|
|
钻瓜专利网为您找到相关结果 5901712个，建议您 升级VIP下载更多相关专利
- [发明专利]制造闪速存储器件的方法-CN200810127816.5无效
-
任贤珠
-
东部高科股份有限公司
-
2008-06-25
-
2008-12-31
-
H01L21/8247
- 一种制造闪速存储器件的方法，其防止在形成层间介电薄膜时产生空隙。该方法可以包括在半导体衬底上形成栅极，然后在该半导体衬底上顺序地堆叠第一介电薄膜和第二介电薄膜，然后通过进行第一蚀刻过程在所述栅极侧壁上形成包括第一介电薄膜图案和第二介电薄膜图案的第一隔离体，然后在该半导体衬底中形成源区和漏区，然后去除该第二介电薄膜，然后在该半导体衬底上顺序地堆叠第三电质薄膜和第四介电薄膜，然后通过进行第二蚀刻过程在栅极侧壁上形成包括第一介质图案和第三介质图案的第二隔离体，然后在包括栅极和第二隔离体的半导体衬底上形成层间介电薄膜
- 制造存储器件方法
- [发明专利]表面波激发等离子体处理装置-CN200680001834.8无效
-
铃木正康;猿渡哲也
-
株式会社岛津制作所
-
2006-04-26
-
2008-01-02
-
H05H1/46
- 一种表面波激发等离子体处理装置，其可一直维持以大面积生成均匀的等离子体。此表面波激发等离子体处理装置的等离子源(10)包括：微波产生装置、微波导波管(12)、以及介电体块(13)，等离子源(20)亦同样包括：微波产生装置、微波导波管(22)、以及介电体块(23)。于腔室(1)的盖体(3)上，并列安装有微波导波管(12、22)，并将介电体块(13、23)配设于腔室(1)内。使反射板(30)设于介电体块(13)与(23)之间，以阻止传播于介电体块(13、23)内的电磁波(微波)作为反射波而相互进入。藉此，独立控制等离子源(10、20)。又，于介电体块(13、23)的外周部配设有侧反射体(40)，以形成传播于介电体块(13、23)内的电磁波的驻波，并以大面积均匀地形成表面波SW的驻波模式。
- 表面波激发等离子体处理装置
- [发明专利]介电弹性体换能器的制造方法-CN201980008999.5有效
-
千叶正毅;和气美纪夫;堀田昌克;大石和弘
-
日本瑞翁株式会社;千叶正毅;和气美纪夫
-
2019-01-11
-
2023-03-10
-
H02N11/00
- 本发明提供一种介电弹性体换能器的制造方法，所述介电弹性体换能器具有介电弹性体层和夹着所述介电弹性体层的一对电极层，所述介电弹性体层的拉伸侧的应力应变曲线具有：小应变高弹性模量区域，其为包含应变为0的状态的区域且倾斜相对地大；低弹性模量区域，其连接在所述小应变高弹性模量区域的大应变侧且倾斜相对地小；以及大应变区域，其连接在所述低弹性模量区域的大应变侧且倾斜相对地大或者包含断裂点，所述介电弹性体换能器的制造方法包括：预备伸缩工序，通过向设置所述一对电极层前的所述介电弹性体层赋予第一负荷以上的负荷来进行一次以上的使第一张力产生的伸长处理，由此使所述介电弹性体层的弹性行为中的滞后缩小，所述第一张力为被所述低弹性模量区域包含的大小；以及介电弹性体层固定工序，在所述预备伸缩工序之后，通过向所述介电弹性体层给予比所述第一负荷小的第二负荷，以产生比所述第一张力小的第二张力的状态将所述介电弹性体层固定在支承构件。
- 弹性体换能器制造方法
|
