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[发明专利]电阻及其制作方法-CN201110271859.2有效
发明人：杨杰甯;徐世杰;林俊贤;王尧展;白启宏;曾纪升 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2011-09-14 - 公布日： 2013-03-27 - 主分类号： H01L21/8234 文献下载
摘要：本发明公开一种电阻以及具有金属栅极的晶体管与电阻的制作方法，该制作方法首先提供基底，且该基底上定义有晶体管区与电阻区。接下来，在该晶体管区与该电阻区内分别形成晶体管与电阻，且该晶体管具有虚置栅极。随后，移除该虚置栅极与部分该电阻，以分别于该晶体管与该电阻内形成第一沟槽与二个第二沟槽，并于该第一沟槽与这些第二沟槽内分别形成至少一高介电常数栅极介电层。之后，在该第一沟槽与这些第二沟槽中分别形成金属栅极与金属结构。
电阻及其制作方法

[发明专利]场效应晶体管及其制造方法-CN201280055638.4有效
发明人：永久哲三;吐田真一 -专利权人：夏普株式会社
申请日： 2012-10-05 - 公布日： 2014-07-16 - 主分类号： H01L21/338 文献下载
摘要：根据该GaN类HFET，形成栅极绝缘膜(17)的半绝缘膜的电阻率ρ为3.9×10⁹Ωcm，该电阻率ρ的值是电流密度为6.25×10^-4(A/cm^{2<通过具有电阻率ρ＝3.9×10⁹Ωcm的半绝缘膜构成的栅极绝缘膜(17)，能够得到1000V的耐受电压。如图所示，在栅极绝缘膜的电阻率超过1×10¹¹Ωcm时耐受电压急剧降低，在栅极绝缘膜的电阻率低于1×10⁷Ωcm时，栅极泄漏电流增大。}
场效应晶体管及其制造方法

[发明专利]一种IGBT驱动电路-CN202111269096.8在审
发明人：梁伙明;傅俊寅;汪之涵;黄辉 -专利权人：深圳青铜剑技术有限公司
申请日： 2021-10-29 - 公布日： 2022-01-14 - 主分类号： H03K17/567 文献下载
摘要：所述IGBT驱动电路包括门极驱动单元、栅极驱动电阻及驱动控制单元，所述栅极驱动电阻的一端与IGBT的栅极电连接，所述栅极驱动电阻的另一端与所述门极驱动单元电连接，所述驱动控制单元并联连接于所述栅极驱动电阻的两端
一种 igbt 驱动电路

[实用新型]一种IGBT驱动电路-CN202122663764.7有效
发明人：梁伙明;傅俊寅;汪之涵;黄辉 -专利权人：深圳青铜剑技术有限公司
申请日： 2021-10-29 - 公布日： 2022-06-17 - 主分类号： H03K17/567 文献下载
摘要：所述IGBT驱动电路包括门极驱动单元、栅极驱动电阻及驱动控制单元，所述栅极驱动电阻的一端与IGBT的栅极电连接，所述栅极驱动电阻的另一端与所述门极驱动单元电连接，所述驱动控制单元并联连接于所述栅极驱动电阻的两端
一种 igbt 驱动电路

[实用新型]内置可调栅极电阻的IGBT版图结构-CN202220216917.5有效
发明人：程炜涛;姚阳 -专利权人：上海埃积半导体有限公司
申请日： 2022-01-26 - 公布日： 2022-06-14 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本实用新型提供了内置可调栅极电阻的IGBT版图结构，包括：IGBT芯片基板；终端区域，位于所述IGBT芯片基板上；元胞沟槽，位于所述终端区域内部；栅极跑道，用于连接所述元胞沟槽；第一栅极金属，覆盖于所述栅极跑道上；连接孔，用于连接所述第一栅极金属和所述栅极跑道；第一栅极金属压焊点，用于引出栅极电位；栅极电阻区域，与所述栅极跑道连接；其中，所述栅极电阻区域包括至少三个子区域，每个所述子区域为根据第一栅极金属压焊点的位置设置的子区域
内置可调栅极电阻 igbt 版图结构

[发明专利]栅极电阻、电容连续可调的IGBT测试电路-CN201611240202.9有效
发明人：程炜涛;董志意;赵鹏;张伟勋;王海军 -专利权人：江苏中科君芯科技有限公司
申请日： 2016-12-29 - 公布日： 2023-03-28 - 主分类号： G01R31/26 文献下载
摘要：本发明涉及一种栅极电阻、电容连续可调的IGBT测试电路，其特征是：包括双脉冲主电路，双脉冲主电路包括被测器件、陪测器件、第一功率器件和第二功率器件，被测器件的门极为双脉冲驱动电路；所述双脉冲驱动电路包括多个并联的栅极电阻和多个并联的栅极电容，第一光继电器组的一端连接被测器件的栅极信号，第一光继电器组的另一端连接电阻行矩阵的一端，电阻行矩阵的另一端连接被测器件的栅极和第二光继电器组的正输入端，第二光继电器组的负端连接栅极电容的一端，栅极电容的另一端连接被测器件的发射极本发明能够改变IGBT栅极电阻、栅极电容的不同组合，从而更快、更准确的验证IGBT芯片的动态测试参数。
栅极电阻电容连续可调 igbt 测试电路

[实用新型]栅极电阻、电容连续可调的IGBT测试电路-CN201621488230.8有效
发明人：程炜涛;董志意;赵鹏;张伟勋;王海军 -专利权人：江苏中科君芯科技有限公司
申请日： 2016-12-29 - 公布日： 2017-06-30 - 主分类号： G01R31/26 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种栅极电阻、电容连续可调的IGBT测试电路，其特征是包括双脉冲主电路，双脉冲主电路包括被测器件、陪测器件、第一功率器件和第二功率器件，被测器件的门极为双脉冲驱动电路；所述双脉冲驱动电路包括多个并联的栅极电阻和多个并联的栅极电容，第一光继电器组的一端连接被测器件的栅极信号，第一光继电器组的另一端连接电阻行矩阵的一端，电阻行矩阵的另一端连接被测器件的栅极和第二光继电器组的正输入端，第二光继电器组的负端连接栅极电容的一端，栅极电容的另一端连接被测器件的发射极本实用新型能够改变IGBT栅极电阻、栅极电容的不同组合，从而更快、更准确的验证IGBT芯片的动态测试参数。
栅极电阻电容连续可调 igbt 测试电路

[发明专利]三维电阻式存储器装置-CN202010727739.8在审
发明人：韩在贤 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2020-07-23 - 公布日： 2021-07-06 - 主分类号： H01L27/24 文献下载
摘要：一种三维电阻式存储器装置包括：垂直字线柱、多个电阻层、多个绝缘层、栅极绝缘层和沟道层。垂直字线柱形成在半导体基板上。电阻层顺序层叠在垂直字线柱的两侧。绝缘层与电阻层交替层叠。栅极绝缘层插置在垂直字线柱和电阻层之间。沟道层布置在栅极绝缘层和电阻层之间。
三维电阻存储器装置

[发明专利]一种用于优化堆叠开关管耐压均匀性的射频开关电路-CN202110972283.6在审
发明人：沈宇;管剑铃;谢婷婷;王玉娇;周德杭;倪成东;倪文海;徐文华 -专利权人：上海迦美信芯通讯技术有限公司
申请日： 2021-08-24 - 公布日： 2021-10-01 - 主分类号： H03K17/10 文献下载
摘要：本发明包括：串联支路模块：包括2N个第一开关晶体管、第一偏置晶体管、第一源漏电阻、第一栅极偏置电阻，2N‑1个第一栅极串联电阻和1个第一栅极公共端电阻；并联支路模块：由2M个第二开关晶体管、第二偏置晶体管、第二源漏电阻、第二栅极偏置电阻，2M‑1个第二栅极串联电阻和1个第二栅极公共端电阻；本发明结构可以降低射频开关前几级和后几级开关晶体管承担的最大峰值电压，提高射频开关各级开关晶体管的耐压均匀性以及射频开关的最大输入功率
一种用于优化堆叠开关耐压均匀射频开关电路

[发明专利]半导体装置以及电力转换装置-CN201710085294.6有效
发明人：池田健太郎 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 2017-02-17 - 公布日： 2020-11-10 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：提供一种能够抑制栅极电压的振荡的半导体装置。实施方式的半导体装置具备：晶体管，具有第1电极、第2电极、以及栅极电极；电阻，电连接于栅极电极；二极管，具有电连接于第1电极的阳极、和电连接在电阻与栅极电极之间的阴极；以及电容器，与电阻并联连接。
半导体装置以及电力转换

[发明专利]逆变器控制装置以及冷冻空调装置-CN201210070700.9有效
发明人：桑原靖;松下真也;齐藤胜彦;福田雅裕 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2012-03-16 - 公布日： 2012-09-19 - 主分类号： H02M7/5387 文献下载
摘要：生成用于对逆变器主电路具有的多个开关元件进行导通、截止控制的PWM信号；运行状态检测部，根据逆变器主电路的直流母线电压、在逆变器主电路与负载之间流过的马达电流、以及对于负载的运行指令，来检测负载的运行状态；栅极电阻切换信号生成部，与运行状态相对应地生成栅极电阻切换信号；以及栅极电阻切换部，使用栅极电阻切换信号来切换与逆变器主电路的开关元件的栅极端子连接的栅极电阻。
逆变器控制装置以及冷冻空调

[发明专利]用于具有小输出毛刺的数字步进衰减器的装置和方法-CN201580031118.3有效
发明人： J.H.乔;Y.崔;B.阿加瓦尔 -专利权人：天工方案公司
申请日： 2015-05-08 - 公布日： 2018-02-16 - 主分类号： H04L25/06 文献下载
摘要：多个开关电路中的第一开关电路包括场效应晶体管(FET)开关、栅极电阻器、一个或多个栅极电阻器旁路开关和脉冲产生电路。栅极电阻器电连接在开关控制输入和FET开关的栅极之间，并且开关控制输入可以被提供开关控制信号以接通或关断FET开关，响应于检测到开关控制信号的上升沿和/或下降沿，脉冲产生电路可以控制一个或多个栅极电阻器旁路开关以旁路栅极电阻器
用于具有输出毛刺数字步进衰减器装置方法

[发明专利]功率器件-CN201911148887.8在审
发明人：曾大杰 -专利权人：南通尚阳通集成电路有限公司
申请日： 2019-11-21 - 公布日： 2021-05-21 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明公开了一种功率器件，由多个原胞并联而成，各原胞排列成阵列结构，各原胞的栅极导电材料层通过对应的栅极馈电线连接到栅极衬垫。各原胞的栅极电阻随对应的栅极馈电线的长度的增加而增加。各原胞的栅极电容的大小根据栅极电阻的大小进行设置，使各原胞的栅极电容和栅极电阻的乘积趋于一致。本发明能消除各原胞的栅极馈电线的长度不同对各原胞的开关速率一致性造成的不利影响，从而能使各原胞的开关速率趋于一致，从而能使整个功率器件的开关速率均匀。
功率器件

[发明专利]平板显示器和制造该平板显示器的方法-CN200410047195.1有效
发明人：朴商一;具在本 -专利权人：三星SDI株式会社
申请日： 2004-11-29 - 公布日： 2005-06-22 - 主分类号： G09F9/30 文献下载
摘要：公开的是一种平板显示器，包括一基板；沿预定方向形成在所述基板上的一栅极线；以及与所述栅极线电连接的栅极，该栅极具有与所述栅极线不同的薄层电阻。利用这种结构，只需对工艺做出最小限度的改变，就可以在不增加栅极线厚度的情况下降低所述栅极线的布线电阻。
平板显示器制造方法

[发明专利]动态短路保护-CN201910168316.4在审
发明人：陆樨;陈靖奇 -专利权人：福特全球技术公司
申请日： 2019-03-06 - 公布日： 2019-09-17 - 主分类号： H03K17/082 文献下载
摘要：电路包括串联布置的一对开关和栅极驱动器。响应于通过所述开关中的一个开关的电流的大小超过阈值，所述栅极驱动器通过第一电阻器使所述一个开关的栅极放电。响应于所述开关的寄生电感上的电压变为零，所述栅极驱动器还通过第二电阻器而不是所述第一电阻器使所述栅极放电。
栅极驱动器电阻器短路保护放电串联布置寄生电感响应电路