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[发明专利]半导体存储装置-CN202110006529.4在审
发明人：奥山清 -专利权人：铠侠股份有限公司
申请日： 2021-01-05 - 公布日： 2021-10-15 - 主分类号： H01L27/11573 文献下载
摘要：实施方式提供一种在动作时序、施加电压不同的晶体管阵列区域彼此之间缓和电位差的半导体存储装置。实施方式的半导体存储装置具有衬底、第1杂质区域、第2杂质区域、第1晶体管、第3杂质区域、第4杂质区域、第2晶体管、以及活性区域。第1导电型的第1杂质区域、第2杂质区域、第3杂质区域、第4杂质区域、活性区域设置在衬底上。第1杂质区域与第2杂质区域在第1方向上隔开。第1晶体管在第1杂质区域与第2杂质区域之间包含第1电极。第3杂质区域与第1杂质区域在第2方向上隔开。第4杂质区域与第3杂质区域在第1方向上隔开。第2晶体管在第3杂质区域与第4杂质区域之间包含第2电极。活性区域设置在第1晶体管与第2晶体管之间。
半导体存储装置

[发明专利]一种甜菊糖苷产品的残留杂质去除方法-CN202210953338.3有效
发明人：王磊;孔心寓 -专利权人：山东唐乐生物科技股份有限公司
申请日： 2022-08-10 - 公布日： 2022-11-08 - 主分类号： G01N21/88 文献下载
摘要：本发明涉及图像处理领域，具体涉及一种甜菊糖苷产品的残留杂质去除方法，采集甜菊糖苷样品表面的RGB‑D深度图像，对图像进行分割得到每个甜菊糖区域和每个疑似杂质区域，选取每个疑似杂质区域的边界像素点进行曲线拟合得到每个疑似杂质区域的边界曲率，根据每个疑似杂质区域的边界曲率和每个疑似杂质区域的梯度大小将疑似杂质区域分为光影区域和杂质区域，根据光影区域和杂质区域像素点灰度值均值对比，得到光影区域中的杂质区域，根据深度图像中所有杂质区域的像素点个数和图像像素点总个数得到甜菊糖苷样品的纯度，根据纯度对甜菊糖苷是否需要去除杂质进行判断，方法智能、精准、高效。
一种甜菊糖产品残留杂质去除方法

[发明专利]半导体装置-CN200510081961.0有效
发明人：寺岛知秀 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2005-07-06 - 公布日： 2006-03-08 - 主分类号： H01L21/76 文献下载
摘要：在半导体衬底(1)和半导体层(2)的界面形成n+型的埋入杂质区域(3)。在埋入杂质区域(3)和半导体层(2)的界面形成p+型的埋入杂质区域(4)。在埋入杂质区域(3、4)的上方，半导体层(2)的上面内形成n型的杂质区域(6)。并且，在埋入杂质区域(3、4)的上方，半导体层(2)的上面内与杂质区域(6)分开形成p型的杂质区域(5)。而且，杂质区域(6)的电位高于杂质区域(5)时，杂质区域(5)和埋入杂质区域(4)由耗尽层电气分离。从而，提供可以提高半导体装置厚度方向上的耐压的技术。
半导体装置

[发明专利]静电保护电路-CN200810161854.2无效
发明人：森日出树;葛西宪太郎 -专利权人：索尼株式会社
申请日： 2008-10-09 - 公布日： 2009-09-16 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：一种静电保护电路包括第一杂质区域、第二杂质区域、第一电极、第三杂质区域、第四杂质区域、第二电极、第五杂质区域、第六杂质区域、第三电极、栅极绝缘膜和第四电极。
静电保护电路

[发明专利]半导体器件-CN201711120948.0有效
发明人：李仁学 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2017-11-14 - 公布日： 2023-07-25 - 主分类号： H10B20/20 文献下载
摘要：一种半导体器件包括：基板，具有第一有源区；第一栅电极和第二栅电极，设置在第一有源区上；第一杂质区域、第二杂质区域和第三杂质区域，设置在第一有源区中；第一有源接触、第二有源接触和第三有源接触，分别设置在第一杂质区域、第二杂质区域和第三杂质区域上并且分别连接到第一杂质区域、第二杂质区域和第三杂质区域；第一电源线，通过第一有源接触电连接到第一杂质区域；以及第一位线，通过第二有源接触和第三有源接触电连接到第二杂质区域和第三杂质区域第一栅电极以及第一杂质区域和第二杂质区域形成第一存储器单元的第一晶体管。第二栅电极以及第二杂质区域和第三杂质区域形成第二存储器单元的第二晶体管。第二杂质区域是第一存储器单元的第一晶体管和第二存储器单元的第二晶体管的漏极。
半导体器件

[发明专利]光电变换装置及其制造方法和摄像系统-CN200810166297.3有效
发明人：让原浩;三岛隆一;渡边高典;市川武史;田村清一 -专利权人：佳能株式会社
申请日： 2004-12-10 - 公布日： 2009-02-18 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：作为本发明特征的构成是具有第一导电型的半导体基板和光电变换元件的光电变换装置，所述光电变换元件备有设置在包含多个导电型与第一导电型相反的第二导电型的杂质区域的阱内的第一导电型的杂质区域，多个上述第二导电型的杂质区域至少包含第1杂质区域、比该第1杂质区域更配置在基板表面侧的第2杂质区域、和比该第2杂质区域更配置在基板表面侧的第3杂质区域，上述第1杂质区域的杂质浓度峰值的浓度C1、上述第2杂质区域的杂质浓度峰值的浓度C2和上述第3杂质区域的杂质浓度峰值的浓度C3满足下列关系：C2＜C3＜C1。
光电变换装置及其制造方法摄像系统

[发明专利]光电变换装置及其制造方法和摄像系统-CN200410100705.7有效
发明人：让原浩;三岛隆一;渡边高典;市川武史;田村清一 -专利权人：佳能株式会社
申请日： 2004-12-10 - 公布日： 2005-06-15 - 主分类号： H01L27/14 文献下载
摘要：作为本发明特征的构成是具有第一导电型的半导体基板和光电变换元件的光电变换装置，所述光电变换元件备有设置在包含多个导电型与第一导电型相反的第二导电型的杂质区域的阱内的第一导电型的杂质区域，多个上述第二导电型的杂质区域至少包含第1杂质区域、比该第1杂质区域更配置在基板表面侧的第2杂质区域、和比该第2杂质区域更配置在基板表面侧的第3杂质区域，上述第1杂质区域的杂质浓度峰值的浓度C1、上述第2杂质区域的杂质浓度峰值的浓度C2和上述第3杂质区域的杂质浓度峰值的浓度C3满足下列关系：C2＜C3＜C1。
光电变换装置及其制造方法摄像系统

[发明专利]半导体装置及其制造方法-CN201110135949.9无效
发明人：佐藤嘉展;铃木聪史 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 2011-05-20 - 公布日： 2011-11-23 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：半导体装置包括：第一杂质区域，其形成于具有第一导电型的半导体层的表面部，具有第二导电型；主体区域，其以与第一杂质区域接触的方式相邻地形成，具有第一导电型；第二杂质区域，其与主体区域分离而形成于第一杂质区域并具有第二导电型，其深度比第一杂质区域小；源极区域，其形成于主体区域的表面部，具有第二导电型；漏极区域，其形成于第二杂质区域的表面部，具有第二导电型；和隔着栅极绝缘膜形成的栅极电极。在半导体装置的优选实施方式中，第二杂质区域具有比第一杂质区域高的杂质浓度，并且第一杂质区域的深度小于1μm。
半导体装置及其制造方法

[发明专利]图像传感器-CN201110455691.0有效
发明人：慎宗哲 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2011-12-30 - 公布日： 2012-08-08 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：该图像传感器包括：具有光接收区域的半导体层；以及被插入到所述半导体层内的栅电极；其中，所述光接收区域包括下部杂质区域、上部杂质区域以及被布置在所述下部杂质区域与所述上部杂质区域之间的沟道区域，所述沟道区域具有与所述下部杂质区域和所述上部杂质区域不同的导电类型，并且，所述栅电极被插入到所述沟道区域内，以便具有围绕所述上部杂质区域的闭环形状。
图像传感器

[发明专利]半导体装置及其制造方法-CN200710085729.3有效
发明人：乡户宏充 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2007-03-08 - 公布日： 2007-09-12 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：本发明的目标是减小半导体膜内沟道形成区域的边缘部分的特性对晶体管特性的影响。岛状半导体膜形成于衬底上，且设于该岛状半导体膜上的形成栅电极的导电膜形成于该半导体膜上，栅极绝缘膜夹置于其间。在该半导体膜中设有沟道形成区域、形成源极区域或者漏极区域的第一杂质区域、以及第二杂质区域。该沟道形成区域设于与横过该岛状半导体膜的栅电极交叠的区域，该第一杂质区域设为毗邻该沟道形成区域，且该第二杂质区域设为毗邻该沟道形成区域和该第一杂质区域。该第一杂质区域和第二杂质区域设为具有不同的电导率，该第二杂质区域和该沟道形成区域形成为具有不同的电导率，或者在具有相同电导率时具有与第二杂质区域及沟道形成区域不同的杂质元素浓度。
半导体装置及其制造方法

[发明专利]一种货物杂质含量检测方法、系统、装置与存储介质-CN202211245093.5在审
发明人：周媛;谭天 -专利权人：杭州天眼智联科技有限公司
申请日： 2022-10-12 - 公布日： 2023-01-17 - 主分类号： G06V10/25 文献下载
摘要：本申请公开了一种货物杂质含量检测方法、系统、装置和存储介质，其中方法包括以下步骤：获取待检测货物的第一货物图像；采用预设的杂质检测模型对第一货物图像进行杂质检测，得到杂质区域、各个所述杂质区域对应的杂质种类、货物主体区域；根据杂质种类，确定各个所述杂质区域中杂质对应的第一密度；提取所述第一货物图像中各个杂质区域对应的杂质面积以及货物主体区域面积；根据第一密度、杂质面积、以及货物主体区域面积，得到单个杂质区域的杂质比例；遍历计算第一货物图像中所有杂质比例的总和，确定货物杂质含量。本方法可以确定杂质的含量，可以更准确对杂质进行评分，从而提高了评分的准确度。本申请可广泛应用于货物评分技术领域内。
一种货物杂质含量检测方法系统装置存储介质

[发明专利]光电转换器件和多芯片图像传感器-CN200810210016.X有效
发明人：山崎和男;光地哲伸 -专利权人：佳能株式会社
申请日： 2008-08-22 - 公布日： 2009-02-25 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：所述光电转换器件包括设置在其中的多个像素，每一个像素都包括构成光电转换区域的第一导电类型的第一杂质区域，设置在第一杂质区域中的构成信号获取区域的第二导电类型的第二杂质区域，第一导电类型的第三杂质区域和第一导电类型的第四杂质区域设置在每一个像素的外围，用于使每一个像素隔离，第四杂质区域被置于相邻像素之间，并且第四杂质区域的杂质浓度小于第三杂质区域的杂质浓度。
光电转换器件芯片图像传感器

[发明专利]半导体元件、半导体元件的制造方法-CN201410260813.4在审
发明人：高桥卓也;楢崎敦司;高桥彻雄 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2014-06-12 - 公布日： 2014-12-24 - 主分类号： H01L29/861 文献下载
摘要：本发明的目的在于，提供能够防止在激活区域和阱区域的边界处杂质浓度变高的半导体元件、以及该半导体元件的制造方法。具有：第1导电型的衬底(10)；第2导电型的第1杂质区域(12)，其形成在该衬底的正面侧；第2导电型的第2杂质区域(14)，其形成在该衬底的正面侧，与该第1杂质区域接触，且在俯视观察时将该第1杂质区域包围，并且在剖面观察时比该第1杂质区域深；以及第2导电型的耐圧保持构造(16)，其形成为在俯视观察时包围该第2杂质区域。该第1杂质区域和该第2杂质区域的边界处的杂质浓度小于或等于该第2杂质区域的杂质浓度的最大值，电流在该衬底的正面和背面之间流动。
半导体元件制造方法

[发明专利]碳化硅半导体装置及碳化硅半导体装置的制造方法-CN202080074984.1在审
发明人：畑山智亮;增田健良;原田信介 -专利权人：住友电气工业株式会社
申请日： 2020-10-09 - 公布日： 2022-06-07 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：碳化硅基板具有第一主面、第二主面、第一杂质区域、第二杂质区域及第三杂质区域。第一电极在第一主面处与第二杂质区域及第三杂质区域的各自相接。第二电极在第二主面处与第一杂质区域相接。第二杂质区域包含第一区域和处于第一区域与第二主面之间且与第一区域相接的第二区域。第一区域的杂质浓度为6×1016cm‑3以上。
碳化硅半导体装置制造方法

[发明专利]摄像装置-CN202080006129.7在审
发明人：佐藤好弘;高见义则 -专利权人：松下知识产权经营株式会社
申请日： 2020-01-16 - 公布日： 2021-06-22 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明的一技术方案的摄像装置具备：光电变换部，将入射光变换为电荷；第1杂质区域，位于半导体基板中，与光电变换部电连接，包含第1导电型的杂质；与第1杂质区域不同的第2杂质区域，位于半导体基板中，包含第1导电型的杂质；第3杂质区域，位于半导体基板中，在平面视下位于第1杂质区域与第2杂质区域之间，包含与第1导电型不同的第2导电型的杂质；以及第1接触部，位于半导体基板上，与第3杂质区域电连接，包括包含第2导电型的杂质的半导体
摄像装置

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