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[发明专利]溅射腔室-CN201910831322.3有效
发明人：纪红;史小平;兰云峰;秦海丰;赵雷超;张文强 -专利权人：北京北方华创微电子装备有限公司
申请日： 2019-09-03 - 公布日： 2022-03-08 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本揭露涉及溅射腔室。一种溅射腔室包括基座、进气口、出气口和内衬结构。基座置于溅射腔室内，用于承载工作件。进气口置于基座的上方，进气口用于至少通入反应气体和溅射气体，其中反应气体与溅射气体的气体流量比例小于1，且溅射腔室的工作压力低于10mTorr。出气口置于基座的下方，出气口用于与抽气装置连接以将溅射腔室维持在预定的环境。内衬结构置于溅射腔室内且于加工时环绕基座以形成反应区，内衬结构将进气口和出气口隔离并在溅射腔室内形成相互独立的进气通道和出气通道，进气通道连通进气口和反应区，出气通道连通反应区和出气口，其中内衬结构用于使反应气体在反应区内均匀分布
溅射

[发明专利]溅射镀膜设备-CN202210136775.6在审
发明人：高佳 -专利权人：东莞市峰谷纳米科技有限公司
申请日： 2022-02-15 - 公布日： 2022-05-24 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本发明公开了溅射镀膜设备，包括送料机构与溅射镀膜机构，溅射镀膜机构包括周转室、第一溅射腔室、第二溅射腔室、第三溅射腔室以及第四溅射腔室，周转室设于溅射镀膜机构的中间，而第一溅射腔室、第二溅射腔室、第三溅射腔室以及第四溅射腔室依次围绕周转室设置，第一溅射腔室的外部设有低压溅射装置，第二溅射腔室的外部设有第一磁控溅射装置、第二磁控溅射装置以及第三磁控溅射装置，第三溅射腔室的外部设有第四磁控溅射装置、电感耦合等离子光谱发生仪以及第五磁控溅射装置，第四溅射腔室的外部设有第一RF离子源清洗装置、第六磁控溅射装置以及第七磁控溅射装置。
溅射镀膜设备

[实用新型]一种镀膜设备-CN201821324947.8有效
发明人：郑良结;曾德春;江湖;吴建清 -专利权人：米亚索乐装备集成（福建）有限公司
申请日： 2018-08-16 - 公布日： 2019-06-25 - 主分类号： C23C14/34 文献下载
摘要：本实用新型提供一种镀膜设备，包括：溅射腔；用于开启或关闭所述溅射腔的腔门；以及，保护件，可拆卸连接于所述溅射腔上，并位于所述溅射腔与所述腔门之间。由于溅射腔上连接有保护件，且保护件位于溅射腔与腔门之间，从而在腔门的安装过程中，腔门只会与保护件产生碰撞，而不会与溅射腔产生碰撞，这样，能够减少对溅射腔尤其是溅射腔的腔口处的损坏。
溅射腔腔门保护件镀膜设备本实用新型可拆卸连接安装过程腔口处

[发明专利]一种离子束溅射镀膜设备-CN202011315012.5在审
发明人：范江华;胡凡;陈特超;毛朝斌;罗超;程文进 -专利权人：中国电子科技集团公司第四十八研究所
申请日： 2020-11-20 - 公布日： 2021-03-12 - 主分类号： C23C14/46 文献下载
摘要：本发明公开了一种离子束溅射镀膜设备，包括预真空腔室、溅射腔室、基片台、溅射离子源、清洗离子源和溅射靶台，预真空腔室与溅射腔室对接且二者之间设置一控制通断的隔离阀，基片台位于溅射腔室内并可从溅射腔室移动至预真空腔室内，清洗离子源设于溅射腔室内并与基片台相对布置，溅射靶台可旋转的设于溅射腔室内，溅射离子源可旋转的设于溅射腔室内，溅射离子源朝向溅射靶台，溅射靶台朝向基片台。本发明具有优化溅射工艺膜层均匀性以及沉膜速率、防止溅射离子束超出溅射靶材范围导致所沉积膜层引入杂质、利于缩小溅射靶材尺寸，提高溅射靶材有效利用率、降低溅射靶材使用成本的优点。
一种离子束溅射镀膜设备

[发明专利]溅射工艺反应腔-CN202311038211.X在审
发明人：汪昌州;宋维聪 -专利权人：上海陛通半导体能源科技股份有限公司
申请日： 2023-08-16 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： C23C14/50 文献下载
摘要：本发明公开了一种溅射工艺反应腔，通过设置第一冷却件和第二冷却件，同时第一冷却件和第二冷却件的上下表面均各自设置了多个能够喷出冷却介质的冷却孔，因此通过这样通过第一冷却件和第二冷却件能够同时对晶圆的上下表面以及加热基座和腔室整体进行冷却降温，可以有效降低晶圆由于磁控溅射引起的升温现象，避免了晶圆升温对薄膜质量的影响，保证了工艺过程的稳定进行，提高效率。
溅射工艺反应

[实用新型]防干扰柔性磁控溅射装置-CN201620546641.1有效
发明人：王鲁南;李锺允;朴勝一;全武贤;朴翰镇;王建华;窦立峰 -专利权人：南京汇金锦元光电材料有限公司
申请日： 2016-06-07 - 公布日： 2017-02-22 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本技术解决了因各溅射腔内输入的气流流量不同而导致相邻溅射腔相互干扰，影响各溅射腔的沉积效果的问题，提供了一种相邻溅射腔互不干扰的防干扰柔性磁控溅射装置。它是在一个真空腔体内设置有多个磁控溅射阴极，每个磁控溅射阴极具有一个阴极屏蔽罩所形成的溅射腔体，阴极靶材位于各溅射腔内，各溅射腔体均与输入工作气体、反应气体的输入装置相通，各溅射腔均通过一个可以调节开度的阀门与真空泵相连
干扰柔性磁控溅射装置

[发明专利]多阴极磁控溅射干扰控制装置及方法-CN201610398279.2在审
发明人：王鲁南;李锺允;朴勝一;全武贤;朴翰镇;王建华;窦立峰 -专利权人：南京汇金锦元光电材料有限公司
申请日： 2016-06-07 - 公布日： 2016-08-24 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本技术解决了因各溅射腔内输入的气流流量不同而导致相邻溅射腔相互干扰，影响各溅射腔的沉积效果的问题，提供了一种相邻溅射腔互不干扰的多阴极磁控溅射干扰控制装置和方法，该干扰控制装置是在一个真空腔体内设置有多个磁控溅射阴极，每个磁控溅射阴极具有一个阴极屏蔽罩所形成的溅射腔体，阴极靶材位于各溅射腔内，各溅射腔体均与输入工作气体、反应气体的输入装置相通，各溅射腔均通过一个可以调节开度的阀门与真空泵相连。该控制方法，是使用该干扰控制装置，通过调节阀门的开度而调节真空泵对连接有该阀门的溅射腔的抽气速度，使得通过输入装置进入该溅射腔内的气体流量与该溅射腔内被真空泵抽出的气流流量相等。
阴极磁控溅射干扰控制装置方法

[发明专利]一种真空溅射镀膜离子激发结构及离子激发方法-CN202211416221.8在审
发明人：张德军 -专利权人：张德军
申请日： 2022-11-12 - 公布日： 2023-01-31 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本申请涉及一种真空溅射镀膜离子激发结构及离子激发方法，一种真空溅射镀膜离子激发结构，包括空心溅射靶以及阴极过滤网，空心溅射靶具有离子溅射腔，离子溅射腔至少具有一个离子溅射口，阴极过滤网正对设置于离子溅射口空心溅射靶接收离子源轰击的过程中，等离子体轰击离子溅射腔的内壁，以使得靶电子和靶原子从空心溅射靶的表面溅射出来，通过在离子溅射口设置阴极过滤网，离子溅射腔内的靶电子被限制在离子溅射腔内，进而继续对离子溅射腔的内壁进行轰击，形成雪崩效应，进而提高金属离化率；金属离化率提高之后，正离子与靶原子一起沉积在待加工的基板上，以提高溅射涂层与基体的结合力，提高溅射涂层的适用性。
一种真空溅射镀膜离子激发结构方法

[发明专利]一种连续式磁控溅射装置及连续式磁控溅射的方法-CN201711267226.8在审
发明人：毛华云;梁礼渭 -专利权人：江西金力永磁科技股份有限公司
申请日： 2017-12-05 - 公布日： 2018-03-09 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本发明提供了一种连续式磁控溅射装置，包括含有真空腔室、磁控溅射腔室和冷却腔室的磁控溅射炉；所述真空腔室设置在所述磁控溅射腔室的一侧，所述真空腔室和磁控溅射腔室之间用第一可活动装置隔开；所述冷却腔室设置在所述磁控溅射腔室的另一侧，所述冷却腔室和磁控溅射腔室之间用第二可活动装置隔开；所述真空腔室设置于所述磁控溅射炉的入口处，所述冷却腔室设置于述磁控溅射炉的出口处。本发明提供了一种连续式磁控溅射装置，具有连续的三个腔室，按工作顺序分别为真空腔室、磁控溅射腔室、冷却腔室。三个腔室之间以可活动装置隔开，各自工作，互不干扰，从而实现了生产连续性，减少抽真空和冷却的等待时间，提高生产效率。
一种连续磁控溅射装置方法

[发明专利]改善物理溅射工艺稳定性的方法-CN200710093841.1无效
发明人：王海军;方精训;谢煊;季芝慧 -专利权人：上海华虹NEC电子有限公司
申请日： 2007-05-30 - 公布日： 2008-12-03 - 主分类号： C23C14/34 文献下载
摘要：本发明公开了一种改善物理溅射工艺稳定性的方法，在去水蒸气化腔之后通过运送腔连接多个溅射腔，进行溅射工艺的芯片在所述去水蒸气化腔内进行去水蒸气工艺，之后进入所述运送腔，所述运送腔按照先进先出的原则依次将所述运送腔中的晶片运送至空闲的溅射腔中，之后由溅射腔对晶片进行溅射工艺；去水蒸气工艺时间为A，从去水蒸气工艺结束到运送至溅射腔的时间为B，溅射工艺的时间为C，从溅射工艺结束到运送至冷却腔的时间为D，所述溅射腔的数量为n，则需要满足n×(A+本发明避免了晶片进入溅射腔之前等待时间过长而造成晶片不能满足工艺要求而导致报废的情况的发生，大大提高了晶片生产的合格率，降低了生产的成本。
改善物理溅射工艺稳定性方法

[实用新型]一种连续式磁控溅射装置-CN201721674593.5有效
发明人：毛华云;梁礼渭 -专利权人：江西金力永磁科技股份有限公司
申请日： 2017-12-05 - 公布日： 2018-07-24 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种连续式磁控溅射装置，包括含有真空腔室、磁控溅射腔室和冷却腔室的磁控溅射炉；所述真空腔室设置在所述磁控溅射腔室的一侧，所述真空腔室和磁控溅射腔室之间用第一可活动装置隔开；所述冷却腔室设置在所述磁控溅射腔室的另一侧，所述冷却腔室和磁控溅射腔室之间用第二可活动装置隔开；所述真空腔室设置于所述磁控溅射炉的入口处，所述冷却腔室设置于述磁控溅射炉的出口处。本实用新型提供了一种连续式磁控溅射装置，具有连续的三个腔室，按工作顺序分别为真空腔室、磁控溅射腔室、冷却腔室。三个腔室之间以可活动装置隔开，各自工作，互不干扰，从而实现了生产连续性，减少抽真空和冷却的等待时间，提高生产效率。
磁控溅射腔室冷却腔室真空腔室磁控溅射装置磁控溅射炉可活动装置连续式隔开本实用新型三个腔室互不干扰生产效率抽真空入口处冷却生产

[发明专利]磁控溅射腔室及磁控溅射设备-CN201410107896.3有效
发明人：杨玉杰;邱国庆;王厚工 -专利权人：北京北方华创微电子装备有限公司
申请日： 2014-03-21 - 公布日： 2017-12-19 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本发明提供的磁控溅射腔室及磁控溅射设备，其包括承载件和环形磁体组件，其中，承载件用于承载环形磁体组件，并使其与磁控溅射腔室内的等离子体隔离；环形磁体组件环绕在靶材的外围，且位于靠近靶材的位置处，用以在进行溅射沉积工艺时，产生可提高靶材边缘区域的磁场强度的辅助磁场，从而可以增加自靶材边缘区域溅射出粒子的数量，且减少自靶材中心区域溅射出的粒子数量，进而可以提高基片边缘区域的薄膜厚度，减小基片中心区域的薄膜厚度。本发明提供的磁控溅射腔室，其不仅可以更灵活地调节磁控溅射腔室内产生的磁场的分布和强度，而且还可以在能够获得低应力的薄膜的前提下，提高薄膜厚度的均匀性。
磁控溅射设备

[发明专利]磁控溅射腔室及磁控溅射设备-CN201710096324.3有效
发明人：张同文;杨玉杰;丁培军;王厚工 -专利权人：北京北方华创微电子装备有限公司
申请日： 2017-02-22 - 公布日： 2021-05-07 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本发明提供了一种磁控溅射腔室，包括基座；用于承载基片的所述基座的上表面倾斜设置，在承载基片时，用以使基片上沉积厚度较薄的基片区域相对沉积厚度较厚的基片区域距离靶材位的距离较近。本发明还提供一种包含该磁控溅射腔室的磁控溅射设备。该磁控溅射腔室和磁控溅射设备，可以获得薄膜厚度均匀性较好的薄膜。
磁控溅射设备

[实用新型]用于真空溅射腔的防溅射结构-CN202122905456.0有效
发明人：朱飞鹏;王龙;郝波 -专利权人：江苏日久光电股份有限公司
申请日： 2021-11-24 - 公布日： 2022-06-14 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种用于真空溅射腔的防溅射结构，包括底座和固定安装于所述底座上的固定架，所述底座和固定架之间设有绝缘板，所述防溅射结构还包括螺接于所述底座和固定架上的紧固螺丝，所述紧固螺丝与所述固定架之间设有绝缘套本实用新型提供的用于真空溅射腔的防溅射结构，通过绝缘套和防护盖的设置，能够将用于固定连接底座和固定架的紧固螺丝进行密封隔绝，防止真空溅射腔内的溅射物附着于紧固螺丝上，以避免底座和固定架之间导通，从而确保磁控溅射工艺的顺利进行
用于真空溅射结构

[实用新型]一种溅射台用溅射腔-CN202220039447.X有效
发明人：季中伟;张虎 -专利权人：无锡展硕科技有限公司
申请日： 2022-01-07 - 公布日： 2022-07-26 - 主分类号： C23C14/34 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种溅射台用溅射腔，涉及溅射设备领域，包括溅射腔、滑台、电机，溅射腔为方形块体，溅射腔顶部开设有贯穿溅射腔顶部至底部的圆形穿孔，溅射腔底部固定设有挡板，电机固定位于挡板底部，滑台滑移连接于圆形穿孔内部本实用新型具有溅射均匀、溅射计量、防止多工件共同溅射的优点。
一种溅射

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