专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]一种非中心对称的单加速器驱动次临界堆-CN202110019188.4在审
  • 陈忠;赵子甲;吕中良;潘冬梅 - 西南科技大学
  • 2021-01-07 - 2021-05-25 - G21C1/30
  • 本发明公开一种非中心对称的单加速器驱动次临界堆,该单加速器驱动次临界堆包括质子、散裂靶、燃料区和辐射屏蔽层,辐射屏蔽层包覆在所述燃料区的外围,散裂靶位于所述燃料区内的非中心位置,且沿轴向贯穿插入所述燃料区,质子沿所述散裂靶的轴向一端插在所述散裂靶内。本发明提供的单加速器驱动次临界堆将质子和散裂靶设置在燃料区的非中心位置,在同等参数下,本发明提供的单加速器驱动次临界堆中子倍增因子相比中心对称ADS提高了0.02399,在未增加装料量的情况下提高了反应堆的整体能效
  • 一种中心对称单束流加速器驱动临界
  • [实用新型]一种非中心对称的单加速器驱动次临界堆-CN202120036581.X有效
  • 陈忠;赵子甲;吕中良;潘冬梅 - 西南科技大学
  • 2021-01-07 - 2021-09-24 - G21C1/30
  • 本实用新型公开一种非中心对称的单加速器驱动次临界堆,该单加速器驱动次临界堆包括质子、散裂靶、燃料区和辐射屏蔽层,辐射屏蔽层包覆在所述燃料区的外围,散裂靶位于所述燃料区内的非中心位置,且沿轴向贯穿插入所述燃料区,质子沿所述散裂靶的轴向一端插在所述散裂靶内。本实用新型提供的单加速器驱动次临界堆将质子和散裂靶设置在燃料区的非中心位置,在同等参数下,本实用新型提供的单加速器驱动次临界堆中子倍增因子相比中心对称ADS提高了0.02399,在未增加装料量的情况下提高了反应堆的整体能效
  • 一种中心对称单束流加速器驱动临界
  • [实用新型]一种高功率加速器多扇圆孔准直器-CN201921453098.0有效
  • 邢建升 - 中国原子能科学研究院
  • 2019-09-03 - 2020-06-23 - H05H7/00
  • 本实用新型公开了一种高功率加速器多扇圆孔准直器,所述高功率加速器多扇圆孔准直器主要包括:准直扇极、绝缘垫块、主体外框、水冷过渡件、卡套接头、航空插头、密封圈A、密封圈B、密封圈C、密封圈D、塑料管准直器前面板、准直器后面板;所述准直扇极的扇极数量为多件,周向均匀分布,采用铜材料制作,作为多扇圆孔准直器的扇极;所述每个扇极通过导线、航空插头引到所述多扇圆孔准直器外侧进行电信号处理,得到打在每个扇极上的流流强,从而判断位置偏差及偏差方向和强度分布;本实用新型能够将指定准直器圆孔大小之外的卡掉实现的准直,同时可以判断的大小、形状、聚散情况及偏向。
  • 一种功率加速器束流多扇圆孔准直器
  • [发明专利]一种去除快中子的斩波器-CN201710289039.3在审
  • 张清;王平;张文翔;耿艳胜;蔡伟亮 - 东莞中子科学中心
  • 2017-04-27 - 2017-09-15 - G21K1/04
  • 本申请公开了一种去除快中子的斩波器。本申请的斩波器包括密封壳体、阻挡块和转动部件;密封壳体上前后对称位置开设有中子窗口,密封壳体上设置有真空抽气口;转动部件设置于密封壳体空腔内,转动部件包括转轴和转动块,转动块对称设于转轴两侧,转轴由内装式电机直接驱动;阻挡块由两块大小相等的合金块组成,两块合金块分别安装在两转动块上,中子穿过斩波器的轨迹与合金块转动时形成的圆环面相交,合金块与中子轨迹相交面的面积大于中子的截面积。本申请的斩波器,特别针对快中子而设计,通过阻挡块转动,能够有效而准确的去除快中子,消除背底,避免快中子对后续研究造成不良影响。
  • 一种去除快中子斩波器
  • [发明专利]基于CCD的图像获取系统及分析方法-CN201610245817.4有效
  • 汪金龙 - 汪金龙
  • 2016-04-20 - 2019-02-15 - G01T1/29
  • 基于CCD的图像获取系统包括以下几部分:开始S1,影像系统搭建S2,刻度S3,获取图像S4,图像分析S5,计算截面参数S6和结束S7。影像系统搭建S2,刻度S3和获取图像S4组成图像获取系统P1,图像分析S5和计算截面参数S6组成参数分析方法P2。影像系统由CCD相机D11,可调镜头D12和相应的接口D13组成。刻度S3及其方法用于标定实际位置和截面参数,主要硬件为刻度板D2。获取图像S4由PC电脑D31和相应的接口D32组成,通过图像获取方法M2可得到高质量的图像。图像分析S5包括图像处理算法M31和3D分析算法M32,计算截面参数S6包括中心计算算法M41和截面计算算法M42。
  • 基于ccd图像获取系统分析方法
  • [发明专利]一种质子治疗电离室信号发生方法-CN202210302972.0有效
  • 黄鹏;殷治国;边天剑;冀鲁豫;汪洋;卢晓通;牟雪儿 - 中国原子能科学研究院
  • 2022-03-25 - 2023-03-14 - G06F15/78
  • 本发明公开了一种笔形扫描电离室信号发生方法,包括:通信程序子模块通过该同步通信模块实现和上位机的通信,进而实现读取上位机中下达的目标位置/剂量信息;加速器接口程序子模块通过控制所述加速器接口模块中的ADC实现流流强的读取;位置信号处理程序子模块通过同步通信模块读取位置,进行位置到条带信号的转换;剂量信号处理程序子模块根据加速器接口模块读取的流流强信息,控制剂量信号产生模块中的DAC,环境信号处理程序子模块实现对环境传感器模拟信号输出模块的控制本发明解决了目前只能载调试笔形扫描控制系统和TCS系统的难题,使得上述系统的离线调试成为可能。
  • 一种质子治疗电离室信号发生方法
  • [发明专利]一种测定离子平行度的装置和方法-CN201410050522.2在审
  • 严晓龙;吴建宏;彭思君;钟尚骅 - 上海和辉光电有限公司
  • 2014-02-13 - 2015-08-19 - H01J37/244
  • 本发明提供了一种测定离子平行度的装置和方法,该装置包括:一基板放置单元,以放置基板于其上;一离子透过单元,具有允许离子流通过的多条细缝,并和所述基板放置单元上放置的基板平行;一电流收集单元,测量基板上的电流;以及,一位置对照单元,以与测量的基板上的电流的位置进行对照。通过测定离子平行度的装置或方法,能够直接简单的获得离子平行度,避免了传统方法中判断电阻值均匀性时受到离子在硅晶片中的通道效应、离子激活设备温度均匀性以及电阻值测量设备准确度影响,且离子透过单元可以重复使用
  • 一种测定离子束平行装置方法

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