专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [实用新型]离子导体电磁净水装置-CN200620115067.0无效
  • 许裕金 - 许裕金
  • 2006-04-26 - 2007-07-11 - C02F1/48
  • 本实用新型提供了一种离子导体电磁净水装置,其特征在于装置由如下部件构造:装置外壳、外壳内设有电磁发生器、电磁波导、电磁波馈入口,由反应釜与回流水管构成反应腔,腔内装有离子导体氧化还原电极,装置还设有环行进气多孔阀,上引水管、进出水口、下多孔花板、上下椭圆形阀兰盖、压力表、安全阀、热电耦温控仪、进气阀、排污阀、支架,由上述部件装配构成离子导体电磁净水装置。该装置特别适用于高污染负荷的化工废水及生活污水的处理净化,也适用于自来水的处理净化,处理净化时间为30秒~30分钟,COD可从50000mg/L降至<100mg/L,因此处理速度,效果好,时间短。
  • 离子导体电磁净水装置
  • [发明专利]形成闪存储器的方法-CN201010022585.9有效
  • 杨晓松;余云初;袁伟 - 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
  • 2010-01-08 - 2011-07-13 - H01L21/8247
  • 一种形成闪存储器的方法,包括:在半导体衬底上形成隧穿氧化层;于退火后的隧穿氧化层上依次形成控制栅极和浮置栅极;进行清洗工艺,在半导体衬底表面产生有机聚合物;进行等离子体处理,去除有机聚合物;在半导体衬底及栅极上形成光刻胶层,定义出源/漏极图形;以光刻胶层为掩膜,于栅极两侧的半导体衬底内注入离子,形成源/漏极;进行金属连线,形成闪存储器。本发明用等离子体处理有机聚合物,能将清洗工艺中产生的硅醇烷结构的颗粒清理干净;避免在后续形成的光刻胶层内形成空洞,有效改善了半导体器件的电性能。
  • 形成闪存方法

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