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[发明专利]一种天线长度可调的光电电场传感器-CN201310571582.4有效
发明人：曾嵘;李婵虓;牛犇;俞俊杰;余占清 -专利权人：清华大学
申请日： 2013-11-13 - 公布日： 2014-02-26 - 主分类号： G01R29/12 文献下载
摘要：本电场传感器包括铌酸锂基片、光波导、硅基片、调制电极、接触电极、天线等部件。铌酸锂基片粘接在盒体底部，硅基片粘接在铌酸锂基片的两侧，光波导附着在铌酸锂基片的表面，调制电极附着在铌酸锂基片表面光波导的两侧，接触电极附着在铌酸锂基片表面两个调制电极的两侧，连接电极附着在硅基片的表面
一种天线长度可调光电电场传感器

[发明专利]基于温度调控的铌酸锂热释电材料在吸附大气颗粒物中的应用-CN201410242576.9有效
发明人：关丽;高迪;高雪;张美宁 -专利权人：中国人民大学
申请日： 2014-06-03 - 公布日： 2018-06-19 - 主分类号： B03C3/28 文献下载
摘要：本发明提供了基于温度调控的铌酸锂热释电材料作为空气过滤材料在吸附大气颗粒物中的应用以及一种采用铌酸锂作为空气过滤材料的吸附大气颗粒物的方法，铌酸锂在加热的温差刺激下释放电荷，实现对大气颗粒物的吸附。所述加热后的铌酸锂的温度为30‑150℃，优选80‑150℃，最优选100℃。所述方法还包括：在颗粒物吸附饱和后，用水清洗所述铌酸锂热释电材料去除吸附的颗粒物，重新加热，以实现对颗粒物的可重复释电吸附。铌酸锂在加热时能够产生足够的静电吸附力，有效地吸附空气中的粉尘，PM10，PM2.5以及亚微米颗粒，且在温度作用下的介电损耗小，因此能够对其进行反复充电，且能稳定储存电荷，从而延长了使用寿命。
铌酸锂吸附大气颗粒物加热热释电材料颗粒物空气过滤材料温度调控电荷优选静电吸附力亚微米颗粒反复充电介电损耗使用寿命温差刺激温度作用稳定储存吸附饱和用水清洗电吸附可重复有效地去除粉尘应用释放

[发明专利]一种质子交换铌酸锂渐变折射率分布的仿真方法-CN201610710119.7有效
发明人：王健;余才佳;熊恒;纪引虎;高乐 -专利权人：中国航空工业集团公司西安飞行自动控制研究所
申请日： 2016-08-23 - 公布日： 2018-12-14 - 主分类号： G02B27/00 文献下载
摘要：本发明提出一种与质子交换工艺过程相适应的铌酸锂渐变折射率分布的仿真方法。本发明首先进行质子交换和退火工艺过程控制，构建铌酸锂质子交换模型框架，计算得到退火后波导所支持模式的有效折射率。构建以铌酸锂渐变折射率波导样本的模式有效折射率和计算得到的相应模式有效折射率为基础的评价函数，进行参数搜索匹配，建立符合自身工艺条件的铌酸锂质子交换模型，实现不同工艺条件下铌酸锂渐变折射率分布的准确仿真本发明不需要额外的工艺步骤，可获得基于自身研究条件下的晶体扩散参数，具有较高的准确性和针对性，克服了现有方案折射率分布重构过程的近似与不足，实现准确仿真质子交换铌酸锂渐变折射率分布及其光学特性的目的。
一种质子交换铌酸锂渐变折射率分布仿真方法

[发明专利]一种硅等离子体辅助的薄膜铌酸锂Y波导混合集成结构-CN202310395504.7有效
发明人：李俊慧;杨德伟 -专利权人：北京世维通科技股份有限公司
申请日： 2023-04-14 - 公布日： 2023-06-13 - 主分类号： G02B6/125 文献下载
摘要：本申请公开一种硅等离子体辅助的薄膜铌酸锂Y波导混合集成结构，属于光电子器件，其包括薄膜铌酸锂Y波导和设置于薄膜铌酸锂Y波导的直波导上的硅等离子体波导，硅等离子体波导包括条形波导和条形波导周围的硅基底，条形波导上设计光栅本申请提供的技术方案中，采用铌酸锂薄膜制作Y波导芯片，可以实现小型化、低半波电压、便于后续集成，而且通过在薄膜铌酸锂Y波导的直波导上设计硅等离子体波导，可以使薄膜铌酸锂Y波导混合集成结构实现高偏振消光比的工作状态
一种等离子体辅助薄膜铌酸锂波导混合集成结构

[发明专利]一种固体激光器的铌酸锂封锁电压设置方法-CN202111643346.X有效
发明人：曾璞;罗杰平;温锋;张伟;周忠燕;罗辉;刘从吉;陈君润;袁菲;余吉庆;胡少沛;王杰;刘海淞;张祎景;石磊;郑皓予;赖冬寅;龚磊 -专利权人：西南技术物理研究所
申请日： 2021-12-29 - 公布日： 2023-08-15 - 主分类号： H01S3/115 文献下载
摘要：本发明属于固体激光器技术领域，具体涉及一种固体激光器的铌酸锂封锁电压设置方法。所述方法首先分别找出常温、高温和低温下铌酸锂晶体的封锁区间，然后找出常温封锁区间、高温封锁区间和低温封锁区间的共同区间，共同区间的最小封锁电压值表示为Vmin，Sub>；计算出共同封锁区间的最小封锁电压和最大封锁电压的中间值V＝(Vmax+Vmin)/2，则将V设置为激光器的铌酸锂封锁电压值该方法对铌酸锂封锁电压设置方法进行了优化，使得在同样质量的铌酸锂晶体条件下，仅仅通过改变其封锁电压的调试设置方法，便可以提高铌酸锂晶体合格率，满足激光器使用要求。
一种固体激光器铌酸锂封锁电压设置方法

[发明专利]一种片上中红外声光调制器及其制备方法-CN202110523239.7有效
发明人：万磊;温美逊;周文丰;冯天华;杨帅峰 -专利权人：暨南大学
申请日： 2021-05-13 - 公布日： 2023-09-22 - 主分类号： G02F1/125 文献下载
摘要：本发明公开了一种新型高效率的片上中红外声光调制器及其制备方法，所述新型高效率的片上中红外声光调制器包括设置在基片上的铌酸锂‑硫系玻璃异质层，所述铌酸锂‑硫系玻璃异质层包括铌酸锂薄膜以及铌酸锂薄膜上异质集成的红外硫系光波导，所述红外硫系光波导由单层或者多层不同组分硫系玻璃薄膜材料组成，所述铌酸锂薄膜上设置叉指换能器，所述叉指换能器包括若干叉指电极。本发明综合利用硫系玻璃材料优异的声光特性、红外谱段透明性与铌酸锂薄膜显著的压电效应，集成声表面波换能器与硫系光波导元件，解决了中红外光波损耗与声波损耗之间的平衡问题，进而解决了高频率瑞利声表面波与中红外光波导两者间互相作用的问题
一种片上中红外声光调制器及其制备方法

[实用新型]高能量太赫兹脉冲产生装置-CN201721353484.3有效
发明人：吴晓君;戴军;方兆吉 -专利权人：北京航空航天大学
申请日： 2017-10-19 - 公布日： 2018-05-01 - 主分类号： G02F1/35 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种高能量太赫兹脉冲产生装置，包括光栅、半波片、光束整形单元、成像单元和铌酸锂晶体；利用泵浦飞秒激光照射所述光束整形单元，将所述泵浦飞秒激光的光束截面形状由圆形变为椭圆形；整形后的泵浦飞秒激光通过所述光栅衍射至所述半波片上，经过所述半波片改变所述整形后的泵浦飞秒激光的偏振方向后，再通过所述成像单元后入射至所述铌酸锂晶体上。太赫兹脉冲产生装置中的光束整形单元，可以使照射在铌酸锂晶体上的光斑为椭圆形，使高能量、大光斑的飞秒激光光斑尽量靠近铌酸锂晶体的62度角或63度角的切割边沿，最大限度的减少远离铌酸锂晶体切割边沿的位置产生的太赫兹脉冲在铌酸锂晶体内的传输损失
高能量赫兹脉冲产生装置

[实用新型]铌酸锂高频微型电光调制器芯片结构-CN201821772681.3有效
发明人：华平壤;姜城 -专利权人：派尼尔科技（天津）有限公司
申请日： 2018-10-30 - 公布日： 2019-06-07 - 主分类号： G02F1/03 文献下载
摘要：本实用新型公开了铌酸锂高频微型电光调制器芯片结构，所述调制器芯片结构包括：共面行波电极、二氧化硅缓冲层、光波导层和铌酸锂晶体层；其中，所诉光波导层制备于所述铌酸锂晶体层上，所述共面行波电极位于所述铌酸锂晶体层的上表面，所述二氧化硅缓冲层位于所述铌酸锂晶体层的下表面；所述共面行波电极包括中心电极和两偏电极，所述中心电极位于所述两偏电极的中间位置。本实用新型的有益效果是，通过在波导底层加入二氧化硅绝缘层，可以减小微波损耗，提高电场作用效率，实现较低的半波电压，或减小器件的尺寸；利用薄膜化芯片，减小或去除行波电极与铌酸锂晶片之间二氧化硅缓冲层，可有效提高电光转换效率
铌酸锂晶体行波电极二氧化硅缓冲层减小本实用新型电光调制器光波导层芯片结构中心电极偏电极铌酸锂二氧化硅绝缘层电光转换效率调制器芯片铌酸锂晶片半波电压电场作用微波损耗薄膜化上表面下表面波导去除制备芯片

[实用新型]一种铌酸锂光波导器件快速检测夹具-CN202122705347.4有效
发明人：吴亚玲 -专利权人：武汉莱特尔科技有限公司
申请日： 2021-11-08 - 公布日： 2022-07-12 - 主分类号： G01M11/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种铌酸锂光波导器件快速检测夹具，包括工作台，所述工作台的顶端固定安装有固定柱，所述固定柱的底端固定设置有用于检测铌酸锂光波导器件的显微镜，所述工作台的表面设置有固定框，所述工作台内设置有用于将固定框位置进行调节的移动组件该一种铌酸锂光波导器件快速检测夹具通过固定框、螺杆、螺套以及橡胶板的配合，从而实现了对不同类型的铌酸锂光波导器件均可进行固定处理，使后续通过显微镜进行检测时更加稳定便捷，同时通过固定框、移动板以及齿轮的配合，从而实现了对同类型铌酸锂光波导器件检测时的快速更换处理，确保对铌酸锂光波导器件进行快速检测处理，提升该装置的实用效果。
一种铌酸锂光波导器件快速检测夹具

[实用新型]一种反质子交换周期性极化铌酸锂波导-CN202320166707.4有效
发明人：董晓君;李鑫;姚权;陶艺;王佳;马世超;郑名扬;石磊;谢秀平 -专利权人：济南量子技术研究院
申请日： 2023-02-09 - 公布日： 2023-07-28 - 主分类号： G02F1/035 文献下载
摘要：本实用新型涉及光通信器件领域，特别涉及一种反质子交换周期性极化铌酸锂波导。波导包括：铌酸锂基底，铌酸锂基底内沿光的传输方向嵌入有波导通道，波导通道的第一端贴设第一光纤，波导通道的第二端贴设第二光纤；电极，包括第一电极和第二电极，第一电极和第二电极分别设置在铌酸锂基底上表面波导通道处的两侧；壳体，铌酸锂基底以及电极均设置在壳体内部，壳体上设置有通孔，用于穿设第一光纤和第二光纤，壳体与铌酸锂基底固定连接。
一种反质子交换周期性极化铌酸锂波导

[发明专利]弹性波装置及其制造方法-CN201380015669.1有效
发明人：神藤始 -专利权人：株式会社村田制作所
申请日： 2013-03-15 - 公布日： 2014-12-10 - 主分类号： H03H9/145 文献下载
摘要：一种弹性波装置(1)，其具有铌酸锂膜(5)，并利用SH型表面波，具备：支撑基板(2)；高声速膜(3)，其形成在所述支撑基板(2)上，传播的体波声速比在所述铌酸锂膜(5)中传播的弹性波声速更高速；低声速膜(4)，其层叠在所述高声速膜(3)上，传播的体波声速比在所述铌酸锂膜(5)中传播的体波声速更低速；所述铌酸锂膜(5)，其层叠在所述低声速膜(4)上；和IDT电极(6)，其形成在所述铌酸锂膜(5)的一面，在将铌酸锂膜(5)的欧拉角设为(0°±5°，θ，0°)时，θ处于0°～8°以及57°～180°的范围内。
弹性装置及其制造方法

[发明专利]一种水系掺镧钛酸锂负极浆料的制备方法-CN201310441411.X有效
发明人：赵东辉;戴涛;周鹏伟 -专利权人：东莞市翔丰华电池材料有限公司
申请日： 2013-09-25 - 公布日： 2014-01-29 - 主分类号： H01M4/62 文献下载
摘要：本发明公开一种水系掺镧钛酸锂负极浆料的制备方法，包括以下步骤：a、制备掺镧钛酸锂，b、按质量100%计称取原料：掺镧钛酸锂47~60%、粘结剂0.3~8%、导电剂6~10%、分散剂3~7%以及去离子水25~40%；c、向去离子水中加入分散剂，搅拌12小时后放置2~3天，得到分散剂母液，向分散剂母液加入导电剂和掺镧钛酸锂，搅拌6小时，再加入粘结剂，抽真空搅拌2小时，得到水系掺镧钛酸锂负极浆料。本发明在制备水系掺镧钛酸锂负极浆料过程中，掺镧钛酸锂采用去离子水作溶剂，同时采用水性粘合剂，使得整个水系掺镧钛酸锂负极浆料无毒、无污染，是真正意义上的绿色能源，从根本上解决了锂电的安全、污染等问题；通过钛酸锂掺杂镧能够有效改善负极材料的性能，大幅度地提高钛酸锂材料的比容量。
一种水系掺镧钛酸锂负极浆料制备方法

[实用新型]基于氧化锌波导的新型铌酸锂电光调制器-CN201921249565.8有效
发明人：李萍 -专利权人：天津领芯科技发展有限公司
申请日： 2019-08-05 - 公布日： 2020-04-03 - 主分类号： G02F1/035 文献下载
摘要：本实用新型公开了基于氧化锌波导的新型铌酸锂电光调制器，采用氧化锌波导而非钛扩散波导或质子交换波导做为铌酸锂电光调制器的导波结构，包括：铌酸锂晶片，形成于铌酸锂晶片表面的氧化锌波导，以及放置于铌酸锂晶片表面上方的调制电极
基于氧化锌波导新型铌酸锂电光调制器

[实用新型]PPLN掺镁铌酸锂晶体配件-CN201320339635.5有效
发明人：吴世涛 -专利权人：鞍山普照激光科技有限公司
申请日： 2013-06-14 - 公布日： 2014-06-11 - 主分类号： G01B11/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种PPLN掺镁铌酸锂晶体配件，改善了接触方式，可便于测量数字化成像，其包括呈矩形的环框，环框的外侧设有可触端，由于光学垫片表面高度抛光，激光被反射回到传感器，会影响到数据的精度，一般要替换使用接触表面的数据收集传感器
ppln 掺镁铌酸锂晶体配件

[发明专利]有透明导电镍酸锂底电极的外延铌酸锶钡薄膜及制备方法-CN200710156478.3无效
发明人：杜丕一;李晓婷;麦炽良;黄健洪;翁文剑;韩高荣;赵高凌;沈鸽;徐刚;张溪文 -专利权人：浙江大学
申请日： 2007-11-01 - 公布日： 2008-04-30 - 主分类号： G02F1/035 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有透明导电镍酸锂底电极的外延铌酸锶钡薄膜及制备方法。在MgO基板一面外延沉积LNO镍酸锂透明导电层LNO薄膜，再在LNO薄膜上外延制备SBN薄膜。其制备步骤如下：首先以碳酸锂，氧化镍，氧化铌，碳酸锶，碳酸钡为原料，用固相烧结法分别制备镍酸锂靶材和铌酸锶钡靶材；其次将(001)MgO基板清洗后放入反应室，反应室抽真空，并加热基板，以氧气为保护气体，引入反应室中，脉冲激光溅射靶材，在基板上先后外延沉积镍酸锂导电电极和铌酸锶钡薄膜。本发明制备方法简单，制得的铌酸锶钡薄膜为(001)方向外延生长，薄膜外延性好，质量高，电光系数大(r33可达180～230pm/V)，具有良好的应用前景。
透明导电镍酸锂底电极外延铌酸锶钡薄膜制备方法