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[发明专利]直流溅射方法及直流溅射装置-CN202210795406.8在审
发明人：周张琪;李志华 -专利权人：广州粤芯半导体技术有限公司
申请日： 2022-07-07 - 公布日： 2022-08-30 - 主分类号： C23C14/54 文献下载
摘要：本发明提供一种直流溅射方法及直流溅射装置，包括：对置于直流溅射装置中的板执行直流溅射工艺，执行直流溅射工艺时通过监测溅射电流是否大于设定电流以判定直流溅射工艺是否发生电弧放电，设定电流大于直流溅射工艺的标准电流；若发生电弧放电则发出异常信号，并响应于异常信号而切断直流电源以进行熄弧处理，并于预定时间后再继续执行直流溅射工艺。本发明中，通过在直流溅射工艺中监测溅射电流是否大于设定电流以判定该直流溅射工艺是否发生电弧放电，若发生电弧放电即切断直流电源进行熄弧处理，从而减少电弧放电对靶材或基板等的危害，进而减少基板上因电弧放电引起的缺陷
直流溅射方法装置

[发明专利]磁控溅射镀膜系统-CN201410057887.8有效
发明人：张迅;阳威;欧阳小园;易伟华 -专利权人：江西沃格光电股份有限公司
申请日： 2014-02-20 - 公布日： 2014-05-28 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本发明涉及一种磁控溅射镀膜系统，包括成直线式排列的进片室、第一缓冲室、第一过渡室、溅射镀膜室、第二过渡室、第二缓冲室和出片室，溅射镀膜腔室包括依次连接的第一直流溅射室、第二直流溅射室、第三直流溅射室和第四直流溅射室，第一直流溅射室与第一过渡室连接，第四直流溅射室与第二过渡室连接，第一直流溅射室中设置有两个第一阴极靶，第二直流溅射室中设置有两个第二阴极靶，第三直流溅射室中设置有两个第三阴极靶，第四直流溅射室中设置有两个第四阴极靶使用该磁控溅射镀膜系统进行镀膜，能够有效降低破片率并有利于镀制方阻较低的薄膜，满足on-cell镀膜工艺要求，提高生产良率。
磁控溅射镀膜系统

[发明专利]一种电子器件的真空镀膜工艺-CN201310165544.9在审
发明人：狄国庆;邓波 -专利权人：苏州奕光薄膜科技有限公司
申请日： 2013-05-07 - 公布日： 2013-09-18 - 主分类号： C23C14/16 文献下载
摘要：本发明公开了一种电子器件的真空镀膜工艺：将清洁的基体放入真空容器中、抽真空到10-4Pa、通入高纯氩气至0.5Pa；采用线形离子源照射，离子源电压1500V，偏压600V，时间5分钟；通过直流溅射纯铝：直流溅射电压400V，电流15A，偏压600V，时间2分钟；采用线形离子源照射，离子源电压750V，偏压600V，时间2分钟；采用直流溅射铝铜比为1∶1的合金：电压400V，电流18A，时间3分钟；直流溅射纯铜：电压400V，电流25A，时间24分钟；直流溅射纯银：电压350V，电流20A，时间8分钟；直流溅射铜钼比为4∶1的合金：电压300V，电流10A，时间1分钟。
一种电子器件真空镀膜工艺

[发明专利]一种电子器件的镀膜工艺-CN201310259312.X在审
发明人：邓波 -专利权人：苏州奕光薄膜科技有限公司
申请日： 2013-06-25 - 公布日： 2013-10-02 - 主分类号： C23C14/02 文献下载
摘要：其中包括清洗与镀膜两个步骤：(1)清洗过程包括除油、水洗、烘干、喷砂除氧化膜、除油、三道水洗、120℃烘干、水洗、150℃烘干、真空容器中线形离子源照射等步骤；(2)镀膜过程，包括抽真空、线形离子源照射、直流溅射纯铝、线形离子源照射、直流溅射铝铜、直流溅射纯铜、直流溅射纯银。
一种电子器件镀膜工艺

[发明专利]一种无胶双重挠性覆铜板加工用直流溅射装置-CN201711033695.3在审
发明人：林壁鹏 -专利权人：深圳市西陆光电技术有限公司
申请日： 2017-10-30 - 公布日： 2018-03-27 - 主分类号： C23C14/56 文献下载
摘要：本发明公开了一种无胶双重挠性覆铜板加工用直流溅射装置，包括装置箱体，所述装置箱体上表面设置有进气管，所述装置箱体下表面设置有吸气管，所述装置箱体上下两表面上设置有电动气缸。有益效果在于该一种无胶双重挠性覆铜板加工用直流溅射装置将经过直流溅射的基材从上下两层所述陶瓷加热灯之间穿过，通过所述陶瓷加热灯加热对基材表面进行烘烤，然后，金属层能够完全吸附在基材表面，故不会被密封塞刮掉，在后续通过输送辊进行输送时也不会被输送辊破坏，有效解决了传统无胶双重挠性覆铜板加工用直流溅射装置内的输送辊容易将直流溅射形成的金属层刮破的问题，实用性好。
一种双重挠性覆铜板工用直流溅射装置

[发明专利]一种室温脉冲直流溅射波形优化的薄膜晶体管及其制备方法-CN201710785090.3有效
发明人：姚日晖;郑泽科;宁洪龙;彭俊彪;章红科;李晓庆;张啸尘;陈建秋;王磊;徐苗 -专利权人：华南理工大学
申请日： 2017-09-04 - 公布日： 2020-06-19 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：本发明属于显示器件技术领域，公开了一种室温脉冲直流溅射波形优化的薄膜晶体管及其制备方法。所述制备方法为：室温下直流溅射在基板上制备TFT金属栅极；室温下通过阳极氧化法将一部分栅极氧化成栅极绝缘层；室温下通过脉冲直流溅射制备氧化物半导体有源层，所述氧化物半导体为非晶型铟镓锌氧化物；室温下通过直流溅射制备金属源漏电极本发明的方法不需要热处理等额外工艺，只需通过调制脉冲直流溅射波形，在室温下优化器件的电学性能，制备高性能的薄膜晶体管，体现出了工艺简单、耗时短、节约能源和适用于工业生产的发展潜力。
一种室温脉冲直流溅射波形优化薄膜晶体管及其制备方法

[发明专利]一种超高透高性能低辐射膜的制备方法-CN201310567790.7有效
发明人：陈路玉 -专利权人：中山市创科科研技术服务有限公司
申请日： 2013-11-14 - 公布日： 2014-03-19 - 主分类号： C03C17/36 文献下载
摘要：本发明公开了一种超高透高性能低辐射膜的制备方法，包括：A、直流溅射Bi平面靶，在玻璃基板上磁控溅射Bi2O3层；B、直流溅射Nb平面靶，在Bi2O3层上磁控溅射Nb2O5层；C、交流溅射掺铝氧化锌陶瓷旋转靶，在Nb2O5层上磁控溅射AZO层；D、直流溅射银平面靶，在AZO层上磁控溅射Ag层；E、交流溅射掺铝氧化锌陶瓷旋转靶，在Ag层上磁控溅射AZO层；F、直流溅射银平面靶，在AZO层上磁控溅射Ag层；G、交流溅射掺铝氧化锌陶瓷旋转靶，在Ag层上磁控溅射AZO层；H、交流溅射ZnSn合金旋转靶，在AZO层上磁控溅射ZnSnO3层。
一种超高性能辐射制备方法

[发明专利]ITO薄膜溅射工艺方法及ITO薄膜溅射设备-CN201310023126.6有效
发明人：耿波;叶华;文利辉;杨玉杰;夏威;王厚工;丁培军 -专利权人：北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司
申请日： 2013-01-22 - 公布日： 2014-07-23 - 主分类号： C23C14/34 文献下载
摘要：本发明公开了一种ITO薄膜溅射工艺方法和ITO薄膜溅射设备。其中ITO薄膜溅射工艺包括以下步骤：1）将直流溅射电源的输出电压限制到所述直流溅射电源的额定电压以下，且通过所述直流溅射电源对靶材施加预定功率；2）向反应腔内通入工艺气体，所述反应腔内的工艺气体压力设定为所述反应腔内的所述工艺气体能够启辉的预定压力，以使所述工艺气体在所述反应腔内启辉；和3）将所述反应腔内的工艺气体压力降低到所述预定压力以下且通过所述直流溅射电源对所述靶材施加溅射功率以进行溅射，所述溅射功率大于等于所述预定功率且小于等于所述溅射电源的额定功率本发明的ITO薄膜溅射工艺可降低启辉时的电压峰值。
ito 薄膜溅射工艺方法设备

[发明专利]一种射频和直流共溅射灰色装饰膜层及其方法和应用-CN202210035636.4在审
发明人：黄先杰;潘弦;乔永亮;陈招豪;蒋义锋 -专利权人：厦门建霖健康家居股份有限公司
申请日： 2022-01-13 - 公布日： 2022-05-10 - 主分类号： C23C14/34 文献下载
摘要：本发明提供一种射频和直流共溅射灰色装饰膜层的方法，包括以下步骤：将基材置于镀膜机中，将射频溅射电源连接石墨靶，直流溅射电源连接锆靶，开启真空抽气，通入氩气使真空度维持在4.0*10‑1～6.0*10‑1Pa，开启直流溅射电源，调节输出功率为50～100w，沉积金属锆5～10min打底；通入氩气，使腔体内真空度维持在4.0*10‑1～6.0*10‑1Pa，同时开启射频溅射电源和直流溅射电源，调节射频溅射电源输出功率为100～150w，直流溅射电源输出功率为本发明采用射频和直流共溅射获得灰色装饰膜层的方法，工艺简单，颜色可调，可镀于各种金属或非金属材料表面，所获得的灰色装饰膜层在空气中自然放置不会变色，可稳定通过盐雾测试，在装饰镀膜领域具备广阔的市场前景。
一种射频直流溅射灰色装饰及其方法应用

[发明专利]一种红外屏蔽功能薄膜的制备方法-CN201310549471.3无效
发明人：陈路玉 -专利权人：中山市创科科研技术服务有限公司
申请日： 2013-11-07 - 公布日： 2014-03-19 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本发明公开了一种红外屏蔽功能薄膜的制备方法，包括：交流溅射硅铝旋转靶，在玻璃基板上磁控溅射Si3N4层；交流溅射掺铝氧化锌陶瓷，在Si3N4层上磁控溅射AZO层；直流溅射银平面靶，在AZO层上磁控溅射Ag层；交流溅射掺铝氧化锌陶瓷旋转靶，在Ag层上磁控溅射AZO层；直流溅射银平面靶，在AZO层上磁控溅射Ag层；交流溅射掺铝氧化锌陶瓷靶，在Ag层上磁控溅射AZO层；直流溅射银平面靶，在AZO层上磁控溅射Ag层；交流溅射掺铝氧化锌陶瓷旋转靶，在Ag层上磁控溅射AZO层；交流溅射硅铝旋转靶，在AZO层上磁控溅射Si3N4层。
一种红外屏蔽功能薄膜制备方法

[发明专利]ITO薄膜溅射工艺方法及ITO薄膜溅射设备-CN201310045824.6有效
发明人：耿波;叶华;文利辉;杨玉杰;夏威;王厚工;丁培军 -专利权人：北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司
申请日： 2013-02-05 - 公布日： 2014-08-06 - 主分类号： C23C14/34 文献下载
摘要：本发明公开了一种ITO薄膜溅射工艺方法及ITO薄膜溅射设备。所述方法包括以下步骤：在向反应腔内通入工艺气体之前，控制直流溅射电源的输出电压为预定电压，并通过直流溅射电源对靶材施加预定功率；在预定时间之后向反应腔内通入工艺气体，以使工艺气体在反应腔内启辉；在启辉之后，通过直流溅射电源对靶材施加溅射功率以进行溅射，溅射功率大于等于所述预定功率且小于等于所述溅射电源的额定功率。本发明的ITO薄膜溅射工艺方法，能够大幅减小启辉电压，减小启辉瞬间粒子能量过高对GaN层的轰击，有效的减小对GaN层的损伤。
ito 薄膜溅射工艺方法设备

[实用新型]一种薄膜生长过程原位动态特性监测实验仪器-CN03200903.8无效
发明人：黄筱玲;田跃;邱宏;李杰;王凤平;吴平;潘礼庆;罗胜;刘亚琪;李祥林;党彦军 -专利权人：北京科技大学;北京科大天宇微电子材料技术开发有限公司;北京中科科仪技术发展有限责任公司
申请日： 2003-01-14 - 公布日： 2004-09-15 - 主分类号： G01N27/04 文献下载
摘要：由真空控制部分、直流溅射镀膜部分和测量部分组成。其真空控制部分由机械泵、真空测量规和真空度显示仪表组成；直流溅射镀膜部分由镀膜用的靶材、安放衬底的衬底架和直流溅射电源组成。镀膜用的靶材和安放衬底的衬底架放置在直流溅射镀膜室中；测量部分由用于同衬底的电流输入电极相连接的电流输入接头、用于同衬底的电压输出电极相连接的电压输出接头、恒流源、电流表和电压表组成。
一种薄膜生长过程原位动态特性监测实验仪器

[发明专利]一种脉冲直流溅射波形调控半导体薄膜成分的方法-CN201710785172.8有效
发明人：姚日晖;郑泽科;宁洪龙;章红科;李晓庆;张啸尘;刘贤哲;彭俊彪;徐苗;王磊 -专利权人：华南理工大学
申请日： 2017-09-04 - 公布日： 2020-05-22 - 主分类号： C23C14/34 文献下载
摘要：本发明属于半导体材料技术领域，公开了一种脉冲直流溅射波形调控半导体薄膜成分的方法。所述方法为：将基板清洗和烘干，然后送入磁控溅射设备真空仓中，进行抽气，使本底真空度达到目标值；设置溅射参数，调控脉冲波形的频率和占空比，在室温下对IGZO靶材进行脉冲直流溅射，得到所述IGZO半导体薄膜本发明的方法不需要热处理等额外工艺，只需通过调制脉冲波形，在室温下对同一块IGZO靶材进行脉冲直流溅射，具有工艺简单、耗时短、节约能源和适用于工业生产的发展潜力，以及能够实现人为调控半导体薄膜特性以应用于不同领域的技术优势
一种脉冲直流溅射波形调控半导体薄膜成分方法

[发明专利]用于直流溅射的电极模板及微图形化方法-CN200410066640.9无效
发明人：李建康 -专利权人：李建康
申请日： 2004-09-24 - 公布日： 2005-05-11 - 主分类号： C23C14/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于直流溅射的电极模板及微图形化方法，该方法不用通过半导体光刻这一复杂的过程，而是采用已经图形化的不锈钢薄片作为模板，再经片状磁铁将其紧密吸附在硅片的上方，最后通过直流溅射的方法，在硅片上一次性得到图形化的电极该方法简单使用，避免了由于直流溅射Pt、Ti或Au等电极材料而造成光刻胶不易去除的技术难题。
用于直流溅射电极模板图形方法

[发明专利]一种以单晶碳化硅为基底的Ti-Cu-Ni多层膜及其制备方法-CN202110318652.X在审
发明人：潘远志;邓敏航;马凌志 -专利权人：苏州博志金钻科技有限责任公司
申请日： 2021-03-25 - 公布日： 2022-04-12 - 主分类号： C23C14/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种以单晶碳化硅为基底的Ti‑Cu‑Ni多层膜及其制备方法，包括单晶碳化硅基板、Ti打底层、Ni金属层、Cu金属层、Au金属层、Pt金属层和Ausn焊接层，单晶碳化硅基板顶部直流溅射有Ti打底层，且Ti打底层顶部直流溅射有Ni金属层，Ni金属层顶部直流溅射有Cu金属层，本发明通过调节溅射时间、溅射功率，使各层厚度可以人为调控，有利于提升单晶碳化硅基底的导电性和导热性，提升了焊接性能，同时单晶碳化硅基底与磁场方向成30‑60°，结合单晶碳化硅基底的旋转，保证了单晶碳化硅基底整体镀膜的均匀性，同时利用大溅射功率在原镀层上形成大量弥散的形核点，然后利用低的溅射功率，保证了最外侧镀层的致密性和粘附力，相比于同类型产品导热性提升
一种碳化硅基底 ti cu ni 多层及其制备方法

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