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- [发明专利]横向功率半导体器件-CN202211566422.6在审
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斯特凡诺·达尔卡纳莱;亚当·布朗;吉姆·帕金
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安世有限公司
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2022-12-07
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2023-06-09
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H01L29/417
- 本发明涉及一种横向功率半导体器件，包括：源极焊盘区域，其形成在器件的金属层中；漏极焊盘区域，其与源极焊盘间隔开并形成在器件的该金属层中；多个导电指状物，其形成在器件的另一金属层中，并且包括：多个平行的源极指状物，其联接到源极焊盘区域并从源极焊盘区域朝向漏极焊盘区域延伸至漏极焊盘区域下方，以及多个平行的漏极指状物，其与多个源极指状物隔离，并且联接到漏极焊盘区域并从漏极焊盘区域朝向源极焊盘区域延伸至源极焊盘区域下方，漏极指状物叉指式布置在源极指状物之间；漏极焊盘区域包括分别与多个漏极焊盘对应的多个漏极指状物，其中多个漏极焊盘通过与延伸到漏极焊盘区域下方的源极指状物的位置相对应的间隔而彼此隔离。
- 横向功率半导体器件
- [发明专利]用于半导体器件的引线框-CN201010276483.X有效
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白志刚;姚晋钟;徐雪松
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飞思卡尔半导体公司
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2010-09-07
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2012-04-04
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H01L23/498
- 一种用于半导体器件的引线框，其具有管芯焊盘和环绕管芯焊盘的连接条，所述管芯焊盘第一主表面用于接收半导体管芯。第一引线指从所述连接条向管芯焊盘凸出，所述第一引线指具有接近于管芯焊盘的近端和连接到连接条的远端。所述第一引线指的近端处于第一平面中。第二引线指从所述连接条向管芯焊盘凸出，所述第二引线指具有接近于管芯焊盘的近端和连接到连接条的远端。所述第二引线指的近端处于与第一平面平行且间隔开的第二平面中。隔离框架被设置在所述第一和第二引线指的近端之间。隔离框架将所述第一和第二引线指的近端分开但支撑它们。
- 用于半导体器件引线
- [发明专利]氮化镓半导体器件-CN202011204420.3在审
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姚卫刚;李浩
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英诺赛科（珠海）科技有限公司
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2020-11-02
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2021-01-22
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H01L29/778
- 本发明提供一种氮化镓半导体器件，氮化镓半导体器件包括源极焊盘、栅极焊盘、漏极焊盘、栅极总线、多个栅极指状部、多个源极触件和多个漏极触件；栅极指状部、源极触件和漏极触件均沿着第一方向延伸并沿着第二方向布置，第二方向垂直于第一方向，每个栅极指状部位于相邻的源极触件和漏极触件之间；源极焊盘和漏极焊盘沿着第一方向布置，源极触件和漏极触件均位于源极焊盘和漏极焊盘之间；栅极总线沿着第二方向延伸，多个栅极指状部通过栅极总线与栅极焊盘连接，多个源极触件均与源极焊盘连接，多个漏极触件均与漏极焊盘连接；位于第二方向中部的栅极指状部的长度小于位于第二方向两端的栅极指状部的长度。
- 氮化半导体器件
- [实用新型]氮化镓半导体器件-CN202022502308.X有效
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姚卫刚;李浩
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英诺赛科（珠海）科技有限公司
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2020-11-02
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2021-07-16
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H01L29/778
- 本实用新型提供一种氮化镓半导体器件，氮化镓半导体器件包括源极焊盘、栅极焊盘、漏极焊盘、栅极总线、多个栅极指状部、多个源极触件和多个漏极触件；栅极指状部、源极触件和漏极触件均沿着第一方向延伸并沿着垂直于第一方向的第二方向布置，每个栅极指状部位于相邻的源极触件和漏极触件之间；源极焊盘和漏极焊盘沿着第一方向布置，源极触件和漏极触件均位于源极焊盘和漏极焊盘之间；栅极总线沿着第二方向延伸，多个栅极指状部通过栅极总线与栅极焊盘连接，多个源极触件均与源极焊盘连接，多个漏极触件均与漏极焊盘连接；位于第二方向中部的栅极指状部的长度小于位于第二方向两端的栅极指状部的长度。
- 氮化半导体器件
- [实用新型]半导体器件-CN201720873103.8有效
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全祐哲;刘春利
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半导体元件工业有限责任公司
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2017-07-19
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2018-05-08
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H01L29/778
- 本实用新型公开了半导体器件的具体实施，该半导体器件可包括：具有多个单元的第一层，每个单元具有漏极指状物、源极指状物和栅极环；具有漏极焊盘和源极焊盘的第二层，该漏极焊盘具有宽度并且该源极焊盘具有与漏极焊盘基本上相同的宽度；其中该第一层的每个漏极指状物的宽度宽于该第一层的每个源极指状物的宽度；并且其中每个漏极焊盘通过第一触点而被耦接到每个漏极指状物，并且该源极焊盘通过第二触点而被耦接到每个源极指状物，其中该第一触点的宽度宽于该第二触点的宽度
- 半导体器件
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