专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]一种提高数字电位器分辨率的装置-CN201810229807.0在审
  • 刘遵义 - 广西钦州福晟电子有限公司
  • 2018-03-20 - 2018-08-03 - G05B19/04
  • 本发明公开一种提高数字电位器分辨率的装置,设置数字电位器组模块,将各数字电位器的滑动端串联后再连接至控制器模块中,相当于每增加一个串联的数字电位器,数字电位器组模块的分辨率就随着该数字电位器的分辨率相应增加,以达到提高分辨率的目的;数字电位器组模块中的数字电位器,还可进行组合连接,以1个数字电位器或者2个串联连接的数字电位器做为其它数字电位器的滑动端,将组合连接后的最后一个数字电位器的滑动端连接至控制器模块,或者,将最后两个数字电位器的滑动端串联连接至控制器模块,则数字电位器组模块的分辨率随着各个数字电位器的分辨率的位数相应增加增加的比率比串联连接方式得到的分辨率更大,进一步提高分辨率。
  • 数字电位器分辨率滑动端控制器模块组合连接串联串联连接方式再连接
  • [实用新型]一种提高数字电位器分辨率的装置-CN201820377887.X有效
  • 刘遵义 - 广西钦州福晟电子有限公司
  • 2018-03-20 - 2019-04-02 - G05B19/04
  • 本实用新型公开一种提高数字电位器分辨率的装置,设置数字电位器组模块,将各数字电位器的滑动端串联后再连接至控制器模块中,相当于每增加一个串联的数字电位器,数字电位器组模块的分辨率就随着该数字电位器的分辨率相应增加,以达到提高分辨率的目的;数字电位器组模块中的数字电位器,还可进行组合连接,以1个数字电位器或者2个串联连接的数字电位器做为其它数字电位器的滑动端,将组合连接后的最后一个数字电位器的滑动端连接至控制器模块,或者,将最后两个数字电位器的滑动端串联连接至控制器模块,则数字电位器组模块的分辨率随着各个数字电位器的分辨率的位数相应增加增加的比率比串联连接方式得到的分辨率更大,进一步提高分辨率。
  • 数字电位器分辨率滑动端控制器模块组合连接串联串联连接方式本实用新型再连接
  • [发明专利]针对通孔的光学临近修正方法-CN201410110058.1在审
  • 王丹;于世瑞;张瑜;毛智彪 - 上海华力微电子有限公司
  • 2014-03-24 - 2014-06-18 - G03F1/36
  • 本发明提供了一种针对通孔的光学临近修正方法,包括:在对通孔执行光学临近修正之前,判断特定通孔分别与其四个侧边处的四个相邻通孔的电位关系,所述电位关系包括同电位关系和非同电位关系;对于所述特定通孔与所述特定通孔侧边处的相邻通孔处于同电位关系,使得特定通孔相应的侧边增加一个同电位补值;对于所述特定通孔与所述特定通孔侧边处的相邻通孔处于非同电位关系,使得特定通孔相应的侧边增加一个非同电位补值;对经过特殊处理的通孔执行光学临近修正。
  • 针对光学临近修正方法
  • [发明专利]二次电池和二次电池的使用方法-CN202211043794.0在审
  • 加藤有光 - 远景AESC日本有限公司
  • 2018-01-25 - 2022-11-01 - H01M10/0525
  • 二次电池(10)在使用初期具有如下特性:即将满放电结束之前的正极(11)的电位降低率大于即将满放电结束之前的负极(12)的电位增加率的特性;即将满充电结束之前的正极(11)的电位增加率大于即将满充电结束之前的负极(12)的电位降低率的特性,持续使用二次电池(10)直至即将满放电结束之前的正极(11)的电位降低率小于即将满放电结束之前的负极(12)的电位增加率的状态为止。
  • 二次电池使用方法
  • [发明专利]高侧驱动半导体芯片及衬底电位处理方法-CN202310371334.9在审
  • 熊平;杨世红;余远强;齐玥;王奇奇 - 陕西亚成微电子股份有限公司
  • 2023-04-07 - 2023-08-01 - H03K17/16
  • 一种高侧驱动半导体芯片及衬底电位处理方法,所述芯片包括Vbb端、IN端和OUT端,以及设置在芯片内的P型衬底、电荷泵、GATE驱动模块;所述GATE驱动模块包括功率MOS管;在IN端和GATE驱动模块的GATE端之间增加衬底电位偏置电路;当功率MOS管控制信号inL1为关断时,衬底电位偏置电路关掉功率MOS管,同时提供额外的下拉电流,使得GATE端电位与OUT端电位近似相等;当功率MOS管控制信号inL1为导通时,衬底电位偏置电路使得功率MOS管导通,同时将流入P型衬底的电流流入IN端,从而将衬底电位箝位至IN端电位。本发明在高侧驱动半导体芯片中增加了衬底电位偏置电路,可以防止器件的衬偏二极管导通,避免了寄生管导通漏电的问题。
  • 驱动半导体芯片衬底电位处理方法
  • [发明专利]探查物体涂布表面的方法-CN200680016996.9无效
  • 博·吉勒斯伯格 - 丹佛斯公司
  • 2006-05-18 - 2008-05-07 - G01N17/02
  • 向物体施加增加电位,直至获得需要电流值,或者直至已经达到最高电位。在涂层致密的情况下,这会导致涂层颜色改变。这可能是由于涂层材料的极化和/或由于自然存在的金属氧化物层厚度增加。在涂层致密的情况下,不能获得所需电流值,电位增加到最高值,导致颜色改变。在存在小孔的情况下,可以获得所需的电流值,在电位高到足以导致颜色改变之前,电位增加停止。
  • 探查物体表面方法

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