层制作在多周期量子点层上。
波长砷化铟砷化镓量子材料

[发明专利]一种砷化镓电池散热结构-CN202210776874.0在审
发明人：史博鑫 -专利权人：史博鑫
申请日： 2022-07-04 - 公布日： 2022-09-09 - 主分类号： H01L31/052 文献下载
摘要：本发明涉及一种砷化镓电池散热结构，包括砷化镓芯片、电源正极、电源负极和散热器，所述砷化镓芯片的基面通过焊接层连接第一导体，所述电源负极通过所述第一导体连接所述砷化镓芯片的基面，所述砷化镓芯片通过正极导线连接第二导体本发明的有益效果是：通过改进砷化镓电池的封装结构，提高砷化镓电池自身的导热效率，使砷化镓电池产生的热量高效传导到散热器，防止砷化镓电池发生过热损毁。
一种砷化镓电池散热结构

[发明专利]一种砷化镓电池散热结构-CN202210960137.6在审
发明人：史博鑫 -专利权人：史博鑫
申请日： 2022-08-11 - 公布日： 2022-11-01 - 主分类号： H01L31/052 文献下载
摘要：本发明涉及一种砷化镓电池散热结构，包括砷化镓芯片、电源正极、电源负极和散热器，所述砷化镓芯片的基面通过焊接层连接第一导体，所述电源负极通过所述第一导体连接所述砷化镓芯片的基面，所述砷化镓芯片通过正极导线连接第二导体本发明的有益效果是：通过改进砷化镓电池的封装结构，提高砷化镓电池自身的导热效率，使砷化镓电池产生的热量高效传导到散热器，防止砷化镓电池发生过热损毁。
一种砷化镓电池散热结构

[发明专利]室温环境下激励砷化镓中金属原子扩散的方法-CN201510976237.8在审
发明人：徐万劲;李磊;李艳平;姚利;侯瑞祥;秦国刚 -专利权人：北京大学
申请日： 2015-12-23 - 公布日： 2017-06-30 - 主分类号： H01L21/22 文献下载
摘要：本发明公开了一种激励砷化镓中金属原子扩散的方法，在室温环境下先通过感应耦合等离子体处理或其他方法在砷化镓材料或砷化镓器件表面引入表面缺陷，再对砷化镓材料或砷化镓器件进行一定剂量的伽马射线辐照，激活励砷化镓内的金属杂质扩散该方法简单快捷，而且由于不需高温，不仅可用于改善砷化镓晶片的性能，还可用于改善砷化镓器件的性能。
室温环境激励砷化镓中金属原子扩散方法

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