专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]气体阻隔层叠膜-CN201080015879.7有效
  • 长谷川彰;黑田俊也;石飞昌光;真田隆;田中利彦 - 住友化学株式会社
  • 2010-04-08 - 2012-03-21 - B32B27/00
  • 本发明涉及一种气体阻隔层叠膜,其具备基材和在所述基材的至少单侧上所形成的至少1薄膜,其中,所述薄膜中的至少1满足下述条件中的至少1个条件,满足硅分布曲线、氧分布曲线及碳分布曲线的条件(i)~(本发明的气体阻隔层叠膜不但具有足够的气体阻隔,而且在弯曲后可充分抑制气体阻隔的降低。本发明的气体阻隔层叠膜非常适用于使用有机电致发光元件(有机EL元件)的柔性照明、有机薄膜太阳能电池、液晶显示器等。
  • 气体阻隔层叠
  • [发明专利]气体阻隔膜的制造方法、气体阻隔膜和电子设备-CN201380054591.4有效
  • 江连秀敏 - 柯尼卡美能达株式会社
  • 2013-10-11 - 2015-06-24 - B32B9/00
  • 本发明的课题在于提供即便在高温高湿的使用环境下也能够维持优异的气体阻隔、且挠(弯曲)和密合优异的气体阻隔膜的制造方法以及气体阻隔膜和使用其的电子设备元件。本发明的气体阻隔膜的制造方法是在树脂基材的一个面上具备含有碳原子、硅原子和氧原子的气体阻隔层并在该树脂基材的与具有气体阻隔层的面相反的一侧的面上具有导电气体阻隔膜的制造方法,其特征在于,上述气体阻隔层是使用含有有机硅化合物的原料气体和氧气并利用在施加了磁场的辊间具有放电空间的放电等离子体化学气相生长法而形成的,上述导电在23℃、50%RH的环境下的表面电阻率值在1×103~1×1010Ω/□的范围内。
  • 气体阻隔制造方法电子设备
  • [发明专利]一种PE多层阻隔复合薄膜及其制备方法-CN202211392791.8有效
  • 宋新 - 江苏欧晟新材料科技有限公司
  • 2022-11-08 - 2023-10-10 - B32B27/32
  • 本发明公开了一种PE多层阻隔复合薄膜及其制备方法,制备时以PE聚乙烯作为外层和内层,以EVOH作为中间阻隔层,EVOH(乙烯‑乙烯醇共聚物树脂)具有较优异的机械强度和气体阻隔,能够有效防止氧气、二氧化碳等气体的透过,本申请构建外PE阻隔层‑内PE的夹心膜结构,利用聚乙烯较优异的水蒸汽阻隔能来提高复合膜气体阻隔能。本发明制备得到的复合膜具有优异的氧气、水蒸汽阻隔能,且复合膜的机械性能优异,抗菌较好,可广泛应用于包装、密封保鲜等领域,具有较高的实用
  • 一种pe多层阻隔复合薄膜及其制备方法
  • [发明专利]气体阻隔膜和电子设备-CN201580038447.0有效
  • 森孝博 - 柯尼卡美能达株式会社
  • 2015-06-24 - 2019-01-08 - B32B27/00
  • 本发明提供一种具有高的气体阻隔和优异的气体阻隔的面内均匀气体阻隔膜。此外,本发明提供一种在高温高湿环境下的耐久优异的电子设备。一种气体阻隔膜,其在基材上依次具有锚固涂层、与上述锚固涂层接触且通过真空成膜法形成的气体阻隔层,上述锚固涂层是对含有聚硅氮烷的施加能量来进行改性处理而得到的,且在将上述锚固涂层的厚度设为A(nm)
  • 气体阻隔电子设备
  • [发明专利]气体阻隔膜、气体阻隔膜的制造方法及电子器件-CN201280031320.2有效
  • 森孝博 - 柯尼卡美能达株式会社
  • 2012-06-13 - 2014-05-14 - B32B9/00
  • 本发明的目的在于提供具有非常优异的气体阻隔能和高的耐久气体阻隔膜、其制造方法及使用了其的电子器件。本发明的气体阻隔膜为在基材上层叠了至少含有Si、O和N的气体阻隔层2以上的气体阻隔膜,其特征在于,在气体阻隔层全体中厚度方向的组成分布如下:从接近基材方依次具有满足下述(A)的组成范围的在厚度方向上连续了的(A)在由SiOwNx表示气体阻隔层的组成时,为w≥0.8、x≥0.3、2w+3x≤4。(B)在由SiOyNz表示气体阻隔层的组成时,为0<y≤0.55、z≥0.55、2y+3z≤4。
  • 气体阻隔制造方法电子器件

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