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[发明专利]光电基板的制作方法-CN201010194139.6无效
发明人：张成瑞 -专利权人：欣兴电子股份有限公司
申请日： 2010-05-27 - 公布日： 2011-11-30 - 主分类号： G02B6/136 文献下载
摘要：在基板上形成一第一光波导材料层。在第一光波导材料层上形成一第二光波导材料层。在第一光波导材料层上形成一第三光波导材料层，且第三光波导材料层覆盖第二光波导材料层，其中第一光波导材料层、第二光波导材料层与第三光波导材料层至少其中之一的制程步骤如下所述。在基板上形成一掩膜层。在开口中形成一光波导材料。固化光波导材料。移除掩膜层。
光电制作方法

[发明专利]一种基于硅基超材料的可调谐光学微分器-CN201911378387.3有效
发明人：张敏明;刘仁福;刘德明 -专利权人：华中科技大学
申请日： 2019-12-27 - 公布日： 2020-11-17 - 主分类号： G02B6/12 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于硅基超材料的可调谐光学微分器，属于集成光子器件领域，具体包括：输入波导、超材料波导、直波导和输出波导；超材料波导包括四个超材料波导单元，且以直波导横向中心轴和纵向中心轴为对称轴均匀分布；输入波导与输出波导对称地位于超材料波导两侧；输入波导将入射光束传输至超材料波导；超材料波导内部将入射光束分为n路光束，经过调节各超材料波导单元中像素块的状态后，n路光束干涉形成具有大带宽、幅度为线性且具有相位跳变的透射谱；直波导用于连接四个超材料波导单元；输出波导用于输出透射谱；本发明实现了THz级别的微分带宽，扩展了对光信号处理的带宽，同时实现中心波长可调。
一种基于硅基超材料调谐光学微分

[发明专利]一种波导的刻蚀方法-CN202211004985.6有效
发明人：王奕琼;冯大增;梁虹;武爱民 -专利权人：上海羲禾科技有限公司
申请日： 2022-08-22 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： G02B6/136 文献下载
摘要：本申请涉及半导体制造技术领域，特别涉及一种波导的刻蚀方法，该方法包括：提供表面具有波导材料层的半导体衬底；波导材料层基于化学气相沉积技术得到；采用光刻工艺在波导材料层表面形成图形化的掩膜层；掩膜层用于确定波导材料层的待刻蚀面；基于掩膜层，采用干法刻蚀工艺刻蚀波导材料层的待刻蚀面，以形成波导；其中，在刻蚀波导材料层的待刻蚀面的过程中，通过实时测量波导材料层的刻蚀深度和波导材料层剩余的衬底厚度，来确定刻蚀终点。如此，可以提高波导的刻蚀精度，减少刻蚀所得波导深度的尺寸偏差，并提高波导的性能。
一种波导刻蚀方法

[发明专利]一种实现不均分的集成光功率分路器-CN201410058949.7在审
发明人：彭智祥;刘勇;胡灿栋;陆昇 -专利权人：杭州天野通信设备有限公司
申请日： 2014-02-21 - 公布日： 2016-12-21 - 主分类号： G02B6/125 文献下载
摘要：包括设置在包层内的波导光路，波导光路由输入波导、锥形波导、左弯曲波导、右弯曲波导、左输出波导和右输出波导组成，在左弯曲波导正和右弯曲波导上方的包层内分别设有与左弯曲波导和右弯曲波导平行的左附加波导和右附加波导，波导光路材料的折射率大于包层的折射率，左附加波导材料的折射率大于或等于包层材料的折射率，右附加波导材料的折射率大于或等于包层材料的折射率，左附加波导材料的折射率与右附加波导材料的折射率不相等。
一种实现均分集成功率分路

[实用新型]一种实现不均分的集成光功率分路器-CN201420074929.4有效
发明人：彭智祥;刘勇;胡灿栋;陆昇 -专利权人：杭州天野通信设备有限公司
申请日： 2014-02-21 - 公布日： 2014-08-06 - 主分类号： G02B6/125 文献下载
摘要：包括设置在包层内的波导光路，波导光路由输入波导、锥形波导、左弯曲波导、右弯曲波导、左输出波导和右输出波导组成，在左弯曲波导正和右弯曲波导上方的包层内分别设有与左弯曲波导和右弯曲波导平行的左附加波导和右附加波导，波导光路材料的折射率大于包层的折射率，左附加波导材料的折射率大于或等于包层材料的折射率，右附加波导材料的折射率大于或等于包层材料的折射率，左附加波导材料的折射率与右附加波导材料的折射率不相等。
一种实现均分集成功率分路

[发明专利]光斑尺寸转换器及其制造方法-CN202080047596.4在审
发明人：姜伟;D·T·阮;D·A·诺兰;A·R·扎哈里安 -专利权人：康宁股份有限公司
申请日： 2020-05-19 - 公布日： 2022-02-18 - 主分类号： G02B6/30 文献下载
摘要：一种制作包括多尖端波导的光斑尺寸转换器的方法，该多尖端波导包括第一波导部分和第二波导部分，该方法包括以下步骤：用抗蚀剂材料涂覆多层晶片，该多层晶片包括波导材料层；将所涂覆的抗蚀剂材料曝光于深紫外射束或电子束；显影抗蚀剂材料以在抗蚀剂材料内形成部分波导图案；将部分波导图案转移到波导材料层，从而形成初始波导；将第二层抗蚀剂材料放置在初始波导之上；通过将第二层抗蚀剂材料曝光于深紫外射束或电子束来在第二层抗蚀剂材料中图案化锥形间隙区域形状；以及将锥形间隙区域形状转移到初始波导的波导材料层以在初始波导内部形成锥形间隙区域。
光斑尺寸转换器及其制造方法

[发明专利]级联光波导滤波器-CN201410109980.9有效
发明人：冉茂武;陈琳;田洁 -专利权人：冉茂武;铜仁学院
申请日： 2014-03-24 - 公布日： 2014-06-04 - 主分类号： G02B6/293 文献下载
摘要：本发明涉及一种级联光波导滤波器，包括上波导和下波导，上波导和下波导之间为空气层(3)，其特征在于：下波导的结构为，由上至下依次为银膜(4)、PMN-PT陶瓷层(5)、银膜(6)；上波导由波导、高树脂材料层构成，波导位于中部，高树脂材料层(1)、高树脂材料层(8)对称设置于波导的两侧，高树脂材料层(1)、高树脂材料层(8)上对称开有向内倾斜的通光孔(2)、(9)，前述的波导结构为，由上至下依次为银膜(7)、PMN-PT
级联波导滤波器

[发明专利]具有堆叠的包覆材料层的光波导-CN202310094926.0在审
发明人： S·M·潘迪;卞宇生;F·O·阿夫扎尔 -专利权人：格芯（美国）集成电路科技有限公司
申请日： 2023-01-18 - 公布日： 2023-08-22 - 主分类号： G02B6/122 文献下载
摘要：本发明涉及具有堆叠的包覆材料层的光波导，揭示包括波导芯以及围绕该波导芯的波导包覆层的光波导。该波导包覆层包括横向邻近该波导芯的侧壁设置的包覆材料层的至少一个堆叠，以使该堆叠中的各包覆材料层与该波导芯的该侧壁邻接。该堆叠中的各该包覆材料层与该波导芯相比具有较小的折射率，且该堆叠中的该包覆材料层的至少其中两个具有不同的折射率，从而调节场限制并改变光学模式的形状。不同的实施例包括在该堆叠中的不同数目的包覆材料层、该包覆材料层的不同堆叠顺序、不同的波导芯类型、在该波导芯的相对侧上的对称或不对称的包覆结构等。本发明还揭示形成该光波导的方法。
具有堆叠材料波导

[发明专利]波导结构及其制造方法、光子集成电路及其制造方法-CN202111516863.0在审
发明人：苏湛;达迪·塞蒂亚迪;徐叶龙;吴建华;柏艳飞;朱云鹏;邹静慧;孟怀宇;沈亦晨 -专利权人：上海曦智科技有限公司
申请日： 2021-12-13 - 公布日： 2023-06-16 - 主分类号： G02B6/12 文献下载
摘要：本发明涉及光子集成电路领域，其提供了一种波导结构的制造方法，包括：形成第一材料层；基于所述第一材料层形成第一波导、第二波导，所述第一波导与所述第二波导具有间隔；形成第二材料层；基于所述第二材料层形成波导耦合结构，所述波导耦合结构分别与第一波导、第二波导光学耦合，以使得第一波导与第二波导实现光连接。可以使得波导连接范围不仅局限于一次曝光所限定的区域，将不同曝光区域的波导实现互连，减少波导互连时对准的精度要求，还能够有效避免波导连接时的接合缺陷。
波导结构及其制造方法光子集成电路

[发明专利]一种基于超材料波导的阵列波导光栅-CN202111606890.7有效
发明人：刘楠;马蔚;骆瑞琦;刘冠东;储涛 -专利权人：之江实验室
申请日： 2021-12-27 - 公布日： 2022-04-01 - 主分类号： G02B6/12 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于超材料波导的阵列波导光栅，所述阵列波导光栅包括阵列波导部分、输入平板波导、输出平板波导、输入信道波导、输出信道波导，所述阵列波导部分两端分别与所述输入平板波导和输出平板波导连接，所述输入平板波导末端与所述输入信道波导连接，所述输出平板波导末端与所述输出信道波导连接，所述阵列波导部分包括若干根阵列波导，所述阵列波导为超材料波导，在传统波导的周围周期性地排布亚波长波导得到多层结构，这一结构具有很强的各向异性，这一结构可用作传统波导的包层，使用强各向异性包层包围传统波导，整体形成超材料波导，有效抑制了传统波导的倏逝波及趋肤深度。
一种基于材料波导阵列光栅

[发明专利]具有集成调制器阵列和混合键合的多波长激光器阵列的发射器-接收器-CN200780024782.0有效
发明人： A·刘;M·J·帕尼恰;R·琼斯 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2007-06-22 - 公布日： 2009-07-15 - 主分类号： H01S5/10 文献下载
摘要：公开从单个半导体材料层提供多个调制光束的装置和方法。例如，装置包括设置在单个半导体材料层中的多个光波导。这些光波导中的每个光波导包括沿光波导界定的光腔。包括在这些光波导上邻接单个半导体材料层的单个增益介质材料条。沿这些光波导中的每个光波导界定了增益介质-半导体材料界面。多个光调制器设置在单个半导体材料层中。这些光调制器中的每个光调制器光耦合到这些光波导中的相应的一个光波导，以便调制从光腔发出的相应光束。
具有集成调制器阵列混合波长激光器发射器接收器

[发明专利]一种偏振分束器-CN201810094046.2有效
发明人：黄田野;谢苑;吴易恒 -专利权人：中国地质大学（武汉）
申请日： 2018-01-31 - 公布日： 2023-05-26 - 主分类号： G02B27/28 文献下载
摘要：本发明涉及一种偏振分束器，包括两个波导芯，两个波导芯为条形波导和J形波导；条形波导包括有依次连接的狭缝波导和第一输出波导，狭缝波导包括有上覆盖层、狭缝和下覆盖层，狭缝位于上覆盖层和下覆盖层之间，狭缝采用的材料是氧化铟锡，上覆盖层、下覆盖层和第一输出波导采用的材料均为硅；J形波导包括有依次连接的输入波导和第二输出波导，第二输出波导为弧形波导，J形波导采用的材料为硅；条形波导与J形波导之间存在间隔，在其侧面的长度垂直方向上，狭缝波导和输入波导在交错重叠的部分及间隔形成耦合区，该偏振分束器通过设置狭缝波导及在狭缝中填充氧化铟锡ITO材料，减小了耦合波导的长度，实现了尺寸优化，且插入损耗低、偏振消光比高。
一种偏振分束器

[实用新型]一种偏振分束器-CN201820162844.X有效
发明人：黄田野;谢苑;吴易恒 -专利权人：中国地质大学（武汉）
申请日： 2018-01-31 - 公布日： 2018-08-28 - 主分类号： G02B27/28 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种偏振分束器，包括两个波导芯，两个波导芯为条形波导和J形波导；条形波导包括有依次连接的狭缝波导和第一输出波导，狭缝波导包括有上覆盖层、狭缝和下覆盖层，狭缝位于上覆盖层和下覆盖层之间，狭缝采用的材料是氧化铟锡，上覆盖层、下覆盖层和第一输出波导采用的材料均为硅；J形波导包括有输入波导和第二输出波导，第二输出波导为弧形波导，J形波导采用的材料为硅；条形波导与J形波导之间存在间隔，在其侧面的长度垂直方向上，狭缝波导和输入波导在交错重叠的部分及间隔形成耦合区，该偏振分束器通过设置狭缝波导及在狭缝中填充氧化铟锡ITO材料，减小了耦合波导的长度，实现了尺寸优化，且插入损耗低、偏振消光比高。
输出波导狭缝波导波导狭缝偏振分束器条形波导下覆盖层覆盖层输入波导氧化铟锡波导芯本实用新型偏振消光比插入损耗尺寸优化弧形波导交错重叠依次连接耦合波导耦合区减小填充侧面

[发明专利]一种基于低损耗相变材料的微环光波导开关及其制备方法-CN202310176564.X在审
发明人：朱志宏;张倩茹;洪琦琳;张检发;郭楚才;刘肯;徐威;杨镖;袁晓东 -专利权人：中国人民解放军国防科技大学
申请日： 2023-02-28 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： G02F1/225 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于低损耗相变材料的微环光波导开关及其制备方法。微环光波导开关包括衬底层和光开关层，所述光开关层设置在所述衬底层上，所述光开关层包括微环谐振腔、总线波导和相变材料块，所述总线波导包括输入区波导和输出区波导，所述输入区波导的输出端与相变材料块的输入端连接，所述相变材料块的输出端与输出区波导的输入端连接，所述总线波导与微环谐振腔侧耦合，所述相变材料块位于输入区波导和输出区波导之间。本发明当相变材料在不同相态之间切换，且满足模式匹配条件时，光波模式会在总线波导和微环腔的耦合区域发生耦合，由于输出的两束光发生了干涉，从而实现光开关的开通或关断。
一种基于损耗相变材料微环光波导开关及其制备方法

[发明专利]三维集成层间光互联结构及形成方法-CN201911243984.5在审
发明人：欧欣;李忠旭;黄凯;陈阳;赵晓蒙;鄢有泉 -专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
申请日： 2019-12-06 - 公布日： 2021-06-08 - 主分类号： G02B6/122 文献下载
摘要：本发明提供了一种三维集成层间光互联结构及形成方法，包括：第一功能材料层、光隔离层、第二功能材料层和层间波导；第一功能材料层与第二功能材料层之间通过光隔离层隔离；层间波导位于光隔离层中并连接第一功能材料层和第二功能材料层；第一功能材料层包含第一光波导信道、第一楔形波导和第一光栅耦合波导；第二功能材料层包含第二光波导信道、第二楔形波导和第二光栅耦合波导。本发明通过楔形波导转换至合适宽度并通过光栅耦合器将处理后的光信号传递至层间波导以实现光信号在层间的低损耗传输，具有应用范围广以及三维集成层间互联的低损耗、高消光比、高集成度的优点。
三维集成层间光互联结形成方法

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