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[发明专利]存储阵列、存储阵列的制备方法、相变存储器和存储芯片-CN202110730114.1在审
发明人：蓝天;马平 -专利权人：华为技术有限公司
申请日： 2021-06-29 - 公布日： 2022-12-30 - 主分类号： H01L27/24 文献下载
摘要：本申请适用于半导体技术领域，提供了一种存储阵列、存储阵列的制备方法、相变存储器和存储芯片，所述存储阵列包括：衬底材料，以及排布在所述衬底材料上的多个相变存储单元，多个所述相变存储单元中的每个所述相变存储单元均包括相变材料；多个所述相变存储单元中，任意两个相邻相变存储单元的相变材料的高度不同，所述相变材料的高度指所述相变材料与所述衬底材料之间的距离。通过调整相变存储单元中相变材料的高度，使得任意两个相邻的相变存储单元的相变材料之间位于不同的高度，从而可以增加相邻的相变材料之间的距离，进而可以显著降低相邻的两个相变材料之间的热串扰现象，提高各个相变存储单元的抗干扰能力
存储阵列制备方法相变存储器芯片

[发明专利]基于相变材料及金属微膨胀的航天器用双驱空间热开关-CN202010414456.8在审
发明人：章英杰;葛志刚 -专利权人：上海蔚星科技有限公司
申请日： 2020-05-15 - 公布日： 2020-08-18 - 主分类号： G05D23/02 文献下载
摘要：基于相变材料及金属微膨胀的航天器用双驱空间热开关，包括热沉板、相变材料存储壳、相变材料、存储壳盖板、支撑壳；热沉板安装在支撑壳下端，相变材料存储壳上端和支撑壳上端连接，相变材料存储壳上端以下位于支撑壳的内部；相变材料位于相变材料存储壳内；存储壳盖板密封安装在相变材料存储壳上端开口上并密封；相变材料存储壳上端以下外径小于支撑壳的内径；相变材料充满相变材料存储壳内部；热沉板的下端紧贴安装在航天器星载仪器的散热面板内侧端；相变材料存储壳、存储壳盖板紧贴安装在航天器星载仪器内发热器件的外侧热端面。
基于相变材料金属膨胀航天器用空间开关

[发明专利]可用于相变存储的相变材料及调节其相变参数的方法-CN201010619461.9无效
发明人：饶峰;任堃;宋志棠;吴良才 -专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
申请日： 2010-12-31 - 公布日： 2012-07-04 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明揭示了一种可用于相变存储的相变材料及调节其相变参数的方法，所述相变材料为锡、锑、碲三种元素组成的存储材料。所述存储材料中，锡的原子百分比含量为0.1–90％，碲的原子百分比含量为0.1–90％；进一步对相变材料SnxSbTey进行掺杂，掺杂剂量原子百分含量在0-90％之间。所述相变材料在外部能量作用下具有可逆变化；在相变存储中，相变存储器的低阻态对应所述相变材料全部或部分结晶，相变存储器的高阻态对应所述相变材料的非晶态。本发明提出的可用于相变存储的相变材料，具有反复相变的能力。
用于相变存储材料调节参数方法

[发明专利]一种相变存储器及其制作方法-CN201910610965.5在审
发明人：宋志棠;宋三年 -专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
申请日： 2019-07-08 - 公布日： 2019-10-15 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明提供一种相变存储器及其制作方法，该相变存储器包括衬底、多个相变存储器单元及隔离材料层，其中，多个相变存储器单元分立设置于衬底上，自下而上依次包括第一电极材料层、第一过渡材料层、阈值选通管材料层、第二过渡材料层、第二电极材料层、第三过渡材料层、相变材料层、第四过渡材料层及第三电极材料层；隔离材料层位于衬底上，并包围相变存储器单元的侧面，各个相变存储器单元之间通过隔离材料层相互隔离。本发明的相变存储器中，相变材料与OTS材料被隔离材料限制在同一个空间中，过渡材料层位于相变材料与电极材料之间、相变材料与OTS材料之间、OTS材料与电极材料之间，使得相变存储器具有高密度、高速、低功耗和长寿命的特点
过渡材料层相变存储器相变存储器单元材料层隔离材料层相变材料衬底电极材料相变材料层第二电极第三电极第一电极分立设置隔离材料长寿命低功耗选通管制作隔离包围侧面

[发明专利]存储阵列及制备方法、存储芯片、相变存储器和电子设备-CN202211168782.0在审
发明人：谭海波;吴全潭;蓝天;童浩 -专利权人：华为技术有限公司
申请日： 2022-09-24 - 公布日： 2023-03-31 - 主分类号： H10B63/10 文献下载
摘要：本申请适用于半导体技术领域，提供了一种存储阵列及制备方法、存储芯片、相变存储器和电子设备，所述存储阵列包括：衬底层，以及排布在所述衬底层上的多个相变存储单元；每个所述相变存储单元包括：第一电极、多块相变材料和多个第二电极，所述多块相变材料与所述多个第二电极一一对应，每块所述相变材料位于所述第一电极和对应的所述第二电极之间。通过调整每个相变存储单元的结构，在每个相变存储单元中设置多块相变材料，而且每块相变材料与相对应的第二电极相接触，通过各个第二电极即可实现对各块相变材料的控制，每块相变材料可存储1bit数据，相变存储单元即可实现对多bit数据的存储，可以提高存储阵列的存储量。
存储阵列制备方法芯片相变存储器电子设备

[发明专利]一种界面相变存储材料、相变存储器及其制备方法-CN202210551303.7在审
发明人：周夕淋;朱栩旭;宋志棠;宋三年 -专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
申请日： 2022-05-18 - 公布日： 2022-09-02 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种界面相变存储材料、相变存储器及其制备方法。该变存储材料包括范德华结构缓冲层以及过渡金属层与相变材料层交替堆叠组成的超晶格相变存储层。该相变存储器包括底电极层、界面相变存储材料、顶电极层。本发明通过在相变材料中嵌入原子级厚度的过渡金属界面材料的方式改善材料的存储性能。该相变存储器具有快速、低功耗的擦写特性，稳定的多级电阻态以及较好的疲劳特性，有望应用于神经形态器件及高密度存储领域。
一种界面相变存储材料存储器及其制备方法

[发明专利]相变合金材料、相变存储器及相变合金材料的制备方法-CN201910829462.7有效
发明人：徐明;徐萌;缪向水 -专利权人：华中科技大学
申请日： 2019-09-03 - 公布日： 2022-03-08 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明公开了相变合金材料、相变存储器及相变合金材料的制备方法，属于相变存储材料领域，所述相变合金材料为由Cu，Sb元素组成的化学通式为CuxSb100‑x的材料，其通过将Sb作为基体材料，并向基体材料中掺杂Cu后得到；其中，x为原子个数百分比，且0＜x≤40。本发明的相变合金材料，其制备方法简便，制备得到的Cu‑Sb相变合金材料具有良好的高热稳定性和低相变密度变化，可作为稳定的相变存储材料应用于相变存储器中，确保了相变存储器的应用稳定性和数据存储的准确性，并使得相变存储器具有较长的使用寿命，降低了相变存储器的制备成本和应用成本，具有较好的应用前景和推广价值。
相变合金材料存储器制备方法

[发明专利]存储阵列及制备方法、存储芯片、相变存储器和电子设备-CN202211181547.7在审
发明人：吴全潭 -专利权人：华为技术有限公司
申请日： 2022-09-27 - 公布日： 2023-07-11 - 主分类号： H10B63/10 文献下载
摘要：本申请适用于半导体技术领域，提供了一种存储阵列及制备方法、存储芯片、相变存储器和电子设备，存储阵列包括：衬底层，以及排布在衬底层上的多个相变存储单元，每个相变存储单元与至少两条字线相接触；每个相变存储单元包括：第一电极和至少两块相变材料，至少两块相变材料与至少两条字线一一对应，每块相变材料位于第一电极和对应的字线之间，至少两条字线作为相变存储单元的第二电极，通过各条字线对同一相变存储单元中的不同相变材料分别进行控制，且每块相变材料可存储1bit数据，相变存储单元中设置的多块相变材料即可实现对多bit数据的存储，可以提高存储阵列的存储量。
存储阵列制备方法芯片相变存储器电子设备

[发明专利]用于相变存储的相变材料及调节其相变参数的方法-CN201010619500.5有效
发明人：饶峰;任堃;宋志棠;吴良才 -专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
申请日： 2010-12-31 - 公布日： 2012-07-04 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明揭示了一种用于相变存储的相变材料及调节其结晶温度和熔点的方法，所述相变材料为锗、锡、碲三种元素组成的存储材料，或者为硅、锡、碲三种元素组成的存储材料。所述相变材料中，锗/硅的原子百分比含量为0.5–80，所述相变材料中，碲的原子百分比含量为0.5–80。所述相变材料为在外部能量作用下具有可逆变化的材料；在相变存储中，相变存储器的低阻态对应所述相变材料全部或部分结晶，相变存储器的高阻态对应所述相变材料的非晶态。本发明具有高阻和低阻两种不同阻值的状态，且高阻态与低阻态之间可以通过施加脉冲电信号实现可逆转换，满足相变存储器存储材料的基本要求。
用于相变存储材料调节参数方法

[发明专利]一种相变存储单元及其形成方法-CN201110037012.8有效
发明人：任万春;宋志棠;刘波 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2011-02-12 - 公布日： 2012-08-15 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明提供一种相变存储单元，包括相变材料层，还包括位于相变材料层表面的氮化相变材料层。同时还提供一种形成该相变存储单元的方法，包括：提供相变材料层；在所述相变材料层表面形成氮化相变材料层。本发明所提供技术方案可有效降低相变存储单元工作时的热损耗，提高相变存储单元的工作稳定性，工序简单易行，实现成本较低。
一种相变存储单元及其形成方法

[发明专利]相变存储单元、相变存储器及电子设备-CN202110137906.8在审
发明人：陈鑫 -专利权人：华为技术有限公司
申请日： 2021-02-01 - 公布日： 2022-08-02 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本申请公开了相变存储单元、相变存储器及电子设备，属于半导体存储技术领域。该相变存储单元包括相变薄膜；相变薄膜包括多层相变材料层和多层导电隔绝层，相变材料层与导电隔绝层交替层叠；相变材料层采用相变材料形成，导电隔绝层采用导电晶体材料形成；相变材料与导电晶体材料的晶格失配度小于或等于10％，相变材料的熔点小于导电晶体材料的熔点。相变材料层以导电晶体材料层作为结晶生长模板，利于显著降低结晶时间；导电隔绝层保持稳定的晶体结构，有效阻止相变材料在电场方向上的元素迁移。
相变存储单元存储器电子设备

[发明专利]Ti-Ga-Sb相变材料、相变存储器及Ti-Ga-Sb相变材料的制备方法-CN201910828785.4有效
发明人：徐明;徐萌;缪向水 -专利权人：华中科技大学
申请日： 2019-09-03 - 公布日： 2021-02-23 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明公开了Ti‑Ga‑Sb相变材料、相变存储器及Ti‑Ga‑Sb相变材料的制备方法，属于相变存储材料领域，所述Ti‑Ga‑Sb相变材料为Ti，Sb，Ga元素组成的化学通式为TixGaySb100‑x‑y的材料，其通过将Sb作为基体材料，并向基体材料中掺杂Ti、Ga后得到；其中本发明的Ti‑Ga‑Sb相变材料，其制备方法简便，制备得到的Ti‑Ga‑Sb相变材料相较于传统的相变材料而言，具有较小的相变密度差异，并能在保证相变材料热稳定性的同时大幅提升相变材料的结晶效率，保证相变材料信息数据存储的稳定性和准确性，提升相变存储器信息存储的效率，在延长相变存储器使用寿命的同时，大大提升了相变存储器的功能性。
ti ga sb 相变材料存储器制备方法

[发明专利]In-Sn-Sb相变材料、相变存储器及In-Sn-Sb相变材料的制备方法-CN201910828790.5有效
发明人：徐明;徐萌;缪向水 -专利权人：华中科技大学
申请日： 2019-09-03 - 公布日： 2022-02-18 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明公开了In‑Sn‑Sb相变材料、相变存储器及In‑Sn‑Sb相变材料的制备方法，属于相变存储材料领域，所述In‑Sn‑Sb相变材料为由In，Sb，Sn元素组成的化学通式为InxSnySb100‑x‑y的材料，其通过将Sb作为基体材料，并向基体材料中掺杂In、Sn后得到；其中本发明的In‑Sn‑Sb相变材料，其制备方法简便，制备得到的In‑Sn‑Sb相变材料相较于传统的相变材料而言，具有更好的热稳定性、低相变密度变化、高阻值，可有效降低相变材料的工作功耗，提升信息数据存储的稳定性和准确性，避免相变存储器进行数据存储时相变材料与电极的脱离，确保信息存储稳定、准确的同时，延长了相变存储器的使用寿命，提升了相变存储器的使用经济性。
in sn sb 相变材料存储器制备方法

[发明专利]相变存储器件及其制造方法-CN201310200031.7有效
发明人：朴台镇;宋胤宗;郑七熙 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2013-05-27 - 公布日： 2017-12-22 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：相变存储器件包括相变存储单元和热沉（heat sink）。相变存储单元包括相变材料层图样；被配置为加热该相变材料层图样的、在该相变材料层图样之下的下电极；及在该相变材料层图样之上的上电极。热沉被配置为从相变存储单元吸收热量。热沉具有低于上电极的顶面的顶面，并且与相变存储单元空间隔开。
相变存储器件及其制造方法

[发明专利]相变存储单元、相变存储器、电子设备及制备方法-CN202110655982.8在审
发明人：陈鑫;李响 -专利权人：华为技术有限公司
申请日： 2021-06-11 - 公布日： 2022-12-13 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本申请公开了相变存储单元、相变存储器、电子设备及制备方法，属于半导体存储技术领域。该相变存储单元包括：相变薄膜，该相变薄膜包括：一层相变材料层和一层异质结层，所述相变材料层与所述异质结层相接触；所述相变材料层采用相变材料形成，所述异质结层采用异质结材料形成；所述异质结材料与所述相变材料的晶格失配度小于或等于20％；所述异质结材料与所述相变材料的接触晶面具有相同的晶格夹角；以及，所述异质结材料的熔点大于所述相变材料的熔点。该相变存储单元具有结构简单，操作可靠性强，稳定性强，读写速度快，使用寿命长等优点。
相变存储单元存储器电子设备制备方法

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