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[发明专利]具有NIP隧穿结的a-Si/μc-SiGe叠层太阳能电池及其制造方法-CN201210230875.1无效
发明人：何文;俞远高;张鹏强;成惠峰;王闪闪;徐娜;柏龙凤;葛伟青;丰浩 -专利权人：圣睿太阳能科技（镇江）有限公司
申请日： 2012-07-04 - 公布日： 2012-10-24 - 主分类号： H01L31/076 文献下载
摘要：其方法包括以下步骤：步骤一，生成上层电池的非晶硅薄膜，步骤包括，以已知方法沉积P型非晶硅窗囗层；以已知方法沉积本征非晶硅吸收层；沉积N型非晶硅层。步骤二，生成下层电池的微晶硅薄膜，步骤包括，将步骤一制作的电池放入真空室里，在通入氩气的条件下，刻蚀氧化层；沉积沉积N型微晶硅层；沉积本征微晶硅层；沉积P型微晶硅层；沉积本征微晶硅锗吸收层；沉积N型微晶硅层
具有 nip 隧穿结 si sige 太阳能电池及其制造方法

[发明专利]一种硅基负极复合材料及其制备方法-CN202311018394.9在审
发明人：贺勇;常利娜;陈仁鹏;陈晗;李纾黎;夏信德 -专利权人：珠海鹏辉能源有限公司
申请日： 2023-08-11 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： H01M4/36 文献下载
摘要：本发明提供了一种硅基负极复合材料及其制备方法，涉及电池负极材料技术领域，其中，所述硅基负极复合材料的每个颗粒中均为硅‑碳微球；其中，所述硅‑碳微球包括设于微球的核心处的硅核，以及包覆在所述硅核外的第一碳层本发明所提供的硅基负极复合材料，与现有的核‑壳结构相比，硅‑碳微球具有其核和壳具有多孔的优点，这使得其更容易渗透电解质，从而缩短Li+的扩散长度。并且，多层硅/碳微球在充电/放电过程中能够表现出优异的机械和电化学性能，既降低了制造成本，又具有绿色环保的特性。
一种负极复合材料及其制备方法

[发明专利]一种电容式硅微麦克风与集成电路单片集成的方法及芯片-CN201210093789.0有效
发明人：潘昕 -专利权人：歌尔声学股份有限公司
申请日： 2012-03-31 - 公布日： 2012-08-01 - 主分类号： H04R31/00 文献下载
摘要：本发明的实施例公开了一种电容式硅微麦克风与集成电路单片集成的方法及芯片，选择一SOI晶圆，所述SOI晶圆的顶层硅的厚度根据所设计的电容式硅微麦克风的背极板的厚度选择确定，在所述顶层硅表面依次制作集成电路和电容式硅微麦克风，并且采用SOI晶圆的顶层硅制作电容式硅微麦克风的背极板。由于顶层硅的厚度可以根据设计的背极板的厚度事先选择确定，因此背极板厚度可控，即使受到低温淀积工艺局限也可制作出符合厚度要求的背极板，从而有效避免电容式硅微麦克风与集成电路单片集成制作时出现的软背极效应。
一种电容式硅微麦克风集成电路单片集成方法芯片

[实用新型]一种单片集成电容式硅微麦克风与集成电路的芯片-CN201220133109.9有效
发明人：潘昕 -专利权人：歌尔声学股份有限公司
申请日： 2012-03-31 - 公布日： 2012-11-14 - 主分类号： H04R19/04 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种单片集成电容式硅微麦克风与集成电路的芯片，该芯片以SOI晶圆为基材，所述SOI晶圆的顶层硅的厚度根据所设计的电容式硅微麦克风的背极板的厚度选择确定，在所述顶层硅表面依次制作形成集成电路和电容式硅微麦克风，并且采用SOI晶圆的顶层硅制作电容式硅微麦克风的背极板。由于顶层硅的厚度可以根据设计的背极板的厚度事先选择确定，因此背极板厚度可控，即使受到低温淀积工艺局限也可制作出符合厚度要求的背极板，从而有效避免电容式硅微麦克风的软背极效应。
一种单片集成电容式硅微麦克风集成电路芯片

[发明专利]一种硅基OLED微显示器件及其制备方法-CN201911377413.0在审
发明人：叶成;乔辉;何光友;任清江;赵铮涛 -专利权人：安徽熙泰智能科技有限公司
申请日： 2019-12-27 - 公布日： 2020-04-17 - 主分类号： H01L27/32 文献下载
摘要：本发明公开了一种硅基OLED微显示器件及其制备方法，硅基OLED微显示器件包括含CMOS驱动电路的硅基板，所述硅基板上设有由下到上依次设置的阳极层、OLED显示器件、封装层、滤光层和水汽阻隔膜。本发明通过优化结构设置，之后通过硅基板CMP减薄，将微显示器件总厚度控制在100μm左右，重量是市场上现有微显示器件的1/13，极大得解决了微显示器件的轻薄化问题。
一种 oled 显示器件及其制备方法

[发明专利]一种硅基仿生微纳结构表面的制备方法-CN201310708220.5无效
发明人：王富国;张俊彦 -专利权人：中国科学院兰州化学物理研究所
申请日： 2013-12-20 - 公布日： 2015-06-24 - 主分类号： B81C1/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种硅基仿生微纳结构表面的制备方法。该方法是通过在HF乙醇溶液中电化学刻蚀的方法（而非光刻技术）在单晶硅表面上制备多孔硅仿生微纳结构的。所获得的多孔硅仿生微纳结构分布均匀、有序，微米结构尺寸在1-30um范围内可调。本发明成本较低，工艺简单、制备时间较短，对于硅基仿生微纳结构表面在生物芯片和微流体器件等方面都有应用前景。
一种仿生结构表面制备方法

[实用新型]一种具有非晶硅/微晶硅复合层的HIT太阳能电池-CN201420869014.2有效
发明人：杨与胜;葛洪;张超华;周泗海 -专利权人：泉州市博泰半导体科技有限公司
申请日： 2014-12-31 - 公布日： 2015-08-12 - 主分类号： H01L31/0747 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种具有非晶硅/微晶硅复合层的HIT太阳能电池，其包括：N型硅片；设在N型硅片受光面和背光面的本征非晶硅层；设在N型硅片受光面本征非晶硅层上的掺杂P型非晶硅层；设在掺杂P型非晶硅层上的掺杂P型微晶硅层；设在N型硅片背光面本征非晶硅层上的掺杂N型非晶硅层；设在掺杂N型非晶硅层上的掺杂N型微晶硅层；分别设在P型微晶硅层和N型微晶硅层上的ITO透明导电膜层；设在型硅片受光面和背光面ITO透明导电膜层上的金属栅线电极
一种具有非晶硅微晶硅复合 hit 太阳能电池

[发明专利]一种高效合成全硅微介孔分子筛复合材料的方法-CN201410561936.1在审
发明人：朱斌;夏长久;林民;彭欣欣;舒兴田;向彦娟;忻睦迪 -专利权人：中国石油化工股份有限公司;中国石油化工股份有限公司石油化工科学研究院
申请日： 2014-10-21 - 公布日： 2015-04-29 - 主分类号： C01B37/02 文献下载
摘要：一种高效合成全硅微介孔分子筛复合材料的方法，包括将模板剂、硅源、任选的无机铵盐、多元醇、过氧化物和水形成晶化混合物，晶化，回收全硅微介孔分子筛复合材料；所述的硅源为有机硅源和/或固体硅源,所述的模板剂为有机季铵化合物本发明提供的合成全硅微介孔分子筛复合材料的方法，可以合成具有较小晶粒的全硅微介孔分子筛。
一种高效成全硅微介孔分子筛复合材料方法

[发明专利]一种网络结构硅基点阵的制备方法及其应用-CN201911148305.6有效
发明人：李静;钟昌祥;林水潮;尹君;郑南峰 -专利权人：厦门大学
申请日： 2019-11-21 - 公布日： 2023-03-17 - 主分类号： B81B7/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种制备网络结构硅基点阵的方法，包括：在硅基底上表面自组装微纳米球阵列；在具自组装微纳米球阵列的所述硅基底表面旋涂前驱体溶液；将所述硅基底放置在退火炉中退火，以在所述硅基底表面形成微纳米碗阵列结构；以等离子刻蚀技术对所述经退火的具有微纳米碗阵列结构的硅基底进行刻蚀，形成微纳米葫芦状阵列结构；将所述硅基底进行掩膜光刻以制备点样区再制成靶板。本发明所提供的网络结构硅基点阵能够提高质谱的分辨率，在催化、生物检测、光电探测等领域具有广泛的潜在应用。
一种网络结构基点制备方法及其应用

[发明专利]半导体器件和硅基膜的形成方法-CN02121842.0无效
发明人：近藤隆治;冈部正太郎;佐野政史;酒井明;林享;杉山秀一郎 -专利权人：佳能株式会社
申请日： 2002-03-12 - 公布日： 2002-12-11 - 主分类号： H01L31/075 文献下载
摘要：本发明提供一种包括硅基膜构成的半导体结的半导体器件,其特征是,至少一层硅基膜含微晶,微晶位于含无取向性的微晶的硅基膜的至少一个界面区中。还提供一种包括硅基膜构成的半导体结的半导体器件,其中至少一层硅基膜含微晶,膜中的微晶取向特征按其膜厚方向变化。为了提供价格便宜的有优良性能的硅基膜,本发明提供一种具有优良特性,生产周期缩短和提高了膜形成速度的硅基膜。和包括该硅基膜,有优良附着力和优良的耐环境性的半导体器件。
半导体器件硅基膜形成方法

[发明专利]具有硬质涂层保护的晶硅微针及其制备方法-CN202011531613.X在审
发明人：辛煜;朱红飞 -专利权人：苏州恒之清生物科技有限公司
申请日： 2020-12-22 - 公布日： 2021-05-11 - 主分类号： C23C16/27 文献下载
摘要：本发明涉及一种具有硬质涂层保护的晶硅微针及其制备方法。本发明的具有硬质涂层保护的晶硅微针，包括微针本体和设置在微针本体表面的硬质涂层。本发明的加固晶硅微针的加工方法简单高效，不仅可以强化微针的强度防止微针的断裂，同时涂覆有硬质涂层的微针可以很轻松的实现皮肤的穿刺，促进药物的吸收。
具有硬质涂层保护晶硅微针及其制备方法

[发明专利]一种新型硅微纳米结构制备技术-CN201710856095.0在审
发明人：彭奎庆;张付强;付昊鑫 -专利权人：北京师范大学
申请日： 2017-09-21 - 公布日： 2019-03-29 - 主分类号： H01L21/306 文献下载
摘要：本发明涉及一种新型硅微纳米结构制备技术，属于新材料技术与纳米材料领域。本发明将金属诱导硅氧化以及酸碱腐蚀相结合，提出了一种低成本、高效率的大面积周期性硅微纳米结构阵列的制备方法。在本发明中，硅微纳米结构的图形不仅由光刻模板上的微纳米结构图形所决定，还由所使用的腐蚀剂的类型所决定。本制备方法流程简单，对设备的要求低，能够高效制备周期性硅微纳米结构阵列，如硅微纳米洞、正金字塔和倒金字塔等微观结构。本方法工艺简单，成本低，所制备的大面积硅微纳米结构阵列在太阳能电池及传感器等领域具有广泛的应用前景。
制备硅微纳米结构硅微纳米结构阵列微纳米结构纳米材料领域制备方法流程新材料技术太阳能电池大面积硅倒金字塔高效制备金属诱导酸碱腐蚀微观结构腐蚀剂低成本对设备高效率微纳米传感器光刻金字塔应用

[发明专利]一种纳米微硅粉石材防水背胶的生产工艺及应用-CN202110794209.X在审
发明人：雷俊挺;韦振华;覃少龙;袁燕青 -专利权人：广西美博新材料科技有限公司
申请日： 2021-07-14 - 公布日： 2021-09-24 - 主分类号： C09J133/04 文献下载
摘要：本发明涉及建筑装饰技术领域，更具体的是一种纳米微硅粉石材防水背胶的生产工艺及应用，生产工艺包括以下步骤：(1)将微硅粉加入含有分散剂的有机高分子聚合物水性乳液里进行分散搅拌；(2)将分散搅拌后得到的乳液微硅粉浆液放入砂磨机进行研磨；(3)将研磨后得到的乳液纳米微硅粉浆液转移至普通搅拌机，加入水、功能性助剂和其他粉体进行搅拌，制得纳米微硅粉石材防水背胶。应用步骤包括(a)将被保护的石材表面清洗干净并进行晾干；(b)将制作完成的纳米微硅粉石材防水背胶加入到喷涂机容器内，并将防水背胶喷涂到石材表面；或将制作完成的纳米微硅粉石材防水背胶直接涂刷在板背上。
一种纳米微硅粉石材防水生产工艺应用

[发明专利]硅基OLED器件及其制备方法、显示面板-CN202310381314.X在审
发明人：王卫卫;周文斌;程保龙;孙剑;高裕弟 -专利权人：昆山梦显电子科技有限公司
申请日： 2023-04-11 - 公布日： 2023-06-30 - 主分类号： H10K50/85 文献下载
摘要：本发明属于显示技术领域，公开了一种硅基OLED器件及其制备方法、显示面板。该硅基OLED器件包括硅基板和依次设置在硅基板上的OLED层、薄膜封装层和微透镜膜层，微透镜膜层的纵截面设置为弧形，OLED层发出的发散光经过微透镜膜层时，微透镜膜层能使发散光收拢，提升光的取出率，进而提高器件亮度本发明提供的显示面板包括上述硅基OLED器件。本发明还提供了硅基OLED器件的制备方法，通过多次刻蚀处理，形成纵截面为弧形的微透镜膜层。本实施例提供的硅基OLED器件的制备方法，通过多次刻蚀处理形成弧形的微透镜膜层，提高了微透镜膜层的制备精度，进而提高了器件的使用可靠性。
硅基 oled 器件及其制备方法显示面板

[实用新型]微硅粉收集系统以及微硅粉处理系统-CN202320375922.5有效
发明人：高麟;樊彬;王绅 -专利权人：成都易态科技有限公司
申请日： 2023-03-03 - 公布日： 2023-09-05 - 主分类号： C01B33/033 文献下载
摘要：本实用新型公开了微硅粉收集系统以及微硅粉处理系统。微硅粉收集系统包括：第一热交换设备，用于将烟气的温度降至260～400℃并输出第一气体；所述第一热交换设备与冶炼炉的排烟管连接；过滤设备，用于收集第一气体中的微硅粉并输出第二气体和尘体；加密设备，用于对尘体进行加密处理并输出微硅粉通过较高温度下的过滤和脱硝，使得烟气达到环保排放的要求；通过加密设备对微硅粉进行加密处理，便于微硅粉的运输和利用。
微硅粉收集系统以及处理