专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]一种式硫酸镁晶须的表面改性方法-CN201610761122.1在审
  • 朱东海;乃学瑛;党力;刘鑫;董亚萍;李武 - 中国科学院青海盐湖研究所
  • 2016-08-30 - 2017-03-08 - C09C1/02
  • 本发明公开了一种式硫酸镁晶须的表面改性方法,包括步骤:A、将式硫酸镁晶须置于等离子设备中,并将所述等离子设备进行抽真空;B、将改性单体引入所述等离子设备中,调节所述等离子设备内部的气压和放电功率,使所述改性单体在电场作用下放电产生等离子体,所述等离子体与所述式硫酸镁晶须的表面作用,得到改性式硫酸镁晶须。根据本发明的式硫酸镁晶须的表面改性方法具有改性速度快、工艺简单、改性单体可选范围广等诸多优点;同时,该表面改性方法采用等离子体聚合的方式,在干态下进行表面改性,不存在溶剂污染的问题。
  • 一种硫酸镁表面改性方法
  • [发明专利]一种PERC太阳能单晶电池抛正面保护工艺-CN202210347008.X在审
  • 王波;郭熹;刘治洲;单璐璐 - 江苏捷捷半导体新材料有限公司
  • 2022-04-01 - 2022-06-24 - H01L31/18
  • 本发明提供一种PERC太阳能单晶电池抛正面保护工艺,包括如下步骤:S1、前清洗:对单晶硅片清洗;S2、表面改性:在表面改性槽内配制表面改性剂,将清洗后的单晶硅片浸入表面改性剂中进行表面改性;S3、抛:对表面改性后的单晶硅片抛;S4、后清洗:对抛后的单晶硅片清洗;S5、酸洗:对单晶硅片酸洗;S6、烘干:烘干酸洗后的单晶硅片。本发明首先利用表面改性剂对正面磷硅玻璃进行表面改性,且表面改性剂所用烷基化试剂不影响背面硅表面结构,烷基化试剂在磷硅玻璃表面水解,取代表面硅羟基,形成密集的强疏水基团,将磷硅玻璃表面的亲水性转变成强疏水性,这样在抛槽内可以极大减小对磷硅玻璃的腐蚀速率。
  • 一种perc太阳能电池正面保护工艺
  • [发明专利]一种气化方法及系统-CN202110964960.X在审
  • 张海霞;朱治平;董鹏飞;王东宇;湛月平 - 中国科学院工程热物理研究所
  • 2021-08-20 - 2023-04-04 - C10J3/48
  • 本发明公开了一种气化方法及系统,该气化方法包括:将燃料煤与辅气化剂通入脱反应器,以便燃料煤与辅气化剂在脱反应器中进行第一脱反应后,生成脱后半焦和第一含量粗煤气;将脱后半焦和第一气化剂通入预热改性反应器,以便脱后半焦和第一气化剂在预热改性反应器中进行第一气化反应后,生成改性后第一粒径半焦和改性后煤气的混合物;将改性后第一粒径半焦和改性后煤气的混合物、以及第二气化剂通入气流床气化炉,以便改性后第一粒径半焦和改性后煤气的混合物
  • 一种气化方法系统

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