专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]高温真空石墨烧结-CN202210000262.2在审
  • 张小元;张亚;郝国奇;陈永强 - 昇力恒(宁夏)真空科技股份公司
  • 2022-01-03 - 2022-04-12 - F27B21/00
  • 本发明提供一种高温真空石墨烧结,属于真空烧结设备技术领域。该温真空石墨烧结包括筒及设置在筒两端的盖,筒内设置有主体,盖内侧设置有端盖组件,端盖组件包括前、滑轨及驱动件,滑轨固定设置在盖上,前滑动设置于滑轨上,驱动件的输出端连接前,当盖盖合于筒时,驱动件能够驱动盖合于主体的端部的前主体分离。烧结完成后,自然降温至适合的温度后,驱动件向前施加一个远离主体的端部的力,使得前主体分离,形成气体交换通道,加速内均热区的降温速率,从而有利于缩短降温时间,加快降温速率。
  • 高温真空石墨烧结炉
  • [实用新型]一种对中装置及单晶-CN202222823013.1有效
  • 相鹏飞;文永飞;成路;郭瑞波;程磊;马少林;张朝光;王莎莎;丁彪;马宝 - 隆基绿能科技股份有限公司
  • 2022-10-25 - 2023-05-02 - C30B29/06
  • 本实用新型涉及单晶硅制造技术领域,特别是涉及一种对中装置及单晶对中装置中悬挂组件的一端与连接;悬挂组件的另一端穿设于竖直导向组件,并与竖直导向组件活动连接;竖直导向组件用于调整悬挂组件的竖直高度;竖直导向组件与水平导向组件固定连接;水平导向组件与单晶或单晶内的工作件连接本实用新型实施例的对中装置,可以在水平方向和竖直方向调整在单晶内的位置,使得与单晶的对中性及一致性相对较好,进而保证在单晶场中的位置准确,避免出现场漏、气流不稳等问题,而影响拉晶品质
  • 一种装置单晶炉
  • [发明专利]单晶-CN201110455273.1无效
  • 汤仁兴 - 汤仁兴
  • 2011-12-31 - 2013-07-03 - C30B15/14
  • 本发明涉及一种单晶,属于单晶硅的生产制造设备技术领域。一种单晶,其特征在于:它内热层(1)和外层(2),所述内热层(1)和外层(2)之间设有保温层(3)。这种单晶在内热层和外层之间增设了保温层,该保温层的材料为软毡,其导热系数小,隔热性能好,使得内热层的温度不易传到外层上,从而提高了的保温性能,保证了单晶硅的正常生产。
  • 单晶炉
  • [实用新型]一种单晶用涂层-CN201120135579.4有效
  • 钮应喜 - 常州天合光能有限公司
  • 2011-04-30 - 2011-12-14 - C30B15/14
  • 本实用新型涉及单晶装置技术领域,特别是一种单晶用涂层,包括外层、内层以及内外层之间的保温层,在内、外层表面覆盖解碳层。本实用新型的有益效果是:1)本表面涂覆的解碳,极大地增大场纵向温度梯度,相比现有相比,可使得长晶速度提高20%。2)大大降低了能耗,与现有场相比能耗降低10%。
  • 一种单晶炉用涂层
  • [实用新型]一种半导体级单晶生长设备的可分离式提升机构-CN202022467092.8有效
  • 刘丁;弋英民;张晶;张新雨;黄伟超 - 西安理工大学
  • 2020-10-30 - 2021-07-27 - C30B15/00
  • 本实用新型公开了一种半导体级单晶生长设备的可分离式提升机构,包括上活动设置有盖,盖之间设置有提升机构,提升机构具体结构为:包括一对平行竖直设置的提升杆,提升杆的下端安装有扇形的旋片挂钩,杆的上端连接有旋转拧手,提升杆的上下运动是通过提升电机带动丝杠的旋转,从而驱动与提升杆上部连接的运动支座实现提升和下降的动作,运动支座通过下方安装的波纹管与连接底座法兰连接为一个整体,整个提升机构就是通过热连接底座法兰安装固定在盖的对应窗口位置。本实用新型解决了现有技术中存在的高温对提升杆的影响以及提升杆对温度梯度影响的问题。
  • 一种半导体级单晶生长设备可分离式热屏提升机构
  • [发明专利]组件及单晶提拉场结构-CN201610728299.1在审
  • 邓先亮;赵向阳;陈强 - 上海新昇半导体科技有限公司
  • 2016-08-25 - 2018-03-09 - C30B15/14
  • 本发明提供一种组件及单晶提拉场结构,所述组件包括及位于所述外围的排气管。本发明的组件通过在的外围设置一组排气管,将所述组件用于单晶提拉场结构时,所述排气管可以作为新增的氩气出口,可以改变氩气在场结构内流动的路径,使得氩气在场结构内不易形成涡旋。同时可以将从熔体中挥发的SiO及时排出,减少氩气流中的SiO进入熔体及与坩埚下方的高温石墨元件反应,从而延长各石墨组件的使用寿命,降低晶体中的氧含量和碳含量,并降低长晶结束后清的难度;同时,所述组件还可以通过改变排气管中的流速,调节附近的温度梯度。
  • 组件单晶提拉炉热场结构

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