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- [实用新型]一种深层过滤元件及深层过滤组件-CN202220246484.8有效
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贾建东;范雷;刘招龙
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杭州科百特过滤器材有限公司
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2022-01-29
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2022-06-28
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B01D24/02
- 本实用新型公开了一种深层过滤元件，解决了现有技术中深层过滤介质过渡区与过滤区连接处易发生破裂的技术问题，本实用新型中的深层过滤元件，包括间隔设置的两组深层过滤介质，两组深层过滤介质的外周侧套设有密封包边，以使两组深层过滤介质之间形成空腔，深层过滤介质包括密封区，密封区位于密封包边内；过滤区，过滤区位于密封包边外；过渡区，过渡区连接在过滤区和密封区之间，过渡区内深层过滤介质的最大密度为过滤区内深层过滤介质的平均密度的2‑2.5倍，过渡区包括包绕在过滤区外周的渐变区，渐变区内深层过滤介质的密度自外向内逐渐减小。此外，本实用新型还提供了一种采用上述深层过滤元件的深层过滤组件。
- 一种深层过滤元件组件
- [发明专利]超级结沟槽栅MOSFET及其制备方法-CN202310111201.8在审
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许昭昭
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华虹半导体（无锡）有限公司
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2023-02-13
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2023-07-18
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H01L29/78
- 本发明提供一种超级结沟槽栅MOSFET及其制备方法，其中超级结沟槽栅MOSFET包括：衬底、外延层、体区、主栅极、第一辅栅极、第二辅栅极、伪栅极、源掺杂区、层间介质层、第一至第四导电插塞、深层注入区、第一导电层、第二导电层和漏端金属层，本申请通过将深层注入区设计在第一至第四接触孔底部，可以利用制备接触孔的光罩形成深层注入区，降低了制造成本。此外，在第二辅栅极区域通过横向放置导电插塞/深层注入区，使得Cell区域更容易获得超结的电荷平衡；在联结结构区域，采用横向放置导电插塞/深层注入区，叠加电荷平衡结构区域的纵向放置导电插塞/深层注入区，也使得外围终端区域围住的区域更容易获得超结的电荷平衡
- 超级沟槽mosfet及其制备方法
- [实用新型]果町GOODTIN智能果鲜机-CN202220450733.5有效
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赵宁宁;徐一心;江乐妍;万芊;于铂音
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江南大学
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2022-03-03
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2023-02-24
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B65D81/18
- 本实用新型公开了果町GOODTIN智能果鲜机，包括果鲜机单元，所述果鲜机单元包括机塞、机盖、切板、浅层储存区、沥水板、深层储存区、硅胶套和机箱，所述深层储存区设置于所述机箱内部，且所述硅胶套套装在所述深层储存区下方，所述沥水板放置于所述深层储存区内部且与其内壁卡合悬空配合，所述浅层储存区设置于所述沥水板上方且位于所述深层储存区内部，所述切板放置于所述浅层储存区上方，所述机盖与所述机箱卡合配合且将切板、浅层储存区、沥水板、深层储存区和硅胶套盖合放入机箱内部，所述机塞设置于所述机盖上方中部，并与所述机盖卡合配合，能够很好保存鲜果，便于携带清洗，方便日常使用，占地小。
- 果町goodtin智能果鲜机
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