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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

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B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]电可编程的多晶硅熔丝器件结构-CN201810992764.1有效
发明人：武洁 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2018-08-29 - 公布日： 2020-08-11 - 主分类号： H01L23/522 文献下载
摘要：本发明公开了一种电可编程的多晶硅熔丝器件结构，包括多晶硅熔丝阳极、多晶硅熔丝阴极以及多晶硅熔丝三部分；中间的多晶硅熔丝两头分别连接多晶硅熔丝阳极以及多晶硅熔丝阴极；多晶硅熔丝的宽度远小于多晶硅熔丝阳极和多晶硅熔丝阴极所述多晶硅熔丝部分对应多晶硅宽度为设计规则允许最小宽度，多晶硅熔丝电阻方块数在8～13之间；多晶硅熔丝阴极与多晶硅熔丝连接处角度a为30～60度；多晶硅阳极打满接触孔，多晶硅阴极的接触孔只形成于最外围一圈本发明结构在多晶硅熔丝阳极灌入大的编程电流时，熔丝连接处有更大的温度梯度，更容易发生电迁移，编程后阻值标准偏差减小30％。
可编程多晶硅熔丝器件结构

[发明专利]一种直拉单晶硅生产用的熔硅装置及熔硅方法-CN202110026219.9在审
发明人：詹玉峰;陈跃华;方勇华 -专利权人：浙江旭盛电子有限公司
申请日： 2021-01-08 - 公布日： 2021-05-28 - 主分类号： C30B29/06 文献下载
摘要：本发明涉及单晶硅生成设备技术领域，具体地说，涉及一种直拉单晶硅生产用的熔硅装置及熔硅方法，包括熔硅炉，熔硅炉内安装有用于对多晶硅原料进行盛装的熔硅坩埚以及对熔硅坩埚进行加热的石墨加热器，熔硅坩埚的顶部安装有保温盖结构本发明通过在熔硅坩埚顶部安装的保温盖，可以减小熔硅坩埚的加热空间，使得熔硅坩埚内的多晶硅原料可以快速熔化，从而提高加热效率，通过设置的加料漏斗可以使得添加的原料全部落入至硅坩埚，防止浪费，石墨加热器呈中空无盖的半球状且与熔硅坩埚同轴设置，可以提高熔硅坩埚的受热面积，从而提高加热速度，加快生产效率。
一种单晶硅生产装置方法

[发明专利]去除硅熔体表面的异物的方法、单晶硅的生长方法-CN202111515365.4有效
发明人：请求不公布姓名 -专利权人：新美光（苏州）半导体科技有限公司
申请日： 2021-12-13 - 公布日： 2023-02-10 - 主分类号： C30B15/00 文献下载
摘要：一种去除硅熔体表面的异物的方法、单晶硅的生长方法，属于单晶硅生长技术领域。去除硅熔体表面的异物的方法，包括：在籽晶与硅熔体熔接之前，在硅熔体表面形成一个近似带状暗色区域，持续监测硅熔体表面，若发现硅熔体表面存在异物，则使硅熔体表面的至少部分异物移动至暗色区域并沿着暗色区域移动至坩埚壁其能够有效地将异物从硅熔体表面去除。
去除体表异物方法单晶硅生长

[发明专利]由多晶硅炉料制备熔硅熔料的方法-CN96110663.8无效
发明人：约翰·Ｄ·霍尔德 -专利权人： MEMC电子材料有限公司
申请日： 1996-07-24 - 公布日： 2002-04-10 - 主分类号： C30B15/00 文献下载
摘要：公开了一种用多晶硅制备熔硅熔料的工艺，该熔硅熔料用于通过切克劳斯基方法生产单晶硅。初始向坩埚中填充多晶硅并加以熔化，形成包含熔硅和未熔化多晶硅的特殊熔化炉料。熔硅具有一个上表面，未熔化多晶硅部分暴露于该上表面之上。以一种方式向暴露的未熔化多晶硅上添加颗粒状多晶硅，该方式足以使颗粒状多晶硅在停留于暴露的未熔化多晶硅的表面期间和在逐渐沉入熔硅之前实现脱氢。然后颗粒状多晶硅和未熔化的多晶硅全部熔化形成熔硅熔料。该方法使生产单晶硅晶锭时的零缺陷成品率、产量和平均热循环时间均得到改善。$#!
多晶炉料制备熔硅熔料方法

[发明专利]速熔硅助熔剂、速溶硅及速熔硅的制备方法-CN201510755502.X在审
发明人：彭仁健;赵斌南;冯中慧 -专利权人：湖南创元铝业有限公司
申请日： 2015-11-07 - 公布日： 2016-01-20 - 主分类号： C22C21/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种速熔硅助熔剂，按重量百分比计，由以下组份组成：助熔剂70～90％；改性剂5～20％；粘硅剂5～20％；本发明提供了一种速溶硅，所述速熔硅助熔剂与所述工业硅的质量比为(1～3)：(97～99)；本发明提供了该速溶硅的制备方法，包括：步骤一、将助熔剂、改性剂和粘硅剂按比例混合完成速熔硅助熔剂的制备；步骤二、将熔硅助熔剂和工业硅按质量比混合，自然风干后再烘干即完成速熔硅的制备。与相关技术相比，本发明有益效果在于，本发明所公开的速熔硅助熔剂粘附力强，与工业硅搅拌粘附后不易脱落。在制作速熔硅过程中，配入量少，但不影响速熔硅的使用效果。
速熔硅助熔剂速溶速熔硅制备方法

[实用新型]铸锭炉及其热交换装置-CN201320564413.3有效
发明人：王晓磊;王涛 -专利权人：保定天威英利新能源有限公司
申请日： 2013-09-11 - 公布日： 2014-02-26 - 主分类号： C30B28/06 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种铸锭炉及其热交换装置，其中铸锭炉的热交换装置上开设有用于对熔硅导流的熔硅通道。当熔硅泄漏到热交换装置上时，熔硅的流向被熔硅通道导流，熔硅通道与泄漏孔相对应，所以熔硅会被直接导流到泄漏孔中，从而被泄漏检测装置检测到，触发泄漏警报。这样工作人员就可以第一时间得知熔硅泄漏事故的发生，并采取处理措施，将损失降低到最小，避免严重事故的发生。
铸锭及其热交换装置

[发明专利]熔丝结构以及形成熔丝结构的方法-CN201010244197.5有效
发明人：毛剑宏 -专利权人：江苏丽恒电子有限公司
申请日： 2010-07-30 - 公布日： 2012-02-08 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：一种熔丝结构以及形成熔丝结构的方法，该方法包括：提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成有电路结构，在所述电路结构上形成有金属互连层；在所述金属互连层上形成熔丝以及熔丝与所述金属互连层的互连结构，所述熔丝的材料选自多晶锗硅、多晶锗、非晶硅、非晶锗或者非晶锗硅。由于多晶锗硅、多晶锗、非晶硅、非晶锗、非晶锗硅的电阻值高，在熔断多晶锗硅熔丝、多晶锗熔丝、非晶硅熔丝、非晶锗熔丝或者非晶锗硅熔丝时，所需熔断电流小，不易破坏相关的电路结构，该方法形成的熔丝结构堆叠在金属互连层上
结构以及形成方法

[发明专利]单晶硅制备装置及其控制方法-CN202310218030.9有效
发明人：曹建伟;朱亮;叶钢飞;高宇;王小飞;李玉刚 -专利权人：浙江求是半导体设备有限公司
申请日： 2023-03-08 - 公布日： 2023-06-27 - 主分类号： C30B15/00 文献下载
摘要：本申请提供一种单晶硅制备装置，包括：晶体生长炉；坩埚；加热机构；升降机构；晶体生长炉的底部设置有第一炉底板，第一炉底板上方的至少部分区域铺设有防漏保护机构，当坩埚发生漏硅时，防漏保护机构承接并冷却漏硅熔体，使漏硅熔体在防漏保护机构表面结成防护层，以防止漏硅熔体熔穿第一炉底板。本申请在炉底板间设计有防漏保护机构，可以在坩埚发生漏硅时由防漏保护机构承接漏硅熔体并冷却漏硅熔体结成防护层，防止漏硅熔体将炉底板熔穿，确保单晶硅制备过程的安全性。
单晶硅制备装置及其控制方法

[发明专利]一种生长薄板硅晶体的方法-CN201110193163.2有效
发明人：李乔;马远 -专利权人：浙江碧晶科技有限公司
申请日： 2011-07-11 - 公布日： 2011-11-30 - 主分类号： C30B15/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种生长薄板硅晶体的方法，包括：将由硅原料熔化所形成的硅熔液流入到液态衬底的上面，所述的硅熔液浮于所述的液态衬底之上，形成硅熔液薄层；再通过温度场控制，使得在所述的硅熔液薄层和液态衬底的水平方向形成温度梯度，最终所述的硅熔液薄层结晶生成薄板硅晶体。由于液态衬底物质对硅熔液/硅晶体的支撑作用，容易形成表面平整的薄板硅。本发明的生长薄板硅晶体的方法中，不采用固体模具或提拉线即可形成硅熔液薄层，生长过程中不存在破坏晶体结构的物质，从而生成的薄板硅结晶颗粒大，生成的薄板硅面积大，产量高；在有单晶硅片引导的前提下，可生产薄板单晶硅
一种生长薄板晶体方法

[发明专利]多晶硅熔丝监控结构及监控方法-CN201310304225.1有效
发明人：苗彬彬 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2013-07-19 - 公布日： 2017-12-05 - 主分类号： H01L23/525 文献下载
摘要：本发明公开了一种多晶硅熔丝监控结构，包含一段特定长宽的多晶硅熔丝，及两连接该多晶硅熔丝两端的引出端，距离多晶硅及引出端一定距离包围有一圈不闭合的链条型环带，环带两端为另两引出端。本发明还公开了所述多晶硅熔丝监控结构的监控方法，通过上述结构，调整链条型环带与多晶硅熔丝之间的距离，能有效监控多晶硅熔丝熔断前后，不闭合链条型环带的电阻值的变化，得出多晶硅熔丝到多晶硅熔丝周围电路的安全距离
多晶硅熔丝监控结构方法

[发明专利]一种利用脉冲电流分离多晶硅中杂质元素的方法及多晶硅-CN202111177346.5在审
发明人：张新房;戴亚雄;秦书洋;张宝雨;任少飞 -专利权人：北京科技大学
申请日： 2021-10-09 - 公布日： 2021-12-07 - 主分类号： C01B33/037 文献下载
摘要：本发明提供了一种利用脉冲电流分离多晶硅中杂质元素的方法及多晶硅，涉及多晶硅净化技术领域，能够通过施加脉冲电流，仅依靠电场作用下元素在熔体中的溶解度降低来一次性去除硅熔体中的杂质元素；该方法通过向多晶硅熔体中施加脉冲电流降低多晶硅熔体的电阻率，进而降低杂质铁在多晶硅基体中的溶解度，促使多晶硅熔体中的杂质铁呈析出状态，并在重力作用下下沉至多晶硅熔体底部，实现杂质分离；在杂质分离且多晶硅熔体凝固后将多晶硅铸锭底部切除，得到高纯多晶硅铸锭。本发明提供的技术方案适用于多晶硅净化的过程中。
一种利用脉冲电流分离多晶杂质元素方法

[发明专利]一种可去除含碳杂质的太阳能级硅晶体的制备方法-CN200910099619.1无效
发明人：李乔;马远 -专利权人：浙江碧晶科技有限公司
申请日： 2009-06-11 - 公布日： 2009-11-04 - 主分类号： C30B15/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种可去除含碳杂质的太阳能级硅晶体的制备方法，包括将带有含碳杂质的硅原料置入晶体提拉炉内的坩埚内，加热使坩埚内的硅原料熔化并使硅熔液与SiO₂接触，保持硅熔液温度1420～1750℃，调整硅熔液表面的真空度使得含碳杂质与SiO₂的反应加速，并导致硅熔液表面波动或鼓泡，使生成的SiO和CO逸出；控制硅熔液温度在1410～1500℃之间，调节硅熔液表面真空度使硅熔液表面停止波动或鼓泡，通过籽晶诱导制备硅晶体。本发明制备方法可采用高碳含量的多晶硅原料生产出低碳含量的硅晶体，减少生产硅单晶时断棱(失去单晶结构)的概率，提高产品的质量和成品率。
一种去除杂质太阳能级晶体制备方法

[发明专利]一种硅的提纯装置及方法-CN201910366209.2有效
发明人：张云虎;申延平;叶春洋;苏月莹;常旺;徐智帅;郑红星;宋长江;翟启杰 -专利权人：上海大学
申请日： 2019-05-05 - 公布日： 2022-06-24 - 主分类号： C01B33/037 文献下载
摘要：本发明公开了一种硅的提纯装置及方法，包括电极、保温加热装置、测温装置、通电线圈、熔炼装置、拉杆和冷却装置。设备工作时，将含硅合金或硅熔体放入熔炼装置中，然后给电极和线圈通电，熔炼装置底部的电极在熔体底部产生一个环流，通电线圈在熔体的中、上部会产生一个环流，在整个熔体内形成强制对流，进而把熔体中、上部的硅元素运输熔炼装置底部最终，含硅合金或硅熔体在拉杆和冷却装置的作用下，开始定向凝固，使更高纯度的硅不断的析出凝固。若熔炼装置中熔体上部硅元素含量下降，向熔炼装置中添加低纯硅，如此反复，最后将凝固的硅锭进行酸洗，去除金属元素，从而起到提纯硅的效果。
一种提纯装置方法

[发明专利]一种单晶炉硅棒拉制用降氧装置-CN202310468548.8有效
发明人：李林东;陈伟;许堃;陈志军;毛亮亮;吴超慧;丁云飞;李安君;罗昌平;周嘉菊 -专利权人：苏州晨晖智能设备有限公司;云南宇泽半导体有限公司
申请日： 2023-04-27 - 公布日： 2023-07-21 - 主分类号： C30B15/10 文献下载
摘要：本发明揭示了一种单晶炉硅棒拉制用降氧装置，通过采用在硅棒拉制的过程中改变熔硅坩埚内径的方式，从而使熔硅坩埚的内径由大到小缓慢变化，方便使熔硅深度在较小的情况下使熔硅量始终满足拉制需求，从而在拉制过程中使热对流现象得到有效降低，实现降氧的目的，并且方便使硅棒拉制长度能够满足要求，提高硅棒产能，减少熔硅剩余；包括单晶炉体和安装在单晶炉体内的熔硅坩埚，所述熔硅坩埚由位于底部的底盘和位于底盘上表面的多个第一拼接板和多个第二拼接板组成
一种单晶炉硅棒拉制用降氧装置

[发明专利]一种高硅铝合金及其制备方法-CN202011221403.0在审
发明人：胡建华;藏伟华 -专利权人：东莞市兴茂压铸有限公司
申请日： 2020-11-05 - 公布日： 2021-03-02 - 主分类号： C22C1/02 文献下载
摘要：本发明属于铝合金成型加工技术领域，尤其涉及一种高硅铝合金及其制备方法，包括以下步骤：1)、将铝硅合金熔体加热至650℃以上，进行保温；2)、向步骤1)得到的铝硅合金熔体中加入精炼剂同时进行搅拌，再将精炼后得到的铝硅合金熔液进行夹杂清除；3)、向步骤2)得到的铝硅合金熔体中加入细化剂，进行搅拌，然后将超声波仪器的工具头伸入搅拌后的铝硅合金熔体进行超声波处理；4)、将步骤3)得到的铝硅合金熔体降温至620℃～650℃且进行保温，然后对该铝硅合金熔体进行除杂和净化相比于现有技术，本发明工艺简单易行，生产成本低廉，初生硅细化效果良好。
一种铝合金及其制备方法

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