专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]涂布涂敷液的涂敷设备和方法-CN200880119061.2无效
  • 石津诚二;小山浩 - 丰田自动车株式会社
  • 2008-11-05 - 2010-11-10 - B05C5/02
  • 本发明提供一种涂敷设备和一种涂敷方法,其能够准确地控制涂敷液在待涂敷物上的涂敷宽度。涂敷设备(100)包括:输送装置,其具有用于输送带状的待涂敷物的多个辊子(21,22);涂敷模(11),其用于将涂敷液(32)涂布到待涂敷物(31);以及定位装置,其用于响应于表示涂布到待涂敷物(31)的涂敷液(32)的宽度的涂敷宽度来改变涂敷模(11)相对于待涂敷物(31)的位置,其中所述定位装置通过沿水平方向移动涂敷模(11)来控制涂布到待涂敷物(31)的涂敷液的宽度。
  • 涂布涂敷液敷设方法
  • [发明专利]一种用于铂金通道的涂敷材料-CN201310377789.8在审
  • 徐兴军;闫冬成;李俊锋;张广涛;沈玉国 - 东旭集团有限公司
  • 2013-08-27 - 2014-11-19 - C03C8/00
  • 一种用于铂金通道的涂敷材料,解决了现有铂金部件的玻璃制造装置长久受高温而发生铂金损失并影响玻璃品质的技术问题,采用的技术方案是,所述涂敷材料的配方组分中各成分的重量百分比包括:玻璃成分40-60%、二氧化硅本发明中涂敷组分的选择,是基于涂层体系对基体的保护作用为惰性熔膜屏蔽保护机理,高温时熔融复合相的黏结作用与基体结合,阻止或减缓扩散过程,减少腐蚀介质对基体的侵蚀,以达到保护基体的目的。本发明的有益效果是:在试验过程中,实验结果数据表明,涂敷材料覆盖在铂金片中,未产生铂金损失,具有优异的保护作用。
  • 一种用于铂金通道材料
  • [发明专利]涂敷装置-CN201310128687.2有效
  • 长谷川满 - 住友重机械摩登株式会社
  • 2013-04-15 - 2013-12-04 - B41F31/04
  • 本发明提供一种腔室涂敷装置,其印版滚筒与密封部件的滑动接触部分的密封性能良好。本发明的涂敷装置(1)的腔室(18)具备腔室主体(30)、侧密封件(32)、上刀(34)、及下刀(36),在版面的侧方划分涂敷液室(28)。这种结构中,设置有用于刮取附着于印版滚筒(14)的平滑面的多余的涂敷液的清理刀片(56)。
  • 装置
  • [发明专利]发光元件的制造方法及通过该方法形成的发光元件-CN201410108401.9有效
  • 金泰根;李在训 - 英迪股份有限公司
  • 2014-03-21 - 2017-01-11 - H01L33/00
  • 所述发光元件的制造方法包括:准备半导体叠层结构体的步骤,所述半导体叠层结构体包括P半导体层、n半导体层及形成于所述p半导体层与所述n半导体层之间的活性层;在所述n半导体层的表面或所述p半导体层的表面形成金属薄膜的步骤;对所述金属薄膜进行退火处理,在所述金属薄膜上形成晶界的步骤;向形成晶界的所述金属薄膜的上部涂敷含有石墨粉的液体的步骤;对所述涂敷含有石墨粉的液体的半导体叠层结构体进行热处理的步骤;以及去除形成晶界的所述金属薄膜的步骤
  • 发光元件制造方法通过形成
  • [发明专利]半导体器件-CN01820204.7有效
  • 熊谷幸博;太田裕之;三浦英生;大塚文雄;一濑胜彦;池田修二;竹田敏文;尾内亨裕 - 株式会社日立制作所
  • 2001-12-06 - 2004-06-16 - H01L27/092
  • 一种半导体器件,具有n沟道场效应晶体管和p沟道场效应晶体管,其中该两个晶体管都具有优异的漏电流特性。具有n沟道场效应晶体管(10)和p沟道场效应晶体管(30)的半导体器件包括用作涂敷n沟道场效应晶体管(10)的栅电极(15)的应力控制膜(19)的膜,其膜应力偏移到拉应力。该器件还包括用作涂敷p沟道场效应晶体管(30)的栅电极(35)的应力控制膜(39)的膜,其膜应力更多的是压应力而不是n沟道场效应晶体管(10)的膜(19)那样的应力。这样,期望n沟道和p沟道晶体管来改善漏电流。因此,整体的特性得到改善。
  • 半导体器件
  • [发明专利]涂敷液供给装置及其狭缝涂敷涂敷装置-CN200310119864.7有效
  • 淡河英生;黑川稔记;冈田浩人;生熊正典;三井康裕;小室俊介 - 凸版印刷株式会社
  • 2003-10-23 - 2004-06-02 - B05C11/10
  • 一种涂敷液供给装置,其组合与基板对向配置的具有狭缝状开口的涂敷头,利用涂敷头和基板的任意一方相对于另一方的移动,对基板以预定厚度涂敷预定量的涂敷液的狭缝涂敷涂敷装置来使用,其向涂敷头提供预定量的涂敷液,其特征在于包括:涂敷液供给机构;将涂敷液加压的泵;位于上述泵和上述涂敷头之间的开关阀;检测出利用泵加压后的涂敷液压力并输出涂敷液压力信号的涂敷液压力检测机构;以及利用涂敷头对基板涂敷预定量的涂敷液、在上述开关阀处于开启之前、使通过泵加压后涂敷液压力成为所期望值地控制上述泵动作的涂敷液压力控制机构;或者输入涂敷液压力信号,由上述泵加压后压力超出希望值幅度而发出警报的涂敷液压力不良警报机构。
  • 涂敷液供给装置及其狭缝涂敷式涂敷
  • [发明专利]涂敷的控制方法、控制装置、处理器以及涂敷系统-CN202110241002.X在审
  • 陈伯扦;刘恒志;付勇 - 广东博智林机器人有限公司
  • 2021-03-04 - 2022-09-09 - G05D1/02
  • 本申请提供了一种涂敷的控制方法、控制装置、处理器以及涂敷系统,该控制方法包括:确定待涂敷的表面区域;根据表面区域确定涂敷参数;根据涂敷参数,控制涂敷执行结构在表面区域连续涂敷,形成涂敷路径,涂敷路径包括依次连接的多个涂敷子路径,各涂敷子路径包括依次连接的四个涂敷路径段,分别为第一涂敷路径段、第二涂敷路径段、第三涂敷路径段和第四涂敷路径段,其中,涂敷执行结构与表面区域接触的部分的中心为预定中心,预定中心在第一涂敷路径段中对应的路径为第一中心线,预定中心在第三涂敷路径段中对应的路径为第二中心线,第一中心线和第二中心线相交。该方法实现了连续涂敷,保证了涂敷效率较高。
  • 控制方法装置处理器以及系统

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