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[发明专利]单晶的制造方法及退火晶片的制造方法-CN200580043234.3无效
发明人：星亮二;柳町隆弘 -专利权人：信越半导体股份有限公司
申请日： 2005-10-21 - 公布日： 2007-11-28 - 主分类号： C30B15/20 文献下载
摘要：一种单晶的制造方法，是通过切克劳斯基法在处理室内从相同的坩埚中的原料熔液4，提拉二根以上单晶3之多重牵引(multi－pulling)法，针对在从原料熔液4提拉单晶3之后，没有关闭加热器7的电源而将多晶原料追加投入残留的原料熔液4中，将其熔解之后，提拉下一根单晶3，重复这些步骤来进行二根以上单晶3的提拉之单晶的制造方法，其特征为：在将使单晶3的晶身部成长时的提拉速度V和固液界面附近的提拉轴方向的结晶温度梯度G的比，设为V/G的情况，为了要将各个提拉的单晶3的V/G控制成规定值，按照从开始操作算起的经过时间，在开始提拉单晶之前，事前修正上述提拉速度V等的提拉条件，来生长具有所希望的缺陷区域之单晶3。
制造方法退火晶片

[发明专利]一种基于ANN的提拉法单晶硅固液界面的预测方法-CN202010146317.1有效
发明人：齐小方;王艺澄;姚亮;黄振华 -专利权人：包头美科硅能源有限公司;江苏美科太阳能科技股份有限公司
申请日： 2020-03-05 - 公布日： 2023-05-12 - 主分类号： G06F30/27 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于ANN的提拉法单晶硅固液界面的预测方法。该方法首先采用有限体积法建立提拉法单晶硅生长炉的二维全局传热数值模型；开展各工艺参数下的数值模拟，收集单晶硅生长的模拟数据并整理成数据集。再将数据集划分为训练集和测试集两部分，进行归一化处理，确定机器学习算法，建立提拉法单晶硅质量的预测模型，并评估该模型的可靠性。然后，利用预测模型计算单晶硅生长质量，并在测试集上评价预测结果。本发明可快速找出影响提拉法单晶硅质量的关键因素，并准确预测关键因素下的晶体质量，从而获得合适的生长条件，提高研发效率，节省经费，生长出大尺寸、高品质的单晶硅。
一种基于 ann 提拉法单晶硅界面预测方法

[发明专利]单晶硅直径控制法及其设备-CN91102922.2无效
发明人：川岛章洁;佐藤晨夫;大川登志男 -专利权人：日本钢管株式会社
申请日： 1991-04-27 - 公布日： 1991-11-13 - 主分类号： C30B15/26 文献下载
摘要：单晶硅直径的一种控制方法，在单晶硅边相对于坩埚转动边受提拉的单晶硅制造过程中，将光学装置测出的提拉单晶的直径测定值与要求直径值进行比较，以确定偏差，再对得出的偏差进行不完全微分PID处理或史密斯法处理，以计算提拉速度，再将提拉速度加到晶体提拉设备的电动机控制器上，从而通过控制提拉速度控制提拉单晶的参数。为完成上述单晶硅直径的一种控制方法的设备，包括输入装置、不完全微分PID计算装置和输出装置。
单晶硅直径控制及其设备

[发明专利]一种大尺寸紫外级氟化钙单晶的生长方法及装置-CN201110055752.4无效
发明人：柳祝平;黄小卫 -专利权人：元亮科技有限公司
申请日： 2011-03-09 - 公布日： 2012-09-19 - 主分类号： C30B29/12 文献下载
摘要：一种大尺寸紫外级氟化钙单晶的生长方法及其装置，将提拉法(CZ)、坩埚下降法、泡生法和温梯法(TGT)各优点结合在一起，采用顶部籽晶中心可调提拉结构、双加热纯金属发热体、双控温加热系统，创造一个可动态调节温度梯度和温场中心的特殊高温真空晶体炉，通过装炉、抽高真空、升温化料、洗籽晶、提拉法下种、提拉法“缩径工艺”、提拉法“放肩工艺”、泡生法“等径工艺”、TGT法等径生长(控径技术为CZ称重)、CZ法收尾&脱坩埚、退火，生长出大尺寸高品质紫外级氟化钙单晶
一种尺寸紫外氟化钙生长方法装置

[发明专利]单晶硅的制造方法-CN201880034681.X在审
发明人：齐藤正夫;江头和幸 -专利权人：胜高股份有限公司
申请日： 2018-04-05 - 公布日： 2020-03-31 - 主分类号： C30B29/06 文献下载
摘要：本发明提供一种单晶硅(10)的制造方法，其利用提拉法从硅熔液中提拉单晶硅(10)而使其生长，在该方法中，当单晶硅(10)的提拉过程中发生位错时，直至位错化开始位置(101)通过氧析出核形成温度带(TBMD)为止维持提拉速度而进行单晶硅(10)的提拉。
单晶硅制造方法

[发明专利]用于生长硅单晶锭的方法和装置-CN202210059988.3有效
发明人：黄铉淍;金尚熹;朴勍兑 -专利权人：爱思开矽得荣株式会社
申请日： 2022-01-19 - 公布日： 2023-05-23 - 主分类号： C30B15/00 文献下载
摘要：实施例提供了一种生长硅单晶锭的方法，该方法包括使用提拉法生长晶体取向为(111)的硅单晶锭，测量硅单晶锭的直径，计算硅单晶锭的刻面的长度，基于计算出的刻面长度计算籽晶的旋转速度的校正公式和硅单晶锭的提拉速度的校正公式，并基于计算的结果校正籽晶的旋转速度和硅单晶锭的提拉速度。
用于生长硅单晶锭方法装置

[发明专利]单晶硅的培育方法-CN202180081277.X在审
发明人：伊关崇志;鸣嶋康人 -专利权人：胜高股份有限公司
申请日： 2021-12-02 - 公布日： 2023-08-29 - 主分类号： C30B15/20 文献下载
摘要：本发明提供一种单晶硅的培育方法，其利用切克劳斯基法从掺杂剂添加到硅熔液中的掺杂剂添加熔液提拉单晶硅并使其生长，所述单晶硅的培育方法中，计算单晶硅中发生异常生长的时刻的掺杂剂浓度C与提拉速度V的乘积即临界CV值，以使掺杂剂浓度C与提拉速度V的乘积即CV值小于临界CV值的方式控制掺杂剂浓度C及提拉速度V中的至少一者，从而培育单晶硅。
单晶硅培育方法

[发明专利]单晶制造系统及单晶制造方法-CN202080087775.0在审
发明人：西岗研一;高梨启一 -专利权人：胜高股份有限公司
申请日： 2020-10-30 - 公布日： 2022-07-15 - 主分类号： C30B15/22 文献下载
摘要：本发明的课题在于提供一种能够防止校正量的计算错误及设定错误且能够在下一批次反映适当的校正量的单晶制造系统及单晶制造方法。单晶制造系统（1）具备：单晶提拉装置（10），在利用CZ法进行的单晶的提拉工序中求出单晶的直径测量值，使用直径校正系数来校正直径测量值，由此，求出单晶的第1直径，根据第1直径控制单晶的直径；直径测量装置（50），在室温下测量单晶提拉装置（10）提拉的单晶的直径，求出单晶的第2直径；及数据库服务器（60），从单晶提拉装置（10）及直径测量装置（50）分别获取第1直径及第2直径并管理。
制造系统方法

[发明专利]单晶硅锭的制造方法-CN202011111507.6在审
发明人：琴浦荣一郎 -专利权人：胜高股份有限公司
申请日： 2020-10-16 - 公布日： 2021-06-22 - 主分类号： C30B15/20 文献下载
摘要：提供使用多提拉法的CZ法中通过抑制石英坩埚的内表面的粗糙来抑制单晶硅锭的有位错化从而能够提高成品率的单晶硅锭的制造方法。本发明的单晶硅锭的制造方法的特征在于，在使用多提拉法的CZ法中，具备将提拉的单晶硅锭从硅融液切开后对残留于石英坩埚内的前述硅融液施加磁场的磁场施加工序。
单晶硅制造方法

[发明专利]单晶硅棒的制造方法-CN201480008259.9有效
发明人：园川将;佐藤亘;三田村伸晃;太田友彦 -专利权人：信越半导体株式会社
申请日： 2014-01-31 - 公布日： 2018-02-06 - 主分类号： C30B29/06 文献下载
摘要：本发明提供一种根据CZ法提拉N区域单晶硅棒的单晶硅棒的制造方法，对来自N区域单晶硅棒的样本晶圆实施使氧析出物表面化的热处理，通过进行实施选择蚀刻测定EOSF密度的EOSF检查，和调查浅坑的发生图案的浅坑检查，在根据样本晶圆的缺陷区域的判定结果调整提拉条件，提拉下一个N区域单晶硅棒时，在所述缺陷区域的判定中，在N区域的情况下，也判定是Nv区域内或Ni区域内的哪个部分。由此，提供一种即使不良不发生，也能够根据样本晶圆的检查结果，调整根据CZ法的N区域单晶硅的提拉条件的制造方法。
单晶硅制造方法

[发明专利]单晶硅提拉装置-CN201480050778.1在审
发明人：竹安志信;岩崎淳 -专利权人：信越半导体株式会社
申请日： 2014-09-01 - 公布日： 2016-04-27 - 主分类号： C30B29/06 文献下载
摘要：本发明为一种单晶硅提拉装置，其是具备坩埚、主腔室及屏蔽罩并基于切克劳斯基法的单晶硅提拉装置，所述坩埚收容原料；所述主腔室收纳有加热该原料从而形成原料熔液的加热器；所述屏蔽罩配置在所述加热器与所述主腔室之间，来隔绝来自所述加热器的辐射热，所述单晶硅提拉装置的特征在于，具有从下方支撑所述加热器及所述屏蔽罩的支撑部件，所述支撑部件可升降，由此所述加热器和所述屏蔽罩可一起升降。由此，提供一种单晶硅提拉装置，其能够在调节热历程的同时，使提高单晶硅的提拉速度和降低氧浓度变得容易。
单晶硅装置

[发明专利]单晶制造装置-CN200980112890.2有效
发明人：阿部孝夫;横田香蔵;水石孝司 -专利权人：信越半导体股份有限公司
申请日： 2009-04-24 - 公布日： 2011-03-30 - 主分类号： C30B15/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种单晶制造装置(10)，其是根据切克劳斯基法来实行的单晶制造装置(10)，其具备：主腔室(11)，用以收容包含坩埚(13)的热区域部件；提拉腔室(12)，用以容纳从原料熔液提拉上来的单晶(6)，然后取出该单晶；其中，该单晶制造装置还具备可与提拉腔室作置换的多目的腔室(2)；该多目的腔室(2)能够分别设置加热装置(L)和冷却装置(C)，该加热装置(L)用以加热已被填充在坩埚内的原料，该冷却装置在单晶提拉后用以冷却热区域部件由此，提供一种单晶制造装置，其针对大口径例如大约200mm以上单晶的制造，能提升单晶制造装置的运转率，而能提高单晶的生产性。
制造装置

[发明专利]n型单晶硅的制造方法、n型单晶硅锭、硅晶片及外延硅晶片-CN201880026821.9在审
发明人：前川浩一;鸣嶋康人;川上泰史;小川福生;堤有二 -专利权人：胜高股份有限公司
申请日： 2018-03-29 - 公布日： 2020-01-24 - 主分类号： C30B29/06 文献下载
摘要：本发明提供一种n型单晶硅的制造方法，其利用提拉法从包含红磷作为主要掺杂剂的硅熔液提拉单晶硅并使其生长，在该制造方法中，将单晶硅的直体部开始位置中的电阻率控制为0.80mΩcm以上且1.05mΩcm以下，之后，随着提拉单晶硅并使其生长，逐渐降低单晶硅的电阻率，将单晶硅的一部分的电阻率设为0.5mΩcm以上且小于0.6mΩcm。
单晶硅电阻率提拉电阻率控制开始位置逐渐降低生长掺杂剂硅熔液提拉法红磷直体制造

[发明专利]制造单晶硅的方法-CN201280063749.X有效
发明人：加藤英生;久府真一;大久保正道 -专利权人：硅电子股份公司
申请日： 2012-05-15 - 公布日： 2017-12-26 - 主分类号： C30B15/10 文献下载
摘要：提供了制造单晶硅的方法，其能够在采用由同一坩埚中的原料熔体提拉多根单晶硅的多重提拉法生长单晶硅时减少单晶硅的位错的产生。解决问题的手段制造单晶硅的方法涉及采用通过Czochralski法在腔室内由同一坩埚8中的原料熔体7提拉多根单晶硅1的多重提拉法制造单晶硅1的方法，该方法包括在磁场中生长单晶硅1的步骤，其中将在大直径的坩埚
制造单晶硅方法

[发明专利]n型单晶硅的制造方法、n型单晶硅的锭、硅晶片及外延硅晶片-CN201880027573.X在审
发明人：前川浩一;鸣嶋康人;川上泰史;小川福生;木原亚由美 -专利权人：胜高股份有限公司
申请日： 2018-03-20 - 公布日： 2020-02-04 - 主分类号： C30B29/06 文献下载
摘要：本发明提供一种n型单晶硅的制造方法，其通过提拉法，从含有红磷作为主要掺杂剂的硅熔液(9)中提拉单晶硅(10)并使其生长，所述n型单晶硅的制造方法中，使用内径为单晶硅(10)的直体直径的1.7倍以上且2.3倍以下的石英坩埚(3A)，进行电阻率为0.5mΩcm以上且1.0mΩcm以下的单晶硅(10)的提拉。
单晶硅提拉石英坩埚掺杂剂电阻率硅熔液提拉法红磷直体制造生长

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