“晶型A”专利关键词查询_检索下载_查询列表_检索列表_行业专利分布_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果2484465个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]一种TLR7激动剂的马来酸盐、其晶型C、晶型D、晶型E、制备方法和用途-CN201610082030.0在审
发明人：丁照中;孙飞;胡迎虎;周义龙;王峥;杨玲 -专利权人：正大天晴药业集团股份有限公司
申请日： 2016-02-05 - 公布日： 2017-08-15 - 主分类号： C07D487/04 文献下载
摘要：本发明涉及TLR7激动剂2‑丁氧基‑7‑(4‑(吡咯烷‑1‑基甲基)苄基)‑5H‑吡咯并[3,2‑d]嘧啶‑4‑胺(式I)的马来酸盐及其晶型C、晶型D和晶型E。具体而言，本发明涉及式I所示化合物的马来酸盐、该盐的制备方法、包含该盐的药物组合物和该盐的医药用途；本发明还涉及式I所示化合物的马来酸盐晶型C、晶型D和晶型E；它们的制备方法、包含它们的结晶组合物、药物组合物及医药用途本发明的式I所示化合物的马来酸盐和其晶型C、晶型D和晶型E具有纯度高、结晶度高、稳定性好、易于制备等优点，可供制备用于预防或治疗Toll样受体7(TLR7)相关疾病的药物。
一种 tlr7 激动剂马来晶型制备方法用途

[发明专利]X晶型、含有X晶型的多沙唑嗪甲磺酸盐及其制备方法和用途-CN201810004736.4在审
发明人：杨洋;张飞龙;赵吴杰;李春正 -专利权人：合肥立方制药股份有限公司
申请日： 2018-01-03 - 公布日： 2019-07-09 - 主分类号： C07D405/12 文献下载
摘要：本发明提供X晶型、含有X晶型的多沙唑嗪甲磺酸盐及其制备方法和用途，X晶型在X射线衍射上在5.195°‑5.200°、15.938°‑15.944°、20.550°‑20.570°、25.375°‑25.385°范围内的衍射角2θ角显示衍射峰，X晶型为多沙唑嗪甲磺酸盐的一种新的晶型。本发明中含晶型X的多沙唑嗪甲磺酸盐制备方法简单，在工业生产中条件更容易控制，可广泛应用于制备治疗高血压及良性前列腺增生药物。将含X晶型的多沙唑嗪甲磺酸盐通过加热转化为含D晶型的多沙唑嗪甲磺酸盐，为制备含有D晶型的多沙唑嗪甲磺酸盐提供一种新的途径。
多沙唑嗪甲磺酸盐晶型制备衍射角2 θ 良性前列腺增生制备治疗高血压衍射峰晶型X 加热转化应用

[发明专利]米卡芬净钠新晶型及其制备方法-CN201810543900.9有效
发明人：方乐;谢厅;何志勇 -专利权人：杭州中美华东制药有限公司;杭州华东医药集团新药研究院有限公司
申请日： 2018-05-31 - 公布日： 2022-02-18 - 主分类号： C07K7/56 文献下载
摘要：本发明提供了新的米卡芬净钠晶型I、II及其制备方法。晶型I和II可通过易于挥发的溶剂或含极少量水的结晶体系结晶获得，工艺简单，易于干燥，适合工业化生产。制得的晶型I休止角小于30°，流动性好，晶型II休止角小于40°，流动性满足生产需求。晶型I和II在室温干燥条件下放置一个月晶型均不变。晶型I在85％RH和97％RH条件下、晶型II在85％RH条件下，室温敞口放置3天，外观及流动性变化不明显。晶型I和II可以更好地对抗由于湿度因素可能产生的潮解、流动性下降、转移困难等问题，可以适应更宽松的制造、贮存和运输条件，为新制剂的研究提供了支持。
米卡芬净钠新晶型及其制备方法

[发明专利]一种7-羟基异黄酮的晶型、其制法和其药物组合物与用途-CN201210537114.0有效
发明人：吕扬;杜冠华;栾江伟;常颖;应剑;孙岚;赵艳 -专利权人：中国医学科学院药物研究所
申请日： 2008-05-28 - 公布日： 2013-06-12 - 主分类号： C07D311/36 文献下载
摘要：本发明公开了7-羟基异黄酮的五种晶型、其制法和其药物组合物与用途。具体而言，涉及发现了7-羟基异黄酮化合物在固体状态下存在有晶A型、晶B型、晶C型、晶D型、晶E型五种形式；涉及发明了五种晶型样品的制备方法；涉及使用7-羟基异黄酮的不同晶型物质作为活性成分制备开发出的各种制剂及其药物组合物在防治心脑血管疾病、骨质疏松症、炎症、代谢性疾病及其他疾病中发挥的优势临床治疗作用；发现晶型会影响该固体药物有效成分在生物体内的吸收速度、增强或减少生物体内血药浓度从而影响药物在临床中的治疗作用。
一种羟基异黄酮制法药物组合用途

[发明专利]7-羟基异黄酮的晶E型、其制法和其药物组合物与用途-CN201210548701.X有效
发明人：吕扬;杜冠华;栾江伟;常颖;应剑;孙岚;赵艳 -专利权人：中国医学科学院药物研究所
申请日： 2008-05-28 - 公布日： 2013-05-29 - 主分类号： C07D311/36 文献下载
摘要：本发明公开了7-羟基异黄酮的五种晶型、其制法和其药物组合物与用途。具体而言，涉及发现了7-羟基异黄酮化合物在固体状态下存在有晶A型、晶B型、晶C型、晶D型、晶E型五种形式；涉及发明了五种晶型样品的制备方法；涉及使用7-羟基异黄酮的不同晶型物质作为活性成分制备开发出的各种制剂及其药物组合物在防治心脑血管疾病、骨质疏松症、炎症、代谢性疾病及其他疾病中发挥的优势临床治疗作用；发现晶型会影响该固体药物有效成分在生物体内的吸收速度、增强或减少生物体内血药浓度从而影响药物在临床中的治疗作用。
羟基异黄酮制法药物组合用途

[发明专利]7-羟基异黄酮的晶D型、其制法和其药物组合物与用途-CN201210543731.1有效
发明人：吕扬;杜冠华;栾江伟;常颖;应剑;孙岚;赵艳 -专利权人：中国医学科学院药物研究所
申请日： 2008-05-28 - 公布日： 2013-05-08 - 主分类号： C07D311/36 文献下载
摘要：本发明公开了7-羟基异黄酮的五种晶型、其制法和其药物组合物与用途。具体而言，涉及发现了7-羟基异黄酮化合物在固体状态下存在有晶A型、晶B型、晶C型、晶D型、晶E型五种形式；涉及发明了五种晶型样品的制备方法；涉及使用7-羟基异黄酮的不同晶型物质作为活性成分制备开发出的各种制剂及其药物组合物在防治心脑血管疾病、骨质疏松症、炎症、代谢性疾病及其他疾病中发挥的优势临床治疗作用；发现晶型会影响该固体药物有效成分在生物体内的吸收速度、增强或减少生物体内血药浓度从而影响药物在临床中的治疗作用。
羟基异黄酮制法药物组合用途

[发明专利]7-羟基异黄酮的晶C型、其制法和其药物组合物与用途-CN201210543669.6有效
发明人：吕扬;杜冠华;栾江伟;常颖;应剑;孙岚;赵艳 -专利权人：中国医学科学院药物研究所
申请日： 2008-05-28 - 公布日： 2013-04-03 - 主分类号： C07D311/36 文献下载
摘要：本发明公开了7-羟基异黄酮的五种晶型、其制法和其药物组合物与用途。具体而言，涉及发现了7-羟基异黄酮化合物在固体状态下存在有晶A型、晶B型、晶C型、晶D型、晶E型五种形式；涉及发明了五种晶型样品的制备方法；涉及使用7-羟基异黄酮的不同晶型物质作为活性成分制备开发出的各种制剂及其药物组合物在防治心脑血管疾病、骨质疏松症、炎症、代谢性疾病及其他疾病中发挥的优势临床治疗作用；发现晶型会影响该固体药物有效成分在生物体内的吸收速度、增强或减少生物体内血药浓度从而影响药物在临床中的治疗作用。
羟基异黄酮制法药物组合用途

[发明专利]异质结太阳能电池-CN201610659357.X有效
发明人：陈玉鸿;刘俊岑;刘永宗;林宸澄 -专利权人：财团法人工业技术研究院
申请日： 2013-12-06 - 公布日： 2017-12-08 - 主分类号： H01L31/0216 文献下载
摘要：本发明公开了一种异质结太阳能电池，包含p型微晶硅层，具有受光面及相对于该受光面的背光面；第一纳米银线层，形成在该p型微晶硅层的受光面上；第一n型非晶氧化层，形成在该纳米银线层上；i型微晶硅薄膜层，形成在该p型微晶硅层的背光面上；第二n型非晶氧化层，形成在该i型微晶硅薄膜层上；以及第二纳米银线层，形成在该第二n型非晶氧化层上。由于第一、第二n型非晶氧化层及第一、第二纳米银线层的透光度、导电度及反射率较现有技术为佳，从而可使得本发明在光电转换与单位成本得到非常大的竞争优势。
异质结太阳能电池

[发明专利]光电转换装置-CN201680028567.7有效
发明人：原田真臣;东贤一;神川刚;酒井敏彦;国吉督章;辻埜和也;邹柳民 -专利权人：夏普株式会社
申请日： 2016-02-24 - 公布日： 2020-02-28 - 主分类号： H01L31/0216 文献下载
摘要：光电转换装置(1)具备以与半导体基板(101)的一个面相接的方式形成的i型非晶质半导体层(102i)、分隔而配置于i型非晶质半导体层(102i)上的p型非晶质半导体层(102p)与分隔而配置于i型非晶质半导体层(102i)上，且于半导体基板(101)的面内方向邻接于p型非晶质半导体层(102p)而形成的n型非晶质半导体层(102n)。进而，光电转换装置(1)具备电极(103)作为保护层，所述保护层是以在邻接的p型非晶质半导体层(102p)之间及邻接的n型非晶质半导体层(102n)之间与i型非晶质半导体层(102i)相接的方式形成。
光电转换装置

[发明专利]米卡芬净钠新晶型II及其制备方法-CN202110288937.3有效
发明人：方乐;谢厅;何志勇 -专利权人：杭州中美华东制药有限公司;杭州华东医药集团新药研究院有限公司
申请日： 2018-05-31 - 公布日： 2022-07-08 - 主分类号： C07K7/56 文献下载
摘要：本发明提供了新的米卡芬净钠晶型I、II及其制备方法。晶型I和II可通过易于挥发的溶剂或含极少量水的结晶体系结晶获得，工艺简单，易于干燥，适合工业化生产。制得的晶型I休止角小于30°，流动性好，晶型II休止角小于40°，流动性满足生产需求。晶型I和II在室温干燥条件下放置一个月晶型均不变。晶型I在85％RH和97％RH条件下、晶型II在85％RH条件下，室温敞口放置3天，外观及流动性变化不明显。晶型I和II可以更好地对抗由于湿度因素可能产生的潮解、流动性下降、转移困难等问题，可以适应更宽松的制造、贮存和运输条件，为新制剂的研究提供了支持。
米卡芬净钠新晶型 ii 及其制备方法

[发明专利]促性腺素释放激素拮抗剂的晶型及其制备方法和用途-CN201980002268.X有效
发明人：任国宾;季伟杰;弋东旭;黄嘉骏 -专利权人：深圳仁泰医药科技有限公司
申请日： 2019-08-21 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： C07D495/04 文献下载
摘要：本发明涉及药物晶体技术领域，具体涉及一种促性腺素释放激素拮抗剂的晶型及其制备方法和用途，其中，晶型C和晶型D的纯度较高，具有良好的光照稳定性、高温稳定性、高湿稳定性，且具有良好的溶解性和较低的引湿性，晶型C和晶型D的饱和溶解度分别为101.75μg/ml和87.21μg/ml，当相对湿度从0升至50％RH时，晶型C和晶型D的引湿增重分别不高于1.76％和0.73％，当相对湿度从0升至90％RH时，晶型C和晶型D的引湿增重分别不高于3.43％和1.61％，方便对生产条件的控制，制备工艺简单，质量稳定易于大规模工业生产。
性腺释放激素拮抗剂及其制备方法用途

[发明专利]木犀草素两种晶型物质、其制法和其药物组合物与用途-CN200710177084.6有效
发明人：杜冠华;吕扬;常颖;何国荣;成银霞;竺晓鸣;徐蓓 -专利权人：中国医学科学院药物研究所
申请日： 2007-11-09 - 公布日： 2009-05-13 - 主分类号： C07D311/30 文献下载
摘要：本发明公开了木犀草素(化学名：5，7，3′，4′-四羟基黄酮；英文名：Luteolin)化合物的两种晶型物质及其制备方法，含有木犀草素α晶型、β晶型及(α+β)混合晶型的药物组合物，及木犀草素晶型物质作为药物有效成分此外，本发明还涉及使用木犀草素α晶型、β晶型及(α+β)混合晶型固体物质和黄酮类化学物质(或其它类化学物质)和\或中草药物质组合共同作为药物有效成分的药物组合物。
木犀草素两种晶型物质制法药物组合用途

[发明专利]盐酸缬更昔洛韦多晶型物及其药物组合物-CN201210455170.X在审
发明人：金春华;李峰;程花英 -专利权人：宁波市鄞州百特佳医药科技有限公司
申请日： 2012-11-14 - 公布日： 2013-04-03 - 主分类号： C07D473/18 文献下载
摘要：本发明提供了盐酸缬更昔洛韦的多晶型物，具体而言为晶型A和晶型B，其制备方法，以及含盐酸缬更昔洛韦晶型A和/或晶型B的药物组合物并在治疗巨细胞病毒感染的应用。
盐酸缬更昔洛韦多晶及其药物组合

[发明专利]沟槽型MOS器件及其制造方法-CN202010096649.3有效
发明人：余健;刘金磊 -专利权人：绍兴中芯集成电路制造股份有限公司
申请日： 2020-02-17 - 公布日： 2022-08-09 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明提供了一种沟槽型MOS器件及其制造方法，在采用常规工艺制作出沟槽型MOS器件晶圆正面上所需的结构后，先对沟槽型MOS器件晶圆的背面进行初次减薄至常规减薄厚度，然后在沟槽型MOS器件晶圆正面上形成上表面平坦的阻挡层以保护沟槽型MOS器件晶圆正面上的器件结构，并提供平坦的键合表面，接着，使用承载晶圆键合到阻挡层上，该承载晶圆可以承载初次减薄后的沟槽型MOS器件晶圆，并在进一步对沟槽型MOS器件晶圆的背面进行再次减薄的过程中抵消其中的应力，从而可以在不损坏沟槽型MOS器件晶圆的正面结构的前提下，最终减薄沟槽型MOS器件晶圆的背面至极限的所需厚度，能达到优化衬底电阻90％，以提高整个器件15％以上的性能的效果。
沟槽 mos 器件及其制造方法

[实用新型]一种N型异质结双面太阳能电池结构-CN201820135552.7有效
发明人：屈小勇;董鹏;吴翔;杜喜霞;张婷 -专利权人：国家电投集团西安太阳能电力有限公司;国家电投集团西安太阳能电力有限公司西宁分公司;国家电投集团黄河上游水电开发有限责任公司;青海黄河上游水电开发有限责任公司
申请日： 2018-01-23 - 公布日： 2018-10-12 - 主分类号： H01L31/0747 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种N型异质结双面太阳能电池结构，包括：N型硅片基体；依次形成在N型硅片基体的正面的n+轻掺杂层、正面本征非晶硅层、N型掺杂非晶硅层、正面TCO薄膜；引出于N型掺杂非晶硅层的负电极；依次形成在N型硅片基体背面的背面本征非晶硅层、P型掺杂非晶硅层、背面TCO薄膜；引出于P型掺杂非晶硅层的正电极。该电池结构通过在N型硅片基体的正面形成n+轻掺杂层后，可以降低对正面本征非晶硅钝化膜层厚度的均匀性要求，大幅降低工艺制作难度，易于获得良好的表面钝化效果；并且通过将P型掺杂非晶硅层转移到电池背面，解决了现有技术中P型掺杂非晶硅层不利于用作太阳电池正面的窗口层的问题。
双面太阳能电池本征非晶硅层轻掺杂层异质结背面表面钝化效果本实用新型本征非晶硅均匀性要求电池背面电池结构钝化膜层工艺制作窗口层负电极正电极