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[发明专利]一种半导体器件及其制造方法-CN202210200010.4在审
发明人：李永亮;张佳熠;殷华湘;罗军;王文武 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2022-03-02 - 公布日： 2022-06-10 - 主分类号： H01L27/088 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体器件及其制造方法，涉及半导体技术领域，用于解决核心器件与输入/输出器件的器件结构均为环栅晶体管时兼容性差的问题。所述半导体器件包括：衬底、第一环栅晶体管和第二环栅晶体管。第一环栅晶体管形成在衬底具有的第一元件区上。第一环栅晶体管具有的至少一层第一纳米线或片的外周依次环绕有第一栅介质层和第二栅介质层。第二环栅晶体管形成在衬底具有的第二元件区上。第二环栅晶体管具有的至少一层第二纳米线或片的外周环绕有第三栅介质层。第一栅介质层和第二栅介质层的总厚度大于第三栅介质层的厚度。第一纳米线或片的厚度小于第二纳米线或片的厚度。半导体器件包括的第一纳米线或片的层数等于第二纳米线或片的层数。
一种半导体器件及其制造方法

[发明专利]一种半导体器件及其制造方法-CN202210307265.0在审
发明人：李永亮;陈安澜;赵飞;程晓红;殷华湘;罗军;王文武 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2022-03-25 - 公布日： 2022-08-26 - 主分类号： H01L27/088 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体器件及其制造方法，涉及半导体技术领域，用于在同一衬底上实现具有较厚的栅介质层和/或栅极的环栅晶体管与半导体器件和/或集成电路中其余环栅晶体管的制造，降低上述两种环栅晶体管的集成难度所述半导体器件包括：衬底、第一环栅晶体管和第二环栅晶体管。第一环栅晶体管包括的任一层第一纳米线或片与相邻的第一结构具有第一间距。第一结构为衬底和/或相邻层第一纳米线或片。第二环栅晶体管包括的任一层第二纳米线或片与相邻的第二结构具有第二间距。第二结构为衬底和/或相邻层第二纳米线或片。第一间距大于第二间距。第一环栅晶体管包括的第一纳米线或片的层数小于第二环栅晶体管包括的第二纳米线或片的层数。
一种半导体器件及其制造方法

[发明专利]环形离子推力器栅极组件-CN201910321224.5有效
发明人：龙建飞;孙明明 -专利权人：南华大学
申请日： 2019-04-22 - 公布日： 2020-07-14 - 主分类号： F03H1/00 文献下载
摘要：环形离子推力器栅极组件，包括屏栅、加速栅、第一绝缘陶瓷环、第二绝缘陶瓷环、组合式屏栅支撑结构及组合式加速栅支撑结构。屏栅和加速栅均为环形，其端面的横截面均为凸起的弧形；组合式屏栅支撑结构包括外环、内环、弧形加强筋及耳片；组合式加速栅支撑结构包括外环、内环、弧形加强筋及凸片，凸片与耳片的位置相对应。屏栅与组合式屏栅支撑结构、加速栅与组合式加速栅支撑结构均通过焊接固定，第一、第二绝缘陶瓷环设于屏栅和加速栅之间，组合式屏栅支撑结构和组合式加速栅支撑结构通过凸片与耳片采用螺钉进行固定。
环形离子推力栅极组件

[发明专利]一种环栅晶体管及其制造方法-CN202210471119.1在审
发明人：李永亮;赵飞;罗军;王文武 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2022-04-28 - 公布日： 2022-08-12 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明公开了一种环栅晶体管及其制造方法，涉及半导体技术领域，用于改善环栅晶体管中寄生沟道的漏电，提高环栅晶体管的导电性能。所述环栅晶体管包括：衬底、形成在衬底上的堆叠结构、形成在衬底与堆叠结构之间的含锗半导体结构、以及环绕在至少一层纳米片外周的栅堆叠。堆叠结构包括源区、漏区和至少一层纳米片。至少一层纳米片位于源区和漏区之间，至少一层纳米片分别与源区和漏区接触。含锗半导体结构的宽度小于至少一层纳米片的宽度。含锗半导体结构中锗的含量高于至少一层纳米片中锗的含量。至少一层纳米片与含锗半导体结构之间具有空隙。所述环栅晶体管的制造方法用于制造上述环栅晶体管。
一种晶体管及其制造方法

[发明专利]一种铆接的离子推力器栅极部件及其制作方法-CN201611118160.1有效
发明人：高俊;郑茂繁;杨福全;黄永杰;王寅鸣 -专利权人：兰州空间技术物理研究所
申请日： 2016-12-07 - 公布日： 2020-06-12 - 主分类号： F03H1/00 文献下载
摘要：一种铆接的离子推力器栅极部件，包括栅片和栅极安装环，所述栅片上圆周设置第一固定孔，所述栅极安装环上圆周设置第二固定孔，所述栅片和栅极安装环采用钛铆钉铆接固定，所述钛铆钉穿过栅片上的第一固定孔与栅极安装环的第二固定孔在另一侧铆接本发明将栅极部件的栅片与栅极安装环的固定方式由传统的螺母连接结构改为铆接结构，克服了长期以来人们用传统的螺母连接技术带来的技术问题。采用钛铆钉铆接紧固方式固定栅片与栅极安装环，可简化栅极组件结构、减少标准件数量，可有效的提高栅极的可靠性，无松动问题，抗力学性能好且提高了栅极装配的对中性，减小截获电流提高了离子推力器寿命。
一种铆接离子推力栅极部件及其制作方法

[实用新型]一种大量程容栅数显指示表机械构件-CN202023081919.8有效
发明人：梁朋生;王宁 -专利权人：桂林华量科技有限公司
申请日： 2020-12-21 - 公布日： 2021-07-27 - 主分类号： G01D11/00 文献下载
摘要：本实用新型提供一种大量程容栅数显指示表机械构件，包括表壳、上套筒、下套筒、测量杆，表壳内设有限位导向环和定栅安装座，限位导向环安装于表壳的上通孔内；定栅安装座包括分设于限位导向环上下两侧的上平行块、下平行块，以及通过螺纹紧固件可调整安装于两平行块靠近动栅一侧的用于安装定栅的滑片，限位导向环开设可供滑片穿过的滑片孔，滑片孔的宽度大于滑片的厚度。本实用新型提出一种大量程容栅数显指示表机械构件，可调节表壳上动栅显示模块与机械构件上测量定栅之间的间隙和平行度，能有效保证测量精度，避免出现跳数问题。
一种量程容栅数显指示机械构件

[发明专利]消除环栅纳米片沟道损伤的方法-CN202211533951.6在审
发明人：周娜;李俊杰;高建峰;杨涛;李俊峰;罗军 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2022-11-30 - 公布日： 2023-03-07 - 主分类号： H01L29/10 文献下载
摘要：本发明提供一种消除环栅纳米片沟道损伤的方法，方法包括：在衬底上依次交替形成两个以上的沟道层和一个以上的牺牲层，以形成沟道叠层；在衬底上形成跨沟道叠层的假栅，并在假栅的表面形成第一侧墙；对牺牲层进行刻蚀，以在沟道叠层的侧表面上形成内凹结构，并在内凹结构内形成第二侧墙；在沟道叠层的两侧分别制备源极和漏极；当沟道叠层中的沟道层与假栅接触时，对假栅和相邻的沟道层进行刻蚀，直至牺牲层暴露；再对牺牲层进行刻蚀，以形成环栅制备空间；在环栅制备空间内制备环形的金属栅，以形成环栅器件。本发明提供的消除环栅纳米片沟道损伤的方法，能够有效的消除环栅器件中的纳米片沟道损伤，提高器件性能。
消除纳米沟道损伤方法

[发明专利]一种半导体器件及其制造方法-CN202210199094.4在审
发明人：李永亮;刘昊炎;殷华湘;罗军;王文武 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2022-03-02 - 公布日： 2022-06-10 - 主分类号： H01L27/088 文献下载
摘要：本发明公开一种半导体器件及其制造方法，涉及半导体技术领域，用于解决核心器件与输入/输出器件的器件结构均为环栅晶体管时兼容性差的问题，并提升核心器件的工作性能。所述半导体器件包括：衬底、形成在衬底具有的第一元件区上的第一环栅晶体管、以及形成在衬底具有的第二元件区上的第二环栅晶体管。第一环栅晶体管具有的至少一层第一纳米线或片的外周依次环绕有第一栅介质层和第二栅介质层。第二环栅晶体管具有的至少一层第二纳米线或片的外周环绕有第三栅介质层。第一栅介质层和第二栅介质层的总厚度大于第三栅介质层的厚度。第一纳米线或片的厚度小于第二纳米线或片的厚度。第二纳米线或片包括的第二材料部所含有的材料为高迁移率沟道材料。
一种半导体器件及其制造方法

[实用新型]新型梅花触头-CN201420493604.X有效
发明人：陈根福 -专利权人：玉环欧莱诺电气有限公司
申请日： 2014-08-29 - 公布日： 2015-01-07 - 主分类号： H01H1/44 文献下载
摘要：结构为：包括栅片、立柱、触片和弹簧，栅片为环形的上栅片和下栅片，上下栅片之间连接有立柱，上下栅片的外侧设有若干凹槽，成对的触片安装凹槽内，触片外侧的两端设有弹簧槽，弹簧槽内安装有环形的首尾连接的弹簧，其特征在于：所述触片的外侧套置有开口环；触片的两侧边设有成排的凹口。当触片与静触头相抵触时，开口环与弹簧之间形成并联回路，开口环作为支路起到分流的作用，从而弹簧上的电流减小，弹簧的发热也减少，不会出现电流过大引起的退火现象，增加了弹簧的使用寿命。
新型梅花

[实用新型]循环布风式新型节能炉栅-CN201920805706.3有效
发明人：从沛峰 -专利权人：淄博华通环保设备有限公司
申请日： 2019-05-30 - 公布日： 2020-03-20 - 主分类号： C10J3/42 文献下载
摘要：本实用新型属于工业煤气发生炉领域，涉及一种循环布风式新型节能炉栅，为宝塔形结构，包括若干层炉栅环和底座，炉栅环固定于底座上方，最上层炉栅环中部位置设有炉栅帽，炉栅帽下方设有炉栅转轴，炉栅转轴贯穿整个炉栅内腔，并从底座中部穿出，每层炉栅环均由若干拨渣片组成，并且每片拨渣片均设有通风口，底座外周设有若干通风孔，通风孔与炉栅内腔连通，通风孔外部设有遮挡片，遮挡片上端与底座上边沿固定，并且遮挡片与底座外壁呈夹角设置
循环布风式新型节能

[发明专利]一种环栅晶体管及其制造方法-CN202211426811.9在审
发明人：李永亮;毛晓烔 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2022-11-14 - 公布日： 2023-03-03 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明公开了一种环栅晶体管及其制造方法，涉及半导体技术领域，用于提高沟道区中各层纳米线/片之间的导通均匀性，进而利于提升环栅晶体管的驱动性能。所述环栅晶体管包括：半导体基底、有源结构和栅堆叠结构。沿有源结构的高度方向，沟道区包括至少两层间隔设置的纳米线/片。在沟道区中，至少一层纳米线/片的材料不同于其余纳米线/片的材料。栅堆叠结构形成在半导体基底上。栅堆叠结构包括至少两层栅堆叠部，每层栅堆叠部环绕在相应层纳米线/片的外周。位于不同材料的纳米线/片外周的不同栅堆叠部的厚度和/或材料不同。
一种晶体管及其制造方法

[实用新型]多注行波管阴影栅装配工装夹具-CN201521122993.6有效
发明人：杨路路;卢希跃 -专利权人：安徽华东光电技术研究所
申请日： 2015-12-31 - 公布日： 2016-07-06 - 主分类号： B23K37/04 文献下载
摘要：多注行波管阴影栅装配工装夹具，包括阴极、阴影栅、底座、套筒、压环、支架、定位片和压块，所述底座与内壁通过螺纹连接；在所述套筒上端面设有压环，压环内径大于套筒内径；所述定位片一端设有定位孔，另一端设有阴影栅定位柱，所述定位片通过定位片螺栓穿过定位孔与压环连接；所述支架为倒L形结构，下部通过固定螺栓与套筒外壁连接，上部压在压环上，通过压紧螺栓压紧压环；阴极设置于套筒内，阴影栅位于阴极上；所述压块为扁圆柱形，外周设有均匀分布的缺口，所述压块压在阴影栅上。
行波阴影装配工装夹具

[实用新型]一种太阳能电池片及光伏组件-CN202020799209.X有效
发明人：徐义胜;曾鑫林;单伟;何胜;徐伟智;黄海燕 -专利权人：海宁正泰新能源科技有限公司;浙江正泰太阳能科技有限公司
申请日： 2020-05-14 - 公布日： 2020-10-27 - 主分类号： H01L31/0224 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种太阳能电池片，包括正面主栅线及正面副栅线；所述正面主栅线沿预设方向贯通所述太阳能电池片的正面；所述正面副栅线为环形副栅线；多个所述正面副栅线在所述太阳能电池片正面呈同心圆状排列，所述正面副栅线的圆心与所述太阳能电池片的中心重合；从靠近所述太阳能电池片的中心的所述正面副栅线至远离所述太阳能电池片的中心的所述正面副栅线，所述正面副栅线的环宽逐渐减少。所述正面副栅线印刷部位宽度会直接影响电池片接触性能，本实用新型通过将所述正面副栅线设置成同心圆状，调控各个位置的正面副栅线的环宽，提升所述太阳能电池片的转换效率。
一种太阳能电池组件

[发明专利]一种环栅晶体管及其制造方法-CN202210508772.0在审
发明人：李永亮;赵飞;陈安澜;程晓红;王文武 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2022-05-10 - 公布日： 2022-09-09 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种环栅晶体管及其制造方法，涉及半导体技术领域，用于在抑制环栅晶体管的寄生沟道漏电的情况下，提升环栅晶体管的工作性能。所述环栅晶体管及其制造方法包括：衬底、堆叠结构、栅堆叠、隔离侧墙和漏电抑制结构。堆叠结构形成在衬底上。堆叠结构包括源区、漏区、以及位于源区和漏区之间的至少一层纳米线或片。栅堆叠环绕在至少一层纳米线或片的外周。隔离侧墙至少形成在栅堆叠沿长度方向的两侧。漏电抑制结构形成在衬底上。漏电抑制结构位于至少一层纳米线或片的下方、以及隔离侧墙与至少一层纳米线或片对应的部分的下方。漏电抑制结构内掺杂有与环栅晶体管的导电类型相反的杂质。源区和漏区的底部均至少与漏电抑制结构的底部平齐。
一种晶体管及其制造方法

[实用新型]一种伸缩式网笼-CN201220099147.7有效
发明人：蒋昌裕 -专利权人：德阳市海昌机械设备制造有限公司
申请日： 2012-03-16 - 公布日： 2012-11-21 - 主分类号： D21F1/60 文献下载
摘要：本实用新型的伸缩式网笼，包括主轴，所述主轴上套有两组相互对称的栅片笼架，两组栅片笼架的边部通过栅片连接，所述栅片以主轴为中心，呈圆周均布；在栅片笼架的侧端面设置有套于主轴上的端盖，两栅片笼架之间以及栅片笼架与端盖之间均连接有套环所述栅片笼架连接于控制装置上受其控制，所述控制装置配合于丝杆轴上，所述丝杆轴套于主轴内，可相对于主轴转动，所述栅片的两端以及中间均连接有弹簧拉杆，并通过弹簧拉杆连接于套环上。
一种伸缩式网笼

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