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- [发明专利]一种超精细无极金属丝栅网封装环-CN201410080071.7有效
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陈新;韦青海;王晗;刘强;陈新度
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广东工业大学
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2014-03-06
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2014-07-02
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G01R1/02
- 本发明是一种超精细无极金属丝栅网封装环。包括有栅网基环、栅网盖环、金属栅网、橡胶垫圈、玻璃胶,其中栅网基环下部设有基环啮合面,且基环啮合面上绕出金属栅网,栅网盖环上部设有盖环啮合面,栅网盖环所设盖环啮合面上设有胶水橡胶槽,胶水橡胶槽里注入玻璃胶,使之不漫出;橡胶垫圈套在栅网盖环上,栅网盖环通过其上部所设的盖环啮合面套到栅网基环下部所设的基环啮合面上,用压紧力将两环压紧,橡胶垫圈受到压力将胶水橡胶槽里的玻璃胶从橡胶垫圈的空隙中挤出,被挤出的玻璃胶将金属丝紧黏在基环啮合面、盖环啮合面及橡胶垫圈上,同时也将栅网基环、栅网盖环、橡胶垫圈黏固在一起。本发明封装结构及原理简单,易于操作,生产成本低,且保证了栅环质量。
- 一种精细无极金属丝封装
- [实用新型]超精细无极金属丝栅网封装环-CN201420099745.3有效
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陈新;韦青海;王晗;刘强;陈新度
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广东工业大学
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2014-03-06
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2014-08-20
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G01R1/02
- 本实用新型是一种超精细无极金属丝栅网封装环。包括栅网基环、栅网盖环、金属栅网、橡胶垫圈、玻璃胶,其中栅网基环下部设有基环啮合面,且基环啮合面上绕出金属栅网,栅网盖环上部设有盖环啮合面,栅网盖环所设盖环啮合面上设有胶水橡胶槽,胶水橡胶槽里注入玻璃胶;橡胶垫圈套在栅网盖环上,栅网盖环通过其上部所设的盖环啮合面套到栅网基环下部所设的基环啮合面上,用压紧力将两环压紧,橡胶垫圈受到压力将胶水橡胶槽里的玻璃胶从橡胶垫圈的空隙中挤出,被挤出的玻璃胶将金属丝紧黏在基环啮合面、盖环啮合面及橡胶垫圈上,同时也将栅网基环、栅网盖环、橡胶垫圈黏固在一起。本实用新型封装结构及原理简单,易于操作,生产成本低,且保证栅环质量。
- 精细无极金属丝封装
- [发明专利]一种半导体器件及其制造方法-CN202310403524.4在审
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李永亮;刘昊炎;贾晓锋;罗军;王文武
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中国科学院微电子研究所
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2023-04-14
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2023-07-18
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H01L29/78
- 本发明公开了一种半导体器件及其制造方法,涉及半导体技术领域,以利于使得第一环栅晶体管和第二环栅晶体管采用相同的栅堆叠结构。所述半导体器件包括:半导体基底、第一环栅晶体管和第二环栅晶体管。第一环栅晶体管形成在半导体基底上。第二环栅晶体管形成在第一环栅晶体管的上方。第一环栅晶体管和第二环栅晶体管的导电类型相反。第一环栅晶体管和第二环栅晶体管中的一者为无结型晶体管、另一者为结型增强型晶体管。第一环栅晶体管和第二环栅晶体管中的一者包括的沟道区具有第一硅沟道部,另一者包括的沟道区具有第二硅沟道部、以及环绕在第二硅沟道部外周的第一含锗沟道部。第一环栅晶体管和第二环栅晶体管包括的栅堆叠结构的材料相同。
- 一种半导体器件及其制造方法
- [发明专利]一种防堵地漏-CN201910398450.3有效
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林玉平
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台州道业科技有限公司
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2019-05-14
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2020-11-24
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E03F5/04
- 本防堵地漏包括顶端固定有滤座的滤筒,滤筒内设有滤芯,滤芯内固定有螺旋板状旋板,还包括分别位于滤芯上下两端,并与滤筒内壁固定的上栅环和下栅环,滤芯上下两端固定有圆环形上刀环和下刀环,上栅环底面和下栅环顶面分别与上刀环顶面和下刀环底面贴合,上栅环和下栅环上分别设有若干上栅条和下栅条,上栅条和下栅条为螺旋结构,上刀环和下刀环上设有上刀片和下刀片,且上刀片形状和下刀片形状分别与上栅条形状和下栅条形状相同,上刀片和下刀片沿长度方向具有锋利刀刃
- 一种地漏
- [实用新型]新型轮栅机-CN01217248.0无效
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向可为
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向可为
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2001-01-20
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2002-09-18
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E02B15/10
- 本实用新型提供一种新型轮栅机,由环栅、栅梳、栅档板、进水管、活动盖板、底座组成,栅梳的尖端伸出环栅的内圆环,栅档板、进水管与固定座连在一起,环栅每旋转一次,栅梳能彻底清除留在环栅上的固体物质,在操作与维护时需要掀开活动盖板时,不必拆卸管道,并且不影响栅挡板的安装精度,可以自动快速彻底地清除分离出的固体物质,具有操作、维护方便的特点。
- 新型轮栅机
- [发明专利]一种半导体器件及其制造方法-CN202310832147.6在审
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李永亮;赵飞
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中国科学院微电子研究所
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2023-07-06
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2023-09-22
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H01L27/092
- 本发明公开一种半导体器件及其制造方法,涉及半导体技术领域,以实现具有不同沟道材料的NMOS环栅晶体管和PMOS环栅晶体管的制造,利于提升CMOS器件的工作性能。半导体器件包括间隔分布的N型环栅晶体管和P型环栅晶体管。N型环栅晶体管包括的有源结构和P型环栅晶体管包括的有源结构均具有源区、漏区以及位于源区和漏区之间的至少一层纳米结构。P型环栅晶体管包括的至少一层纳米结构被P型环栅晶体管包括的栅堆叠结构覆盖的部分为沟道部,P型环栅晶体管包括的至少一层纳米结构被P型环栅晶体管包括的栅极侧墙覆盖的部分为连接部。沟道部内的锗含量分别大于连接部内的锗含量、以及N型环栅晶体管包括的至少一层纳米结构内的锗含量。
- 一种半导体器件及其制造方法
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