专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]自调整电流技术-CN201980099311.9在审
  • I·吉塔鲁 - 罗姆电力技术控股有限公司
  • 2019-07-03 - 2022-04-01 - G05F1/70
  • 一种方法包含提供初级、次级及电流绕组(102、112、120)。存在受控电压源(134)、输入电压源(104)、连接到所述初级绕组的初级开关(106)、跨越所述初级开关反射的寄生电容(110)、次级整流器构件(114),及电流电路(13),所述电流电路包含连接到所述电流绕组(120)的电流开关(140),及连接到所述电流绕组的单向电流开关(132)。所述方法包含接通所述电流开关,以开始从所述受控电压源流动穿过所述单向电流开关及所述电流绕组的电流。所述电流反射到所述初级绕组中,从而使跨越所述初级开关反射的所述寄生电容放电,在所述电流开关接通之后以延迟时间(δ)接通所述初级开关,且在所述电流达到零幅值之后关断所述电流开关。
  • 调整电流注入技术
  • [发明专利]一种半导体激光器及其制备方法-CN202211049834.2有效
  • 杨国文;唐松 - 度亘激光技术(苏州)有限公司
  • 2022-08-30 - 2022-11-25 - H01S5/10
  • 半导体激光器包括:外延结构、电流区和非电流区。在外延结构的部分区域沿第一方向依次设置第一非电流区、第一电流区、第二电流区、第二非电流区。第一电流区和第二电流区的电流大小不同。上述结构设计,可降低半导体激光器腔面区域的载流子密度,从而降低腔面温度,提高光学灾变损伤阈值。进一步在第二非电流区设置第二限制凹槽,一方面进一步降低了前腔面区域的载流子密度,另一方面有效控制第二非电流区面积过大带来的损耗增加。本方案可以保持相同注入电流下光功率输出基本相同,同时降低了腔面温度,提高了半导体激光器的最高输出功率和可靠性。
  • 一种半导体激光器及其制备方法
  • [发明专利]一种半导体器件和热沉键合的方法-CN202110894097.5有效
  • 杨国文;王希敏 - 度亘激光技术(苏州)有限公司
  • 2021-08-05 - 2021-10-29 - H01L21/50
  • 本申请提供一种半导体器件和热沉键合的方法,涉及半导体技术领域,包括在半导体器件的外延层上形成第一金属层;外延层具有至少一个电流区和设在电流区两侧的非电流区,且电流区和非电流区之间具有间隔区,第一金属层覆盖电流区、非电流区和间隔区;在第一金属层上形成第二金属层,使第二金属层位于非电流区上;在第二金属层上形成焊料层,使焊料层覆盖第一金属层和第二金属层;将热沉和焊料层焊接。半导体器件和热沉键合时,第二金属层起到支撑作用;第二金属层设于电流区两侧,电流区不受力,焊接熔化的焊料处于自由流动状态,减小封装时对半导体器件的应力影响。
  • 一种半导体器件热沉键合方法
  • [实用新型]H桥短路检测电路-CN202220855275.3有效
  • 兰启洪;王科发;白立;伍艳丽;刘超;袁宇 - 成都肯保捷电子有限公司
  • 2022-04-13 - 2022-10-11 - G01R31/52
  • 本实用新型提供了一种H桥短路检测电路,包括;H桥模块、第一电流模块、第二电流模块、第一控制模块及第二控制模块;第一电流模块的输入端用于连接外部电源,第一电流模块的输出端连接H桥模块内负载的一端,第一电流模块用于检测时为负载的一端注入检测电流;第二电流模块的输入端用于连接外部电源,第二电流模块的输出端连接H桥模块内负载的另一端;第一控制模块的输入端连接负载的一端;第二控制模块的输入端连接负载的另一端本实用采用第一电流模块和第二电流模块分别对H桥模块的负载两端注入电流,并通过检测单元进行短路检测,使用元器件少且检测可靠。
  • 短路检测电路
  • [发明专利]一种半导体器件和热沉键合的方法-CN202110894124.9有效
  • 杨国文;王希敏 - 度亘激光技术(苏州)有限公司
  • 2021-08-05 - 2021-11-19 - H01L21/50
  • 本申请提供一种半导体器件和热沉键合的方法,涉及半导体技术领域,包括衬底上形成外延层;外延层形成至少一个电流区和位于电流区两侧的非电流区,电流区和非电流区之间形成有隔离区;外延层上形成金属层,金属层覆盖电流区、非电流区和隔离区;金属层上形成多个导电导热结构,相邻导电导热结构之间有间隙,每个非电流区上都设有多个导电导热结构;多个导电导热结构上形成焊接层,焊接层覆盖导电导热结构、间隙和金属层导电导热结构保证电流区不受力,焊接热沉时,减少焊接应力集聚;金属层和导电导热结构的形成,减小热沉和半导体器件焊接应力,减少或避免焊接使半导体器件局部扭曲。
  • 一种半导体器件热沉键合方法
  • [发明专利]一种柔性直流输电MMC阀的故障电流运行试验方法-CN201110036675.8有效
  • 罗湘;高冲;杨波;吴亚楠;高阳 - 中国电力科学研究院
  • 2011-02-11 - 2011-07-20 - G01R31/327
  • 本发明涉及一种柔性直流输电MMC阀的故障电流运行试验方法;该方法的步骤是给衰减电流回路、正弦电流回路和高电压注入回路的直流电容器充电;产生谐振电流,由衰减电流回路产生衰减电流;正弦电流回路产生正弦电流;之后衰减电流继续与正弦电流叠加施加于试品阀上;控制关断可关断器件G,将衰减电流回路从电路中退出,正弦电流过零后,正弦电流回路从电路中退出,触发双向控制阀V3将高电压注入回路投入,将反向电压施加于试品阀上;该方法使被试换流阀耐受同实际故障工况相当的暂态电流、暂态的热与损耗强度,实现对被试阀故障运行工况的试验考核,对于不同试验方式的实现方便、简单。
  • 一种柔性直流输电mmc故障电流运行试验方法

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