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[发明专利]LED磊晶结构及制程-CN201110041286.4无效
发明人：凃博闵;黄世晟 -专利权人：展晶科技（深圳）有限公司;荣创能源科技股份有限公司
申请日： 2011-02-18 - 公布日： 2012-08-22 - 主分类号： H01L33/10 文献下载
摘要：本发明提供一种LED磊晶结构及制程，包括一个基板、一个缓冲层以及一个磊晶层。所述缓冲层成长在所述基板的顶面，所述磊晶层成长在所述缓冲层的表面。所述磊晶层具有一个第一N型磊晶层以及一个第二N型磊晶层。所述第一N型磊晶层形成在所述缓冲层与所述第二N型磊晶层之间，所述第一N型磊晶层具有多数不规则空气孔洞。本发明并提供制造所述LED磊晶结构的制程。
led 结构

[发明专利]一种酸的晶型及其制备方法-CN202210350171.1在审
发明人：时少展;徐巾超;张杰;叶辉青;陈勇;黄芳芳 -专利权人：广东东阳光药业有限公司
申请日： 2022-04-02 - 公布日： 2022-10-18 - 主分类号： C07D471/04 文献下载
摘要：本发明主要提供了一种酸的晶型及其制备方法，属于医药技术领域。所述酸的晶型包括Enarodustat晶型N24或Enarodustat晶型N26。本发明提供的晶型具有较好的稳定性和溶解性，可应用于药物制剂。本发明所述制备方法操作简单。
一种及其制备方法

[发明专利]盐酸奥达特罗晶型D和晶型E及其制备方法和用途-CN202211192864.9在审
发明人：张鹏伟;张杰;陈勇;王仲清;黄芳芳 -专利权人：广东东阳光药业有限公司
申请日： 2022-09-28 - 公布日： 2023-03-31 - 主分类号： C07D265/36 文献下载
摘要：本发明涉及盐酸奥达特罗的晶型D和晶型E，这些晶型具有较低的引湿性和较高的稳定性，可用于药物制剂。本发明还涉及盐酸奥达特罗的晶型D和晶型E的制备方法。本发明的制备方法简单，重复性好，适合工业化生产。
盐酸奥达特罗晶型及其制备方法用途

[发明专利]盐酸布洛胺的晶型及其制备方法-CN201810700651.X有效
发明人：姚晨 -专利权人：天津昕晨泰飞尔医药科技有限公司
申请日： 2018-06-29 - 公布日： 2019-10-01 - 主分类号： C07C219/10 文献下载
摘要：本发明涉及一种具有晶体结构的盐酸布洛胺及其制备方法，具体涉及盐酸布洛胺晶型A，晶型B，晶型C及其制备方法。盐酸布洛胺A晶型，经X射线衍射法(XRPD)确证具有新的晶型特征。
盐酸制备晶体结构晶型特征特征峰晶型A 晶型B 晶型C 晶型图谱

[发明专利]一种利格列汀晶型及其制备方法-CN202111112987.2有效
发明人：周启;耿强;诸葛文云 -专利权人：山东罗欣药业集团股份有限公司;山东罗欣药业集团恒欣药业有限公司;山东裕欣药业有限公司
申请日： 2021-09-23 - 公布日： 2022-08-16 - 主分类号： C07D473/04 文献下载
摘要：本发明提供了一种利格列汀新晶型及其制备方法，该新晶型含有一分子的结晶乙醇和两分子的结晶水，晶型稳定性更好，该晶型所得制剂的溶出优于原研。晶型的制备方法简单易操作，适合工业化生产。
一种利格列汀晶型及其制备方法

[发明专利]阿戈美拉汀的新晶型Ⅶ、其制备方法、应用和包含其的药物组合物-CN201110070828.0无效
发明人：黄雨;童玲;朱雪焱;单汉滨;袁哲东;俞雄 -专利权人：上海医药工业研究院;瑟维尔实验室
申请日： 2011-03-23 - 公布日： 2012-09-26 - 主分类号： C07C233/18 文献下载
摘要：本发明提供了阿戈美拉汀的新晶型Ⅶ、其制备方法、应用和包含其的药物组合物。该新的晶型纯度好、晶型稳定且重现性好，其制备方法易于放大，在稳定性和溶解度上，更优于现有报道的多数晶型。因此，本发明的晶型Ⅶ在制剂方面具有优势。
阿戈美拉汀新晶型制备方法应用包含药物组合

[发明专利]阿戈美拉汀的新晶型Ⅶ、其制备方法、应用和包含其的药物组合物-CN201280013421.7有效
发明人：黄雨;童玲;朱雪焱;单汉滨;袁哲东;俞雄 -专利权人：上海医药工业研究院;瑟维尔实验室
申请日： 2012-03-22 - 公布日： 2013-12-25 - 主分类号： C07C233/18 文献下载
摘要：本发明提供了阿戈美拉汀的新晶型Ⅶ、其制备方法、应用和包含其的药物组合物。该新的晶型纯度好、晶型稳定且重现性好，其制备方法易于放大，在稳定性和溶解度上，更优于现有报道的多数晶型。因此，本发明的晶型Ⅶ在制剂方面具有优势。
阿戈美拉汀新晶型制备方法应用包含药物组合

[发明专利]用于为具有降低的光致衰退的光伏器件淀积非晶硅膜以改进稳定性能的方法-CN200980134039.X无效
发明人： S·贝纳格利;D·博雷洛;E·瓦拉特-索瓦因;J·迈尔;U·克罗尔 -专利权人：欧瑞康太阳IP股份公司(特吕巴赫)
申请日： 2009-08-26 - 公布日： 2011-07-27 - 主分类号： H01L31/0392 文献下载
摘要：通过用于制造p-i-n结半导体层堆叠的方法实现在衬底上的薄膜光伏器件，该堆叠具有p型微晶硅层、p型非晶硅层、选包括本征非晶硅的缓冲硅层、本征型非晶硅层以及在本征型非晶硅层上的n型硅层。
用于具有降低衰退器件淀积非晶硅膜改进稳定性能方法

[发明专利]光电动势元件-CN200610057698.6有效
发明人：寺川朗;浅海利夫 -专利权人：三洋电机株式会社
申请日： 2006-02-24 - 公布日： 2006-08-30 - 主分类号： H01L31/04 文献下载
摘要：在n型单晶硅基板主面的除去外周部的规定宽度之外的区域内形成有i型非晶硅膜和n型非晶硅膜。n型单晶硅基板的主面上形成有覆盖i型非晶硅膜和n型非晶硅膜的表面电极。在n型单晶硅基板的背面的整个区域内形成有i型非晶硅膜和p型非晶硅膜。在p型非晶硅膜上的除去外周部的规定宽度的区域内形成背面电极。表面电极侧成为主要的光入射面。
电动势元件

[实用新型]生产Z型选晶器的模具-CN201720263984.1有效
发明人：朱鑫涛;朱德本;王富;赵保解 -专利权人：泰州市金鹰精密铸造有限公司
申请日： 2017-03-17 - 公布日： 2017-11-17 - 主分类号： B22C9/22 文献下载
摘要：本实用新型提供一种生产Z型选晶器的模具，包括上模与下模，上模包括上模座与上模板；上模座的底面对称设有选晶器上型腔；选晶器上型腔由上模座中间至两侧依次连通有上起晶段、上直线约束段、上选晶段、上过渡段以及上导向槽；上导向槽中向下固定有上导向块；下模包括下模座与下模板；下模座的顶部表面设有与选晶器上型腔相配合的选晶器下型腔；选晶器下型腔依次连通有下起晶段、下直线约束段、下选晶段、下过渡段以及下导向槽。本实用新型采用“一模多穴”设计，大大提高了选晶器的制作效率；通过本实用新型制作的Z型选晶器可以较好的实现单晶体的制备，可以减小发生杂晶的几率，显著提高选晶效率；并且成本适合，使用便捷。
生产型选晶器模具

[发明专利]洛索洛芬钠二水合物晶型及其制备方法-CN201710491764.9在审
发明人：徐巧巧;高照波;胡剀;梅义将 -专利权人：江苏瑞科医药科技有限公司
申请日： 2017-06-26 - 公布日： 2019-01-01 - 主分类号： C07C59/86 文献下载
摘要：本发明涉及一种洛索洛芬钠二水合物晶型的制备方法，将洛索洛芬溶于溶解溶剂，与含钠的碱反应制备得到洛索洛芬钠，再加入水后，可以加入晶种也可以不加入晶种，都能制备得到洛索洛芬钠二水合物晶型。这种晶型制备方法不仅能获得非常高纯度的晶型，而且，这种新的晶型具有非常好的流动性和外观。
晶型制备洛索洛芬钠二水合物晶种洛索洛芬溶解溶剂高纯度碱反应

[发明专利]制备太阳电池的方法和太阳电池-CN202310564122.2在审
发明人：赵晖;张丽平 -专利权人：通威太阳能（成都）有限公司
申请日： 2023-05-18 - 公布日： 2023-07-18 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明公开了制备太阳电池的方法和太阳电池，所述方法包括：提供单晶硅片；在单晶硅片相对的两侧分别形成第一非晶钝化层、第二非晶钝化层；在第一非晶钝化层远离所述单晶硅片的一侧形成N型掺杂层；在第二非晶钝化层远离单晶硅片的一侧形成P型纳米晶种子层，形成P型纳米晶种子层的反应气体包括硅烷、氢气、掺杂剂，掺杂剂包括乙硼烷、三甲基硼烷、二氧化碳的至少一种；在P型纳米晶种子层远离第二非晶钝化层的一侧形成P型纳米晶掺杂层。由此，由该方法所制备的P型纳米晶种子层可以诱导P型纳米晶掺杂层晶化，大幅度提升了电池的填充因子，有效的提高了电池的转换效率。
制备太阳电池方法

[发明专利]一种JAK抑制剂的晶型及其制备方法和应用-CN201510300580.0有效
发明人：胡咏波 -专利权人：南京旗昌医药科技有限公司
申请日： 2015-06-04 - 公布日： 2017-09-05 - 主分类号： C07D471/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种JAK抑制剂N‑(5‑(4‑(1，1‑二氧代硫吗啉基)甲基)苯基)‑[1，2，4]三唑并[1，5‑a]吡啶‑2‑基)环丙烷甲酰胺的四种晶型以及用于制备这四种晶型的方法。它们分别是晶型H1、晶型H2、晶型H3和晶型H4。晶型H1衍射角2θ在8.3°、11.2°、16.0°、17.5°、18.5°、19.3°、19.7°、20.0°、20.7°、22.0°等处具有特征峰；晶型H2衍射角2θ在9.3°、12.8°、14.0°、16.4°、18.7°、20.5°、23.5°、29.4°、33.1°、33.4°等处具有特征峰；晶型H3衍射角2θ在9.6°、9.8°、10.7°、15.1°、15.3°、16.8°、16.9°、这四种晶型均具有理化性质优良、稳定性好、制备操作简单等优点，适合于药物制剂中的应用。
一种 jak 抑制剂及其制备方法应用

[实用新型]一种单面抛光的异质结太阳能电池-CN201620789531.8有效
发明人：张杰;宋广华 -专利权人：福建钧石能源有限公司
申请日： 2016-07-26 - 公布日： 2017-02-15 - 主分类号： H01L31/0236 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种单面抛光的异质结太阳能电池，其包括N型单面抛光硅片；设在N型单面抛光硅片受光面和背光面的本征非晶硅层；设在N型单面抛光硅片受光面本征非晶硅层上的N型掺杂非晶硅层；设在N型单面抛光硅片背光面本征非晶硅层上的P型掺杂非晶硅层；分别设在N型掺杂非晶硅层和P型掺杂非晶硅层上的透明导电膜层；设在N型掺杂非晶硅层的透明导电膜层上的金属栅线电极；设在N型掺杂非晶硅层的透明导电膜层上、金属栅线电极之间的MgF2层；设在P型掺杂非晶硅层的透明导电膜层上的金属反光层；设在金属反光层上的金属栅线电极。本实用新型有利于控制非晶硅薄膜沉积的膜厚和均匀性，使PN结更加平整，提高了电池片的电学性能。
一种单面抛光异质结太阳能电池

[发明专利]莫吉斯坦晶型-CN03140725.0有效
发明人：金春华;贾国龙 -专利权人：浙江海正药业股份有限公司
申请日： 2003-06-10 - 公布日： 2005-01-19 - 主分类号： C07D277/04 文献下载
摘要：本发明涉及莫吉斯坦(moguisteine)晶型和其制备方法，本发明还涉及用本发明所得莫吉斯坦晶型的药物组合物。通过对不同结晶溶剂和温度的选择，得到晶型I和晶型II。
斯坦