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[发明专利]热敏电阻用金属氧化物烧结体及其制法和热敏电阻元件-CN201510058996.6无效
发明人：藤原和崇;藤田利晃 -专利权人：三菱综合材料株式会社
申请日： 2008-07-31 - 公布日： 2015-06-17 - 主分类号： C04B35/50 文献下载
摘要：本发明公开了一种热敏电阻用金属氧化物烧结体，含有通式La(Cr1－xMnx)O3(x＝0.0～0.6)所示的复合氧化物。此外，热敏电阻元件(3)包括热敏电阻用金属氧化物烧结体(2)和一对导线(1)，每条导线的一端固定在热敏电阻用金属氧化物烧结体(2)上。
热敏电阻金属氧化物烧结及其制法元件

[发明专利]热敏电阻用金属氧化物烧结体、热敏电阻元件、热敏电阻温度传感器和热敏电阻用金属氧化物烧结体的制备方法-CN200880101012.6无效
发明人：藤原和崇;藤田利晃 -专利权人：三菱综合材料株式会社
申请日： 2008-07-31 - 公布日： 2010-06-30 - 主分类号： C04B35/50 文献下载
摘要：本发明公开了一种热敏电阻用金属氧化物烧结体，含有通式La(Cr1-xMnx)O3(x＝0.0～0.6)所示的复合氧化物。此外，热敏电阻元件(3)包括热敏电阻用金属氧化物烧结体(2)和一对导线(1)，每条导线的一端固定在热敏电阻用金属氧化物烧结体(2)上。
热敏电阻金属氧化物烧结元件温度传感器制备方法

[发明专利]氧化物烧结体、溅射用靶、以及用其得到的氧化物半导体薄膜-CN201580012984.8在审
发明人：中山德行;西村英一郎;井藁正史 -专利权人：住友金属矿山株式会社
申请日： 2015-03-09 - 公布日： 2016-11-16 - 主分类号： C04B35/00 文献下载
摘要：在通过溅射法制作氧化物半导体薄膜的情况下，提供得到低载流子浓度、高载流子迁移率的氧化物烧结体，以及使用所述氧化物烧结体的溅射用靶。该氧化物烧结体以氧化物的形式含有铟和镓、含有氮、并且不含有锌。对于将该氧化物烧结体作为溅射用靶而形成的非晶质的氧化物半导体薄膜而言，能够使载流子浓度3×10¹⁸cm^‑3以下，载流子迁移率为10cm²
氧化物烧结溅射以及得到半导体薄膜

[发明专利]一种低电阻率高迁移率氧化物靶材的制备方法-CN202211462828.X在审
发明人：李开杰;邵学亮;李晴晴;王奇峰;钟小华 -专利权人：先导薄膜材料（广东）有限公司
申请日： 2022-11-21 - 公布日： 2023-04-18 - 主分类号： C04B35/01 文献下载
摘要：本发明涉及靶材技术领域，公开了一种低电阻率高迁移率氧化物靶材及其制备方法，所述方法为：将靶材坯体依次经过氧气气氛条件下升温烧结和无氧气氛条件下升温烧结即得；所述靶材坯体中的金属氧化物由氧化镨、氧化铟、氧化镓、氧化锌组成。本发明提供了一种低电阻率高迁移率氧化物靶材的制备方法，采用依次经过氧气气氛条件下烧结、无氧气氛条件下烧结的方式来升温烧结处理靶材坯体，有氧烧结和无氧烧结结合产生协同作用，将氧化物靶材中的分散剂和粘结剂全部排出使得氧化物靶材有极高的致密度从而具有高载流子迁移率的同时，还使得氧化物靶材产生了氧空位，降低了氧化物靶材的电阻率以获得优良的导电性。
一种电阻率迁移率氧化物制备方法

[发明专利]一种烧结体、靶材及其制备方法-CN202110591753.4在审
发明人：尹丙伟;肖俊峰;孙俊;周华明;李岩;石刚 -专利权人：通威太阳能（合肥）有限公司
申请日： 2021-05-28 - 公布日： 2021-07-23 - 主分类号： C04B35/01 文献下载
摘要：本发明公开了一种烧结体及靶材，其组成包括该烧结体及靶材由ITO基材及分布在该ITO基材内的高熔点氧化物固溶体组成；本发明同时还提供了该烧结体及靶材的制备方法，包括烧制工序，该烧制工序是将含有氧化物固溶体或氧化物固溶体对应氢氧化物的ITO混合粉体进行共烧，共烧后制备得到烧结体，对烧结体进行塑性加工，形成ITO靶材。本发明所提供的烧结体、靶材以及通过本发明制备方法制备的烧结体及靶材能够有效抑制烧结体及靶材发生裂纹的现象。
一种烧结及其制备方法

[发明专利]氮化铝烧结体及其制造方法-CN200880003773.8无效
发明人：金近幸博;东正信 -专利权人：株式会社德山
申请日： 2008-02-04 - 公布日： 2009-12-09 - 主分类号： C04B35/581 文献下载
摘要：本发明提供一种高纯度氮化铝烧结体，其在氮化铝烧结体制造时，有效地除去原料粉末中所含的氧化物，且通过原料粉末中所含的氧化物与烧结助剂反应来防止生成的复合氧化物残留在氮化铝烧结体中。一种氮化铝烧结体，其除去附着氧的残留氧浓度为350ppm以下。
氮化烧结及其制造方法

[发明专利]接合面的形成方法-CN200410030125.5有效
发明人： D·P·布特;R·A·库特勒;S·W·赖恩德斯;M·F·卡罗兰 -专利权人：气体产品与化学公司
申请日： 2004-03-19 - 公布日： 2004-12-01 - 主分类号： C04B37/00 文献下载
摘要：一种使至少两个烧结体连接形成复合结构的方法，所述方法包括：提供具有钙钛矿或荧石晶体结构的第一多组分金属氧化物；提供第二烧结体，其包含具有与第一晶体结构相同的第二多组分金属氧化物；和在界面处提供包含至少一种金属氧化物的连接材料，所述金属氧化物至少包含一种同样包含在第一和第二多组分金属氧化物之一中的金属。所述连接材料不含Si、Ge、Sn、Pb、P和Te的阳离子，并且其熔点低于两烧结体的烧结温度。将连接材料加热至金属氧化物熔点之上和烧结体烧结温度以下的温度，从而形成接合面。
接合形成方法

[发明专利]氧化物烧结体及其制造方法、溅射靶、以及半导体器件的制造方法-CN201780044470.X有效
发明人：绵谷研一;宫永美纪;粟田英章 -专利权人：住友电气工业株式会社
申请日： 2017-02-28 - 公布日： 2022-04-01 - 主分类号： C04B35/01 文献下载
摘要：base:Sub>4In2O7晶相和ZnWO4晶相的氧化物烧结体，以及所述氧化物烧结体的制造方法。所述方法包括通过烧结含有In、W和Zn的成型体而形成所述氧化物烧结体的步骤，形成所述氧化物烧结体的步骤包括将所述成型体在选自500℃以上且1000℃以下的温度范围的恒定的第一温度下放置30分钟以上。
氧化物烧结及其制造方法溅射以及半导体器件

[发明专利]氧化物陶瓷的烧结动力学的控制-CN201480041325.2有效
发明人： F·罗斯布鲁斯特;C·里茨伯格;D·布罗德金;K·阿杰马勒;M·施魏格尔 -专利权人：义获嘉伟瓦登特公司
申请日： 2014-07-21 - 公布日： 2017-10-31 - 主分类号： A61C13/00 文献下载
摘要：本发明涉及多层氧化物陶瓷体并且特别地涉及适合于牙科应用的预烧结多层氧化物陶瓷坯和氧化物陶瓷生坯体。这些主体可以通过进一步烧结热致密而不变形并且因此特别适合于制造牙科修复物。本发明也涉及制造这样的多层氧化物陶瓷体的过程以及使用多层氧化物陶瓷体制造牙科修复物的过程。
氧化物陶瓷烧结动力学控制

[发明专利]氧化物烧结体、其制造方法、透明导电膜、以及采用它所得到的太阳能电池-CN200710163836.3有效
发明人：阿部能之;中山德行 -专利权人：住友金属矿山株式会社
申请日： 2007-09-30 - 公布日： 2008-04-23 - 主分类号： C04B35/453 文献下载
摘要：本发明提供以氧化锌为主要成分，进一步含有铝、镓的氧化物烧结体及其制造方法；采用溅射法等完全不产生异常放电、能够连续且长时间成膜的靶；以及采用它的低电阻且高透射性的高品质的透明导电膜；高转换效率的太阳能电池其通过氧化物烧结体等而提供，该氧化物烧结体含有氧化锌、铝、镓，是实质上由纤锌矿型氧化锌相和尖晶石型氧化物相的结晶相构成的氧化物烧结体，其特征在于，(1)氧化物烧结体中的铝和镓的含量以(Al+Ga)/(Zn+Al+Ga)原子数比计为0.3～6.5原子％，并且，铝和镓的含量以Al/(Al+Ga)原子数比计为30～70原子％；(2)尖晶石型氧化物相中的铝的含量以Al/(Al+Ga)原子数比计为10～90原子％
氧化物烧结制造方法透明导电以及采用得到太阳能电池

[发明专利]热敏电阻元件及其制造方法-CN201110037652.9无效
发明人：藤原和崇;藤田利晃;清水翔 -专利权人：三菱综合材料株式会社
申请日： 2011-02-11 - 公布日： 2011-09-21 - 主分类号： H01C7/04 文献下载
摘要：本发明提供一种热敏电阻元件及其制造方法，该热敏电阻元件能够抑制绝缘体的量的同时，比以往结构大幅度地提高阻抗值。其具备有：板状的金属氧化物烧结体(2)；绝缘层(3)，形成在分别除了作为电极接合部(2a)这一部分以外的该金属氧化物烧结体(2)的上下面；以及一对电极层(4)，在金属氧化物烧结体(2)的上下面至少形成于电极接合部并且，在金属氧化物烧结体(2)的原料中混合有通过烧结使一部分在表面以绝缘薄膜的形式析出的绝缘材料，绝缘层(3)为在金属氧化物烧结体(2)的烧结时析出于表面的绝缘薄膜。
热敏电阻元件及其制造方法

[发明专利]氧化物烧结体、溅射靶以及溅射靶的制造方法-CN202080013820.8在审
发明人：海上晓 -专利权人：出光兴产株式会社
申请日： 2020-02-13 - 公布日： 2021-11-19 - 主分类号： C23C14/34 文献下载
摘要：本发明涉及一种氧化物烧结体，所述氧化物烧结体的表面的表面粗糙度Rz小于2.0μm。
氧化物烧结溅射以及制造方法

[发明专利]改性锰铁复合金属氧化物储热材料以及其制备方法-CN202211204135.0在审
发明人：肖刚;黄彦 -专利权人：浙江大学
申请日： 2022-09-29 - 公布日： 2022-12-16 - 主分类号： C09K5/16 文献下载
摘要：本发明提供了一种改性锰铁复合金属氧化物储热材料及其制备方法，能够在保证主体储热材料(Mn1‑xFex)2O3优异储热反应性能，避免助剂与储热材料自身发生副反应，提升锰铁复合金属氧化物储热材料的抗烧结能力和循环反应寿命。本发明提供了一种改性锰铁复合金属氧化物储热材料，该改性锰铁复合金属氧化物储热材料包括锰铁复合金属氧化物以及抗烧结助剂粉体，抗烧结助剂粉体与锰铁复合金属氧化物颗粒不发生体相化学反应，抗烧结助剂粉体分散附着于锰铁复合金属氧化物的表面
改性锰铁复合金属氧化物材料及其制备方法

[发明专利]氧化物烧结体、溅射用靶以及用其得到的氧化物半导体薄膜-CN201580015529.3在审
发明人：中山德行;西村英一郎;松村文彦;井藁正史 -专利权人：住友金属矿山株式会社
申请日： 2015-04-15 - 公布日： 2016-11-23 - 主分类号： C04B35/00 文献下载
摘要：本发明提供一种在通过溅射法制成氧化物半导体薄膜时能够获得低载流子浓度、高载流子迁移率的氧化物烧结体以及使用该氧化物烧结体的溅射用靶。该氧化物烧结体以氧化物的形式含有铟、镓和铜。将该氧化物烧结体作为溅射用靶而形成的结晶质的氧化物半导体薄膜，能够获得载流子浓度为1.0×10¹⁸cm^‑3以下、载流子迁移率为10cm²
氧化物烧结溅射以及得到半导体薄膜

[发明专利]氧化物烧结体、溅射用靶以及用其得到的氧化物半导体薄膜-CN201580015792.2在审
发明人：中山德行;西村英一郎;松村文彦;井藁正史 -专利权人：住友金属矿山株式会社
申请日： 2015-04-15 - 公布日： 2016-11-16 - 主分类号： C04B35/00 文献下载
摘要：本发明提供一种在通过溅射法制成氧化物半导体薄膜时能够获得低载流子浓度、高载流子迁移率氧化物烧结体以及使用该氧化物烧结体的溅射用靶。该氧化物烧结体以氧化物的形式含有铟、镓和铜。将该氧化物烧结体作为溅射用靶而形成的非晶质的氧化物半导体薄膜，能够获得载流子浓度为3.0×10¹⁸cm^‑3以下、载流子迁移率为10cm²
氧化物烧结溅射以及得到半导体薄膜