“晶片级封装”专利关键词查询_检索下载_查询列表_检索列表_行业专利分布_钻瓜专利网_专利查询网

首页在售求购查询申请展会资讯专利榜企服商城升级VIP

立即登录免费注册

在售专利
求购专利
查询专利
新闻资讯
技术展会
招商加盟
专利榜

本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247

本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247

专利名称

专利名称
专利号码
专利分类
申请人
公布日期

农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

专利下载VIP

公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

钻瓜专利网为您找到相关结果833970个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]晶片级封装-CN202080076255.X在审
发明人： R·比瓦莱兹;K·尼古拉斯;I·卢卡绍夫;L·迈尔 -专利权人： RF360欧洲有限责任公司
申请日： 2020-10-30 - 公布日： 2022-06-10 - 主分类号： B81B7/00 文献下载
摘要：提出了一种结合铜柱或焊料凸块和声学空腔的完全覆盖封装解决方案，与当前薄膜声学晶片级封装相比，提供了最大可用设计区域。可以在自对准互连过程中完成制造。
晶片封装

[发明专利]晶片级封装-CN201110128509.0有效
发明人：朴相昱;金南锡;白承德 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2011-05-09 - 公布日： 2011-11-09 - 主分类号： H01L23/488 文献下载
摘要：本发明公开了晶片级封装。在一个实施例中，晶片级封装包括形成在半导体基底上的重布图案和设置在重布图案上的第一包封剂图案。第一包封剂图案具有暴露重布图案的一部分的通孔。所述封装还包括形成在重布图案的暴露部分上的外部连接端子。通孔的侧壁的上段和外部连接端子的侧壁可以分开间隙距离。该间隙距离可以向包封剂图案的上表面增加。
晶片封装

[发明专利]晶片级封装和切割的方法-CN200610006064.8无效
发明人：王顺达 -专利权人：探微科技股份有限公司
申请日： 2006-01-24 - 公布日： 2007-08-01 - 主分类号： H01L21/50 文献下载
摘要：本发明公开了一种晶片级封装和切割的方法。所述方法首先提供包含多个腔体的封装晶片，并形成多条未贯穿该封装晶片的沟槽于所述腔体间。接着将该封装晶片与元件晶片接合，并使各所述腔体与该元件晶片分别形成气密视窗。随后进行切割工艺，并移除该封装晶片未与该元件晶片结合的部分结构，形成晶片级封装结构。最后分割该晶片级封装结构，形成多个独立的封装管芯。
晶片封装切割方法

[发明专利]完全晶片级封装的MEMS麦克风及其制造方法-CN201480003820.4有效
发明人：邹泉波;王喆 -专利权人：歌尔股份有限公司
申请日： 2014-08-26 - 公布日： 2020-05-15 - 主分类号： H04R19/04 文献下载
摘要：本发明提供一种完全晶片级封装的MEMS麦克风的制造方法以及其所制造的麦克风，所述方法包括：分别制造第一封装晶片、MEMS麦克风晶片以及第二封装晶片；对所述三个晶片进行晶片到晶片键合，以形成多个完全晶片级封装的MEMS麦克风单元；对所述完全晶片级封装的MEMS麦克风单元进行切割，以形成多个完全晶片级封装的MEMS麦克风，该MEMS麦克风完全在晶片级进行封装并且在晶片切割后不需要任何进一步处理。所述方法可以提高所述封装的MEMS麦克风的成本效益、性能一致性、可制造性、质量、缩放能力。
完全晶片封装 mems 麦克风及其制造方法

[发明专利]晶片级封装和切割的方法-CN200610006063.3无效
发明人：王顺达 -专利权人：探微科技股份有限公司
申请日： 2006-01-24 - 公布日： 2007-08-01 - 主分类号： H01L21/50 文献下载
摘要：首先提供封装晶片与元件晶片，且该封装晶片的正面有多个腔体及沟槽。随后接合该封装晶片与该元件晶片，并进行第一切割工艺。接着贴附粘着层于该封装晶片之上，再进行第二切割工艺并移除该粘着层，形成晶片级封装结构。最后，将该晶片级封装结构分割为多个封装管芯。
晶片封装切割方法

[发明专利]光电子器件的晶片级封装-CN200410078081.3无效
发明人：肯德拉·J·盖洛普;弗兰克·S·格费;罗纳德·沙恩·法齐欧;马莎·约翰逊;卡丽·安·格思里;丹耶·杰格里斯·斯奈德;理查德·C·鲁比 -专利权人：安捷伦科技有限公司
申请日： 2004-09-20 - 公布日： 2005-04-20 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种晶片级封装和形成晶片级封装的方法。该晶片级封装包括：第一晶片，所述第一晶片包括焊盘；所述第一晶片上的光电子器件；和包括衬垫的第二晶片。所述第二晶片通过所述衬垫和所述焊盘之间的焊接连接到所述第一晶片。
光电子器件晶片封装

[发明专利]提高了板级可靠性的晶片级封装装置-CN201510093046.7有效
发明人： P·R·哈珀;M·梅森;A·V·萨莫伊洛夫 -专利权人：马克西姆综合产品公司
申请日： 2015-03-02 - 公布日： 2019-06-14 - 主分类号： H01L21/60 文献下载
摘要：本发明描述了一种晶片级封装装置、电子装置和用于制造该晶片级封装装置的制造方法，该方法包括在晶片级封装装置上形成暴露的引线末端，以便当将晶片级封装装置结合到另一电部件时提供焊料支撑结构。在各实现方式中，晶片级封装装置包括至少一个集成电路管芯、金属垫、第一电介质层、再分布层、第二电介质层、柱结构、模制层、柱层、和镀覆层，其中柱层被锯切以在晶片级封装装置的至少两个侧面上形成垫触头。暴露的垫触头便于形成焊料角焊缝和支撑结构，结果得到改善的板级可靠性。
提高可靠性晶片封装装置

[发明专利]堆叠的晶片级封装器件-CN201210320441.0在审
发明人： A·V·萨莫伊洛夫;T·王;Y-S·A·孙 -专利权人：马克西姆综合产品公司
申请日： 2012-08-31 - 公布日： 2013-03-20 - 主分类号： H01L23/488 文献下载
摘要：本发明提供了一种堆叠的晶片级封装器件。所描述的晶片级封装器件包括封装到单个晶片级封装器件中的多个管芯。在实施方式中，晶片级封装器件包括具有在其中形成的至少一个电互连部的半导体器件。至少一个半导体封装器件设置在所述半导体器件的所述第一表面上。所述半导体封装器件包括一个或多个微焊料凸块。所述晶片级封装器件还包括设置在所述半导体器件上并由所述半导体器件支撑的用以包封一个或多个所述半导体封装器件的包封结构。当所述半导体封装器件设置在所述半导体器件上时，每个微焊料凸块连接至形成在所述半导体器件中的各个电互连部。
堆叠晶片封装器件

[发明专利]晶片水平芯片级封装及激光标识该封装的方法-CN200910004152.8有效
发明人：吴瑞生;刘燕;冯涛 -专利权人：万国半导体股份有限公司
申请日： 2009-02-13 - 公布日： 2010-08-18 - 主分类号： H01L21/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种晶片水平芯片级封装和激光标识该封装的方法。该方法包括在晶片的前表面形成若干半导体器件，金属化晶片前表面的器件触点，研磨晶片的背面，硅蚀刻晶片的背面，在硅蚀刻步骤后，激光标识晶片的背面，激光标识步骤后，氧化蚀刻晶片的背面，氧化蚀刻步骤后，在晶片背面沉积一个金属层，将晶片切成若干晶片水平芯片级封装的步骤。晶片水平芯片级封装包括形成在其背面的标识，该标识包括若干形成在硅背面的沟槽和相应的形成在覆盖背面的金属层上的刻痕。
晶片水平芯片级封装激光标识方法

[发明专利]包括与无源元件集成的器件晶片的晶片级封装-CN201110412463.5有效
发明人： Q·甘;R·沃伦;A·洛比安科;S·梁 -专利权人：斯盖沃克斯瑟路申斯公司
申请日： 2006-03-10 - 公布日： 2012-03-21 - 主分类号： H01L23/498 文献下载
摘要：根据示例性的实施例，一种晶片级封装包括这样的器件晶片，所述器件晶片包括至少一个器件晶片接触衬垫和器件，并且其中所述至少一个器件晶片接触衬垫被电连接到所述器件。所述晶片级封装包括位于所述器件晶片之上的第一聚合物层。所述晶片级封装包括位于所述第一聚合物层之上并具有第一端子和第二端子的至少一个无源元件。所述至少一个无源元件的第一端子被电连接到所述至少一个器件晶片接触衬垫。所述晶片级封装包括位于所述至少一个无源元件之上的第二聚合物层。所述晶片级封装包括位于所述第二聚合物层之上并被电连接到所述至少一个无源元件的所述第二端子的至少一个聚合物层接触衬垫。
包括无源元件集成器件晶片封装

[发明专利]包括与无源元件集成的器件晶片的晶片级封装-CN200680008015.6有效
发明人： Q·甘;R·沃伦;A·洛比安科;S·梁 -专利权人：斯盖沃克斯瑟路申斯公司
申请日： 2006-03-10 - 公布日： 2009-07-29 - 主分类号： H01L23/10 文献下载
摘要：根据示例性的实施例，一种晶片级封装包括这样的器件晶片，所述器件晶片包括至少一个器件晶片接触衬垫和器件，并且其中所述至少一个器件晶片接触衬垫被电连接到所述器件。所述晶片级封装包括位于所述器件晶片之上的第一聚合物层。所述晶片级封装包括位于所述第一聚合物层之上并具有第一端子和第二端子的至少一个无源元件。所述至少一个无源元件的第一端子被电连接到所述至少一个器件晶片接触衬垫。所述晶片级封装包括位于所述至少一个无源元件之上的第二聚合物层。所述晶片级封装包括位于所述第二聚合物层之上并被电连接到所述至少一个无源元件的所述第二端子的至少一个聚合物层接触衬垫。
包括无源元件集成器件晶片封装

[发明专利]使用外部吸气剂来降低封装压力-CN201680044316.8有效
发明人： S·H·布莱克;A·M·肯尼迪 -专利权人：雷神公司
申请日： 2016-05-19 - 公布日： 2021-05-28 - 主分类号： H01L23/26 文献下载
摘要：一种用于形成晶片级封装的系统和方法。在一个示例中，在晶片级封装中所使用的衬底包括由晶片级封装(WLP)区域和外部区域定义的表面，并且吸气剂材料层布置在外部区域的至少一部分上。根据一个实施例，外部区域包括晶片的锯切展现(STR)区域。
使用外部吸气降低封装压力

[发明专利]用于实现超薄晶片级封装（WLP）的封装体的低成本、低轮廓的焊料凸点工艺-CN201310692656.X有效
发明人： K·坦比杜赖;V·汉德卡尔;T·周 -专利权人：马克西姆综合产品公司
申请日： 2013-12-17 - 公布日： 2018-04-24 - 主分类号： H01L21/48 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于实现超薄晶片级封装（WLP）的封装体的低成本、低轮廓的焊料凸点工艺。具体而言，本文说明了用于浸焊工艺的技术，其提供了低轮廓、低成本的焊料凸点形成工艺，可以实施它以促进封装厚度缩放（例如减小总体封装厚度）。例如，本文公开的浸焊工艺可以实现超薄晶片级封装（WLP）、超薄晶片级方形扁平无引脚（WQFN）封装等。
用于实现超薄晶片封装 wlp 低成本轮廓焊料工艺

[发明专利]晶片级发光装置封装件及其制造方法-CN201110396498.4有效
发明人：黄圣德 -专利权人：三星LED株式会社
申请日： 2011-11-29 - 公布日： 2012-07-18 - 主分类号： H01L33/48 文献下载
摘要：本发明公开了一种晶片级发光装置封装件及其制造方法，该晶片级发光装置封装件可以包括将发光结构结合到封装基底的聚合物层，聚合物层和封装基底可以包括多个通孔。此外，制造该晶片级发光装置封装件的方法可以包括在发光结构上形成聚合物层、通过施加热和压力将封装基底结合在聚合物层上以及在聚合物层和封装基底中形成多个通孔。
晶片发光装置封装及其制造方法

[发明专利]晶片级线型光源发光装置-CN201810254467.7有效
发明人：陈杰;张嘉显 -专利权人：行家光电股份有限公司
申请日： 2018-03-26 - 公布日： 2022-02-25 - 主分类号： H01L33/48 文献下载
摘要：本发明提出一种晶片级线型光源发光装置，其包含一基板、复数个覆晶式LED晶片、一晶片级封装结构及一反射结构；该等LED晶片、封装结构及反射结构皆设置于基板上，且封装结构部分地覆盖LED晶片，而反射结构部分地覆盖于封装结构及该等LED晶片，俾以封装结构的侧面为主要侧出光面或封装结构的顶面为主要出光顶面，其中，该封装结构包括可透光材料与/或光致发光材料。藉此，该等LED晶片所提供的第一光束可被反射结构导引至封装结构，再由主要出光面散射出，俾以形成单色光或白光的线形光型发光装置。
晶片线型光源发光装置

1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
下一页»
尾页
共 100000 条

友情链接：交换友情链接需要网站权重大于4，网站收录10W以上，如符合条件，请联系QQ：76009968。

关于我们寻求报道投稿须知广告合作版权声明网站地图友情链接企业标识联系我们

在线咨询

400-8765-105周一至周五 9:00-18:00

版权所有钻瓜科技（天津）有限公司津ICP备15000985号津公网安备 12019202000206号http://www.vipzhuanli.com/公布日期

咨询在线客服

咨询在线客服

tel code back_top