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[发明专利]彩膜层成膜装置和彩膜层成膜方法-CN201510115209.7有效
发明人：沈武林;林俊仪;方金钢 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司
申请日： 2015-03-16 - 公布日： 2018-03-16 - 主分类号： C23C14/54 文献下载
摘要：本发明属于显示技术领域，具体涉及一种彩膜层成膜装置和成膜方法。该彩膜层成膜装置，包括用于对加工膜旋转成型的旋转单元和控制单元，还包括与所述控制单元电连接的色度监测单元，所述色度监测单元用于对所述加工膜的色度进行检测，以及比较所述加工膜的色度与预设色度的差值，进而利用该差值，通过所述控制单元调节所述旋转单元的速度来控制所述加工膜的厚度。该彩膜层成膜装置和彩膜层成膜方法，可以实时监控有色加工膜的色度，从而得到设定的加工膜厚度，从而有效提高有色膜成膜的生产效率，降低有色膜材料的损耗。
装置方法

[发明专利]缓冲层的成膜方法及缓冲层-CN201480076630.5有效
发明人：白幡孝洋;织田容征;平松孝浩;小林宏 -专利权人：东芝三菱电机产业系统株式会社
申请日： 2014-05-22 - 公布日： 2017-10-03 - 主分类号： H01L31/0256 文献下载
摘要：本发明涉及一种配置于光吸收层与透明导电膜之间的、用于太阳能电池的缓冲层的成膜方法。具体来说，该缓冲层的成膜方法是使包含锌和铝作为上述缓冲层的金属原料的溶液(4)雾化。
缓冲方法

[发明专利]一种铅银合金阳极表面复合陶瓷膜层成膜方法-CN201510602850.3有效
发明人：黄惠;陈步明;施学金;郭忠诚 -专利权人：昆明理工恒达科技股份有限公司;昆明理工大学
申请日： 2015-09-21 - 公布日： 2017-06-23 - 主分类号： C25D9/06 文献下载
摘要：一种铅银合金阳极表面复合陶瓷膜层成膜方法，是先在铅银合金阳极表面复合中间膜层，再复合外层膜层，中间膜层的成膜是以铅银合金阳极为预处理阳极，除去表面油污后冲洗；用支持电解质和水配置成中间膜层成膜电解液；以纯铅或者纯铝板为阴极，将铅银合金阳极置于中间膜层成膜电解液中，在阳极表面得到二氧化铅陶瓷膜层即中间膜层；外层膜层的成膜是将支持电解质、添加剂和水配置成外层膜层成膜电解液，以已经复合中间膜层的铅银合金阳极为阳极，纯铝板为阴极，置于外层膜层成膜电解液成膜，在中间膜层表面得到外层膜层。本发明得到的复合陶瓷膜层具有优异的导电性、催化活性和电化学性能，在锌电积时具有较低的析氧电位和槽电压，实现节能降耗。
一种合金阳极表面复合陶瓷膜层成膜方法

[发明专利]成膜装置及膜层的制备方法-CN202110446010.8在审
发明人：李松举;孙贤文;付东 -专利权人：广东聚华印刷显示技术有限公司
申请日： 2021-04-25 - 公布日： 2022-10-28 - 主分类号： C23C16/455 文献下载
摘要：本申请实施例公开了一种成膜装置及膜层的制备方法，在成膜装置中，承载板与第一电极相对设置，承载板包括成膜区域和非成膜区域；承载板包括基底和第二电极，第二电极设置在基底面向第一电极的一侧上，第二电极包括电极部和镂空部，电极部对应非成膜区域设置，镂空部对应成膜区域设置。本申请在第一电极和第二电极的电极部之间形成电场，以使部分等离子体轰击位于非成膜区域的材料，致材料无法成膜，同时部分等离子体与位于成膜区域的材料反应形成膜层。
装置制备方法

[实用新型]一个成膜介质-CN202022607810.7有效
发明人：麻小娟;周亚杏;杨雯;刘俊;李岩 -专利权人：遵义医科大学
申请日： 2020-11-12 - 公布日： 2021-07-06 - 主分类号： B01D67/00 文献下载
摘要：本实用新型公开一个成膜介质，包括一个框架，框架顶面套设有成膜层，成膜层与框架侧壁的连接处设有橡皮筋固定，成膜层展平、绷紧无褶皱后，用胶带在框架底面粘牢，使成膜层形成一个水平的端面。使用时，该成膜介质放于水平面上，在成膜层表面均匀涂刷成膜液，待成膜液干燥后取下，获得所需膜。该成膜介质材料简单易得，装置结构简单易制作，生产方便，取膜方便，不易撕破，成膜光滑、透明，可重复使用。
一个介质

[发明专利]基板及其制造方法、电光装置用基板、电光装置和电子设备-CN200410029496.1有效
发明人：仓科久树 -专利权人：精工爱普生株式会社
申请日： 2004-03-19 - 公布日： 2004-09-29 - 主分类号： G02F1/133 文献下载
摘要：本发明的带检查元件的基板的特征在于，具备：分别形成成膜图案的多个成膜层；分别在上述多个成膜层之间形成的层间膜；由与上述多个成膜层中的至少1个成膜层的各成膜图案相同的材料在检查元件形成区域形成的检查元件图案；在平坦化的最上层的层间膜的上述检查元件形成区域形成的、使与上述检查元件图案连接的多个焊盘露出的开孔部；以及由与上述多个成膜层中的指定的成膜层的各成膜图案相同的材料在上述多个焊盘的下方形成的虚设图案。
及其制造方法电光装置用基板电子设备

[发明专利]一种配向膜制备方法、显示基板及显示面板-CN201710326069.7在审
发明人：刘利萍;张南红;董春垒;李静 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司;合肥鑫晟光电科技有限公司
申请日： 2017-05-10 - 公布日： 2017-07-04 - 主分类号： G02F1/1337 文献下载
摘要：本发明提供了一种配向膜制备方法、显示基板及显示面板。所述方法包括在基板上形成待配向膜层，所述待配向膜层划分为位于所述基板中央区域的成膜保证区和位于所述基板边缘区域的非有效成膜区，所述非有效成膜区内所述待配向膜层的厚度不均一；在所述非有效成膜区形成补偿膜层，以使所述非有效成膜区的所述待配向膜层与所述补偿膜层的总厚度与所述成膜保证区的待配向膜层厚度一致；对所述待配向膜层及所述补偿膜层进行配向，以形成配向膜。通过本发明实施例，基板非有效成膜区与成膜保证区之间的段差较小并且受控制，从而避免了在Rubbing过程中影响Cloth特性，减少了显示面板面内显示不均等不良情况，提升了良率。
一种制备方法显示面板

[发明专利]成膜基板、成膜基板的制造方法及成膜装置-CN201110055790.X无效
发明人：岩田宽 -专利权人：住友重机械工业株式会社
申请日： 2011-03-08 - 公布日： 2011-10-05 - 主分类号： H01L31/04 文献下载
摘要：本发明提供一种成膜基板、成膜基板的制造方法及成膜装置，其谋求降低膜厚的同时不需要蚀刻工序且谋求低成本化，并且具有凹凸结构的薄膜层成膜于被成膜基板表面。成膜基板(1)为具有凹凸结构的薄膜层(3)成膜于被成膜基板(2)表面的平坦部的基板，其凹凸结构通过成膜含氧化铟的薄膜层(3)而形成。另外，成膜基板(1)的制造方法为制造具有凹凸结构的薄膜层(3)成膜于被成膜基板(2)表面的平坦部的基板(1)的方法，该制造方法具有薄膜工序，所述薄膜工序为如下工序：在被成膜基板(2)表面成膜含氧化铟的薄膜层(3)，并通过进行该成膜形成凹凸结构。由此，不需要用于形成凹凸结构的蚀刻工序，且谋求低成本化，并通过设成含氧化铟的透明导电膜(3)来降低膜厚。
成膜基板制造方法装置

[发明专利]成膜装置、成膜系统和成膜方法-CN200780029265.2无效
发明人：松林信次;茂山和基;户部康弘 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2007-08-08 - 公布日： 2009-08-05 - 主分类号： C23C14/56 文献下载
摘要：本发明提供成膜装置、成膜系统和成膜方法。该成膜系统能够避免在有机EL元件等的制造工序中所形成的各层的相互污染、而且所占空间也小、且具有高生产率。成膜装置(13)用于在基板上进行成膜，其中，在处理容器(30)的内部包括用于成膜第1层的第1成膜机构(35)和用于成膜第2层的第2成膜机构(36)。设置用于使处理容器(30)内减压的排气口(31)，并将第1成膜机构(35)配置在相比第2成膜机构(36)更靠近上述排气口(31)的位置上。第1成膜机构(35)例如利用蒸镀在基板上成膜第1层，第2成膜机构(36)例如利用溅射在基板上成膜第2层。
装置系统方法

[发明专利]基板及其制造方法、电光装置用基板、电光装置和电子设备-CN200410004691.9有效
发明人：仓科久树 -专利权人：精工爱普生株式会社
申请日： 2004-03-11 - 公布日： 2004-09-22 - 主分类号： G02F1/133 文献下载
摘要：本发明的特征在于：具有分别形成成膜图案的多个成膜层、分别在上述多个成膜层之间形成的层间膜、在上述层间膜中平坦化的层间膜之下的成膜层上形成的多个层间膜下侧布线图案、为了将上述多个层间膜下侧布线图案与上述平坦化的层间膜的上层的成膜图案之间连接而在上述平坦化的层间膜上形成的多个接触孔、以及在上述多个接触孔的下方的多个位置分别在上述多个层间膜下侧布线图案的下层的1个或1个以上的成膜层上形成的控制上述多个层间膜下侧布线图案的表面的位置的1个或1个以上的虚设图案。
及其制造方法电光装置用基板电子设备

[发明专利]阻气叠层膜及其制造方法-CN201280016832.1无效
发明人：天内英隆;宫崎亮 -专利权人：三菱树脂株式会社
申请日： 2012-03-29 - 公布日： 2013-12-25 - 主分类号： B32B9/00 文献下载
摘要：本发明提供一种阻气叠层膜及其制造方法。所述阻气叠层膜在基体材料膜的至少一面形成多层无机薄膜层而得到，所述无机薄膜层中所述基体材料膜侧的第一层到第n层(n为1以上的整数)是通过非等离子体成膜法成膜而得到的，在其上相接成膜的第n＋1层是通过对向靶溅射法成膜而得到的所述阻气叠层膜的制造方法是在基体材料膜的至少一面形成一层或多层无机薄膜层的阻气叠层膜的制造方法，该方法包括：通过非等离子体成膜法成膜所述无机薄膜层中所述基体材料膜侧的第一层到第n层(n为1以上的整数)，通过对向靶溅射法成膜在其上相接的第n＋1层，该方法对于待成膜无机薄膜层的基体材料膜、特别是对于树脂膜的损伤少，可形成致密性高的无机薄膜层，且阻气性高、生产性优异。
阻气叠层膜及其制造方法

[发明专利]在基板上形成膜层的方法和在基板上形成膜层的设备-CN201711229735.1有效
发明人：程磊磊;周斌;王东方;赵策;黄勇潮;刘宁;汪军 -专利权人：合肥鑫晟光电科技有限公司;京东方科技集团股份有限公司
申请日： 2017-11-29 - 公布日： 2019-11-15 - 主分类号： H01L51/56 文献下载
摘要：本发明公开了一种在基板上形成膜层的方法及设备。方法包括：在检测区域设置检测板，检测板包括至少一个检测单元，每个检测单元都包括间隔设置的第一检测电极和第二检测电极；形成膜层，包括目标膜层和检测膜层，检测膜层填充满第一检测电极和第二检测电极之间的间隔；在形成膜层的过程中，检测所述检测膜层的厚度，根据厚度以及成膜时间，计算已经形成的膜层的成膜速率，根据该成膜速率，调节当前的成膜速率。能够准确检测基板上所形成检测膜层的厚度，并根据检测膜层的厚度以及成膜速率指导目标膜层的生产工艺，有效提高生产速率，提高膜层的工艺良率。
基板上形成方法设备

[发明专利]光电转换装置的制造系统以及光电转换装置的制造方法-CN201080015594.3无效
发明人：野口恭史;小形英之;森胜彦;清水康男;内田宽人;浅利伸 -专利权人：株式会社爱发科
申请日： 2010-04-06 - 公布日： 2012-03-07 - 主分类号： H01L31/04 文献下载
摘要：该光电转换装置的制造系统为在形成于基板上的透明导电膜上依次层压有p型半导体层、i型半导体层以及n型半导体层的光电转换装置的制造系统，包括：I层成膜反应室，至少包括沿着搬送所述基板的搬送方向依次配置的第一成膜部、第二成膜部以及第三成膜部，用于对所述i型半导体层进行成膜；以及多个门阀，分割所述第一成膜部、所述第二成膜部以及所述第三成膜部，使得在所述搬送方向上所述第二成膜部的长度大于所述第一成膜部以及所述第三成膜部的长度
光电转换装置制造系统以及方法

[发明专利]成膜方法和成膜装置-CN201280077793.6有效
发明人：吉田隆;松本昌宏;谷典明;池田进;久保昌司 -专利权人：株式会社爱发科
申请日： 2012-12-18 - 公布日： 2018-08-31 - 主分类号： C23C14/06 文献下载
摘要：成膜方法是在成膜于被处理基板的包含无机物的无机层3上形成包含含氟树脂的有机层的成膜方法，在形成无机层时，进行使用了水蒸汽作为反应性气体的反应性溅射以在被处理基板上形成无机层，接下来，在无机层上形成有机层成膜装置能够实施该成膜方法。
方法装置

[发明专利]薄膜晶体管及其制作方法-CN201910117376.3有效
发明人：朱静 -专利权人：深圳市华星光电半导体显示技术有限公司
申请日： 2019-02-13 - 公布日： 2020-11-03 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：本发明提供一种薄膜晶体管，包括：依序层迭设置的一半导体衬底、一栅电极、一闸极绝缘层、一第一非晶硅膜层、一第二非晶硅膜层、一金属膜层、一钝化层、一透明导电膜，半导体衬底，包括一非电性成膜区与一电性成膜区，对应于所述非电性成膜区的所述第一非晶硅膜层一厚度小于对应于所述电性成膜区的所述第一非晶硅膜层一厚度，使非电性成膜区可作为电性成膜区利用，提升非电性成膜区的电性均匀度，来提升整个面板的电性的均匀性，减小非电性成膜区域的大小
薄膜晶体管及其制作方法

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