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[发明专利]半导体器件-CN202211104090.X在审
发明人：森下泰之 -专利权人：瑞萨电子株式会社
申请日： 2022-09-09 - 公布日： 2023-03-24 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：一种半导体器件包括由MOSFET配置的保护元件，并且保护元件具有多层金属布线结构。多层金属布线结构包括连接到MOSFET的漏极区域的漏极连接布线和连接到MOSFET的源极区域的源极连接布线。在多层金属布线结构的层中的、所述漏极连接布线和所述源极连接布线两者都存在的部分中，仅漏极区域或源极连接布线以粒状图案布局。
半导体器件

[发明专利]液晶显示装置及其制造方法-CN200610081917.4有效
发明人：永野慎吾;升谷雄一 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2006-05-09 - 公布日： 2006-11-15 - 主分类号： G02F1/136 文献下载
摘要：在源极布线(2)下层隔着栅极绝缘膜(8)，沿源极布线(2)配置第一电极图案(11)，在源极布线(2)上层隔着层间绝缘膜(9)，沿源极布线(2)，且在基本不与所述源极布线(2)重叠的位置配置第二电极图案(12)，通过配置在上下层的电极图案(11、12)有效屏蔽来自源极布线(2)的泄漏电场。另外，第一电极图案(11)与栅极布线(1)以及第二电极图案(12)与对置电极(6)，由同一层导电膜形成。从而，得到减少来自源极布线(2)的泄漏电场导致液晶(300)取向的散乱，同时增大开口率且不增加制造工序而使源极布线(2)与对置电极(6)之间不易发生短路的液晶显示装置及其制造方法。
液晶显示装置及其制造方法

[发明专利]开关电路、采样保持电路以及固体摄像装置-CN201480032123.1有效
发明人：山崎晋;萩原义雄 -专利权人：奥林巴斯株式会社
申请日： 2014-08-07 - 公布日： 2018-09-07 - 主分类号： H04N5/374 文献下载
摘要：开关电路具有：半导体层，其包括源极区域、漏极区域以及配置于所述源极区域和所述漏极区域之间的通道区域；栅极电极，其与所述通道区域对置配置；源极布线，其由导电率高于所述半导体层的第1材料形成，与所述源极区域相连接；漏极布线，其由导电率高于所述半导体层的第2材料形成，与所述漏极区域相连接；以及去耦布线，其由导电率高于所述半导体层的第3材料形成，配置于所述源极布线和所述漏极布线之间。根据所述栅极电极的电压，在第1期间内所述源极区域和所述漏极区域处于导通状态，在与所述第1期间不同的第2期间内，所述源极区域和所述漏极区域处于非导通状态。所述源极布线或所述漏极布线的电压在所述第2期间内变化。所述去耦布线的电压在所述第2期间内是恒定的。
开关电路采样保持电路以及固体摄像装置

[发明专利]薄膜晶体管阵列基板以及使用该基板的液晶显示装置-CN201310278703.6无效
发明人：奥本和范 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2013-07-04 - 公布日： 2014-01-22 - 主分类号： G02F1/1362 文献下载
摘要：TFT阵列基板具备：栅极布线(4)，对构成绝缘性基板(6)上的像素的像素电极进行驱动；源极布线(5)，隔着绝缘膜与栅极布线(4)交叉；源极电极(3)，与源极布线(5)连接；漏极电极(2)，与源极电极(3在源极电极（3）以及漏极电极（2）的下层配设有与这些源极电极（3）以及漏极电极（2）连接的半导体层（1）。半导体层（1）的端面在栅极布线（4）上与源极布线（5）的端面、源极电极（3）的端面以及漏极电极（2）的端面不交叉，位于漏极电极（2）之下的半导体层（1）的部分具有在俯视图中内包于栅极布线（4）的端面。
薄膜晶体管阵列以及使用液晶显示装置

[发明专利]功率半导体装置-CN201980019947.8在审
发明人：平尾高志;清水悠佳 -专利权人：日立汽车系统株式会社
申请日： 2019-02-07 - 公布日： 2020-11-03 - 主分类号： H01L25/07 文献下载
摘要：功率半导体装置具备：多个子模块，其具备被夹在源极导体和漏极导体之间的半导体元件、传递该半导体元件的感测信号的感测布线、和配置该感测布线及源极导体的绝缘部；以及源极外侧导体，其在多个子模块的每一个中覆盖源极导体而形成且与该源极导体接合，多个子模块所包含的各个源极导体具有突出部，该突出部从该源极导体朝向感测布线而形成且与感测布线连接，并且规定感测布线和源极外侧导体的距离。
功率半导体装置

[发明专利]半导体装置及其制造方法-CN202210173733.X在审
发明人：松本拓也 -专利权人：住友电工光电子器件创新株式会社
申请日： 2022-02-24 - 公布日： 2022-09-09 - 主分类号： H01L27/088 文献下载
摘要：半导体装置具备：基板；第一源极叉指；第一栅极叉指，在第一源极叉指的延伸方向上延伸；第二源极叉指，具有比第一源极叉指的宽度小的宽度，宽度方向的宽度处于第一源极叉指的宽度内，在延伸方向上延伸；第二栅极叉指，在延伸方向上延伸；第一源极布线，连接第一源极叉指和第二源极叉指；第一栅极布线，与第二栅极叉指夹着第二源极叉指，宽度方向的宽度处于第一源极叉指的宽度内；第二栅极布线，与第一源极布线非接触地交叉，连接第一栅极布线和第一栅极叉指；及第一漏极叉指，与第一源极叉指夹着第一栅极叉指，与第二源极叉指夹着第二栅极叉指。
半导体装置及其制造方法

[发明专利]一种阵列基板及显示装置-CN201510379820.0有效
发明人：曹占锋;张锋;张斌;何晓龙;高锦成;姚琪;李正亮;孔祥春 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司
申请日： 2015-07-01 - 公布日： 2017-11-14 - 主分类号： G02F1/1345 文献下载
摘要：本发明实施例公开了一种阵列基板及显示装置，涉及显示技术领域，可以降低阵列基板周边区域内布线之间发生静电击穿的概率。所述阵列基板的周边区域内设置有多条栅极材料布线、多条源漏极材料布线和多条第一金属布线，所述栅极材料布线与所述源漏极材料布线和所述第一金属布线之间具有交叠区域，所述源漏极材料布线与所述第一金属布线之间的交叠区域的数量小于所述源漏极材料布线与所述栅极材料布线之间的交叠区域的数量，所述多条栅极材料布线、所述多条源极材料布线和所述多条第一金属布线均用作所述周边区域的电路的连接线。
一种阵列显示装置

[发明专利]一种基于轨道同时连接源极栅极的紧凑布线方法-CN201711204171.6有效
发明人：刘伟平;张亚东;杨祖声;陆涛涛 -专利权人：北京华大九天软件有限公司
申请日： 2017-11-27 - 公布日： 2020-04-03 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：一种基于轨道同时连接源极栅极的紧凑布线方法，根据创建的包裹像素区的椭圆作为布线轨道，利用平行端口轨道布线器进行源极布线；对于椭圆的下半圆的栅极端口，将最外侧的源极布线和已有椭圆轨道图形进行布尔或运算，得到栅极布线的新轨道图形；基于新轨道图形，利用垂直端口轨道布线器进行栅极布线。本发明的布线技术方案可以成功解决异形面板TFT源极栅极直连IC的设计问题，满足设计的几何约束，节省空间，减少了DATA布线与GATE布线的重叠面积。
一种基于轨道同时连接栅极紧凑布线方法

[发明专利]液晶显示装置-CN201610515030.5有效
发明人：广泽仁 -专利权人：株式会社日本显示器
申请日： 2016-07-01 - 公布日： 2019-09-27 - 主分类号： G02F1/1362 文献下载
摘要：液晶显示装置，具备：第1基板，具备第1栅极布线及第2栅极布线、与第1栅极布线及第2栅极布线交叉的第1源极布线及第2源极布线、配置在1栅极布线及上述第2栅极布线与第1源极布线及第2源极布线的上方的第1层间绝缘膜第2电极具有外周边缘，该外周边缘包含位于第1源极布线侧的第1边缘、位于第2源极布线侧的第2边缘、位于第1栅极布线侧的第3边缘、以及位于第2栅极布线侧的第4边缘。
栅极布线源极布线电极层间绝缘膜第1基板液晶显示装置外周边缘第2基板对置液晶层配置

[发明专利]半导体装置-CN201480012059.0有效
发明人：理崎智光 -专利权人：精工半导体有限公司
申请日： 2014-02-14 - 公布日： 2017-11-21 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：为了提供ESD耐量高的半导体装置，源布线(32a)在NMOS晶体管(30)的区域中设置在栅极(31)和源极(32)上。源布线(32a)将栅极(31)、源极(32)和接地端子电连接。漏布线(33a)在NMOS晶体管(30)的区域中设置在漏极(33)上。漏布线(33a)将漏极(33)和作为外部连接用电极的焊盘(20)电连接。此外，在NMOS晶体管(30)的区域中，漏布线(33a)具有与源布线(32a)的布线宽度相同的布线宽度。
半导体装置

[发明专利]薄膜晶体管阵列及其制造方法-CN201680053528.2有效
发明人：石崎守 -专利权人：凸版印刷株式会社
申请日： 2016-09-08 - 公布日： 2020-11-06 - 主分类号： G09G3/36 文献下载
摘要：本发明提供能够使源极布线及栅极布线的一方的信号数设为少于一半的薄膜晶体管阵列。薄膜晶体管阵列在绝缘基板上配置有多个栅极布线、多个源极布线以及作为像素以矩阵状配置有多个的晶体管，该晶体管形成在该栅极布线及源极布线的各交点附近，栅电极与所述栅极布线连接，源电极与所述源极布线连接，漏电极与像素电极连接，其中，多个源极布线分别与配置在规定列中的所述像素连接，多个栅极布线的至少一部分分别具有与由规定行的连续的恒定数量的所述像素构成的像素群、与配置有与所述规定行相邻的行的所述像素群的列相邻地连续的列的像素群连接的部分
薄膜晶体管阵列及其制造方法

[发明专利]薄膜晶体管阵列-CN201980056442.9在审
发明人：石崎守 -专利权人：凸版印刷株式会社
申请日： 2019-08-23 - 公布日： 2021-04-09 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：薄膜晶体管阵列包括列布线和行布线、以及包含薄膜晶体管的像素，对薄膜晶体管而言，源极电极在俯视时为恒定宽度的线状，漏极电极在俯视时具有隔着规定距离的间隙而包围源极电极的U字部，半导体图案至少在源极电极以及漏极电极间构成沟道区域，栅极电极隔着栅极绝缘膜而与沟道区域重叠，在俯视时包括沟道区域，源极电极与列布线连接，栅极电极通过栅极连接布线而与行布线连接，漏极电极通过漏极连接布线而与像素电极连接。
薄膜晶体管阵列

[发明专利]用于绝缘体上硅射频开关器件结构的制造方法-CN201510189304.1有效
发明人：刘张李 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2015-04-17 - 公布日： 2018-03-30 - 主分类号： H01L21/8238 文献下载
摘要：一种用于绝缘体上硅射频开关器件结构的制造方法，包括形成绝缘体上硅射频开关器件的基本结构，基本结构包括在有源层中形成的源极区域、栅极区域和漏极区域，其中在栅极区域上形成了栅极氧化层和栅极多晶硅，有源层上覆盖有介质层，在介质层上形成有通过通孔分别与源极区域和漏极区域连接的源极金属布线和漏极金属布线；沉积介质材料并对沉积的介质材料进行平坦化处理，以使得介质层的厚度变大，其中介质材料完全覆盖源极金属布线和漏极金属布线；在介质层中刻蚀出位于源极金属布线和漏极金属布线之间的凹槽；在凹槽中部分地填充介质材料，以便在凹槽中形成被介质材料包围的空隙。
用于绝缘体射频开关器件结构制造方法

[发明专利]显示装置-CN201410522118.0在审
发明人：新木盛右;冲田光隆;西山和广;木田芳利;石崎刚司;安住康平;水桥比吕志 -专利权人：株式会社日本显示器
申请日： 2014-09-30 - 公布日： 2015-04-15 - 主分类号： G02F1/1333 文献下载
摘要：在将共用电极布线层沿源极布线层方向分割的情况下，在共用电极布线层的分割位置处无法配置金属布线层，TFT玻璃基板和CF玻璃基板产生组装偏移时具有发生视场角混色的可能性。本发明的显示装置将共用电极布线层沿源极布线层方向分割，在源极布线层的上方且在与共用电极布线层上相接的部分处配置金属布线层，在共用电极布线层的分割位置处不配置金属布线层。也可以是，虽然是源极布线层的上方，但在与共用电极布线层的分割位置的色间为同色的色间，不配置金属布线层。
显示装置

[发明专利]显示装置-CN201810341871.8有效
发明人：新木盛右;冲田光隆;西山和广;木田芳利;石崎刚司;安住康平;水桥比吕志 -专利权人：株式会社日本显示器
申请日： 2014-09-30 - 公布日： 2021-06-29 - 主分类号： G02F1/1333 文献下载
摘要：在将共用电极布线层沿源极布线层方向分割的情况下，在共用电极布线层的分割位置处无法配置金属布线层，TFT玻璃基板和CF玻璃基板产生组装偏移时具有发生视场角混色的可能性。本发明的显示装置将共用电极布线层沿源极布线层方向分割，在源极布线层的上方且在与共用电极布线层上相接的部分处配置金属布线层，在共用电极布线层的分割位置处不配置金属布线层。也可以是，虽然是源极布线层的上方，但在与共用电极布线层的分割位置的色间为同色的色间，不配置金属布线层。
显示装置

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