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[其他]薄膜晶体管-CN201090001016.X有效
发明人：中谷喜纪;守口正生;神崎庸辅;高西雄大 -专利权人：夏普株式会社
申请日： 2010-04-21 - 公布日： 2013-03-27 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：在TFT(100)中，在玻璃基板(101)上形成源极电极(110)和漏极电极(112)，在它们的上表面分别形成有包括微晶硅的n型硅层(120、121)。在n型硅层(120、121)上形成微晶硅区域(135、136)，在玻璃基板(101)上形成有非晶硅区域(130)。以覆盖它们的方式形成有微晶硅层(145)。因此，导通电流从漏极电极(112)按顺序通过微晶硅区域(135)、微晶硅层(145)、微晶硅区域(136)，向源极电极(110)流动。另外，截止电流被非晶硅区域(130)限制。
薄膜晶体管

[实用新型]一种具有高深宽比的全硅微色谱柱-CN202221396546.X有效
发明人：冯飞;张海燕 -专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
申请日： 2022-05-27 - 公布日： 2022-11-08 - 主分类号： B01J20/286 文献下载
摘要：本实用新型提供一种具有高深宽比的全硅微色谱柱，分别在第一硅衬底及第二硅衬底中形成对应的微沟道及微流控端口，而后通过硅硅键合工艺形成具有闭合微沟道及闭合微流控端口的复合硅基底，从而形成仅具有一种硅材质的全硅微色谱柱，有利于获得均匀的固定相，且可形成具有高深宽比的闭合微沟道，使待分析组分分子在固定相和流动相之间快速达到平衡，有利于提高微色谱柱的分离性能和柱容量。
一种具有高深全硅微色谱

[发明专利]多晶硅锭及其制备方法和多晶硅片-CN201310033073.6有效
发明人：胡动力;雷琦;陈红荣;万跃鹏 -专利权人：江西赛维LDK太阳能高科技有限公司
申请日： 2013-01-29 - 公布日： 2013-05-01 - 主分类号： C30B11/00 文献下载
摘要：本发明提供了多晶硅锭的制备方法，该制备方法包括：（1）在坩埚底部铺设微晶形核层，微晶形核层为微晶硅、无定形硅、微晶硅化物材料和无定形硅化物材料中的一种或几种；微晶形核层的厚度为第一高度值；（2）在微晶形核层上方填装硅料，加热使硅料熔化，待硅料完全熔化后形成的固液界面刚好处在或深入微晶形核层时，调节热场形成过冷状态，使硅熔体在微晶形核层基础上开始长晶；（3）待全部结晶完后，经退火冷却得到多晶硅锭。该制备方法能够得到位错密度低、高质量的多晶硅锭，并且所使用的微晶形核层尺寸、形状不限，便于操作，适于大规模生产。本发明同时提供了通过该制备方法获得的多晶硅锭，以及利用所述多晶硅锭制备获得的多晶硅片。
多晶及其制备方法硅片

[发明专利]具有加强环的硅微通道板基体加工方法-CN201210590676.1无效
发明人：王蓟;王国政;端木庆铎;杨继凯 -专利权人：长春理工大学
申请日： 2012-12-29 - 公布日： 2013-05-01 - 主分类号： H01J9/12 文献下载
摘要：具有加强环的硅微通道板基体加工方法属于光电成像器件制造技术领域。现有技术背面减薄工序效率低，会破坏微通道，抛光工序存在微通道堵塞现象，所制作的硅微通道板基体没有加强环。本发明之方法由通过电化学腐蚀制作微通道阵列、通过硅片背面减薄使微通道通透、切圆形成硅微通道板基体加强环以及硅微通道板基体正面、背面抛光各工序组成。采用本发明获得的具有加强环的硅微通道板基体制作的硅微通道板，微通道通透，通道内部清洁无污染，表面平整光滑，通道长达320μm，通道截面形状近似正方形，边长仅8μm，长径比达40，边缘实体加强环有效强化硅微通道板的机械强度
具有加强通道基体加工方法

[实用新型]一种硅基微显示器片上灰度级扩展电路-CN201520448338.3有效
发明人：耿卫东;刘艳艳;曾夕;张蕰千;郭嘉 -专利权人：南开大学
申请日： 2015-06-26 - 公布日： 2015-11-11 - 主分类号： G09G3/20 文献下载
摘要：一种硅基微显示器片上灰度级扩展电路。可用于硅基液晶微显示器(LCoS)、硅基OLED微显示器(OLEDoS)和其他硅基微显示器件等领域，构成硅基微显示器的片上数据驱动电路。本实用新型提供的硅基微显示器片上灰度级扩展电路，可以将N位数据输入线的硅基微显示器的灰度级扩展位2N位，改善低位宽硅基微显示器图像的亮度和颜色的层次感，有效地提高显示灰度。
一种硅基微显示器灰度扩展电路

[发明专利]低温多晶硅薄膜晶体管制造方法-CN201210004411.9有效
发明人：许民庆;吴钊鹏;庄涂城;余鸿志;吴宏哲 -专利权人：深超光电(深圳)有限公司
申请日： 2012-01-09 - 公布日： 2012-08-08 - 主分类号： H01L21/331 文献下载
摘要：本发明为一种低温多晶硅薄膜晶体管制造方法，该方法为在一基板上形成一非晶硅层，接着对该非晶硅层进行去氢处理，此时即使非晶硅层成为一微晶粒状，其后在该微晶粒状的非晶硅层上再形成一层未微晶粒化的非晶硅层，再接着对该非晶硅层上进行去氢处理使非晶硅层也成为一微晶粒状，然后继续重复形成该非晶硅层并进行去氢处理，以形成多层微晶粒状的非晶硅层，最后再进行一准分子激光退火工艺，使该多层微晶粒状的非晶硅层结晶成为一多晶硅层，其中该多晶硅层因为经过预处理成为多层微晶粒状的非晶硅层后再进行准分子激光退火工艺，使多晶硅层之晶粒变得更大，因此载子迁移率也变大。
低温多晶薄膜晶体管制造方法

[发明专利]一种从微硅粉中去除可挥发性含碳有机物及碳粉的方法-CN201911413224.4在审
发明人：范正平;李兵红;刘向上;蒋建国 -专利权人：中昊黑元化工研究设计院有限公司
申请日： 2019-12-31 - 公布日： 2020-05-12 - 主分类号： C01B33/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种从微硅粉中去除可挥发性含碳有机物及碳粉的方法，包括以下步骤：选择流化床焙烧炉；在烧炉内平铺微硅粉料层；升炉温至预设的处理温度，并保持恒温；向烧炉内通入氧气；调控氧气量和处理温度，保持烧炉内的微硅粉处于微沸腾状态采用本发明的方法处理微硅粉，生产工艺简单，操作性强，投资少，经过处理后的微硅粉价值比未处理的微硅粉可得到大幅提升，可在金属硅行业得到广泛推广应用。
一种微硅粉中去除挥发性有机物碳粉方法

[发明专利]硅-碳纳米管微球、其金属锂复合物与其制备方法及应用-CN201510765074.9有效
发明人：李文静;张晓峰;王亚龙;卢威;吴晓东;陈立桅 -专利权人：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
申请日： 2015-11-11 - 公布日： 2019-08-23 - 主分类号： H01M4/36 文献下载
摘要：本发明公开了一种硅‑碳纳米管微球、其金属锂复合物与其制备方法及应用。所述硅‑碳纳米管微球包括碳纳米管微球以及分布于碳纳米管微球表面及孔隙内的硅，所述碳纳米管微球具有由碳纳米管相互交缠团聚而成的自支撑骨架结构；其金属锂复合物，即金属锂‑硅‑碳纳米管复合微球包括所述的硅‑碳纳米管微球和分布于所述硅‑碳纳米管微球表面及孔隙内的金属锂；其中，金属锂和硅分别以单质形态存在。本发明提供的金属锂‑硅‑碳纳米管复合微球能够有效提高电池的循环稳定性、库伦效率和安全性，同时其制备方法简单，能够实现批量生产。
纳米管微球金属复合物与其制备方法应用

[发明专利]显示装置的薄膜晶体管及其形成方法-CN201910043209.9有效
发明人：阮丞禾 -专利权人：友达光电股份有限公司
申请日： 2019-01-17 - 公布日： 2022-02-11 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：显示装置包含微结晶硅氧化物层及位于微结晶硅氧化物层上的硅层，且微结晶硅氧化物层的硅与氧的元素比大于1。显示装置的薄膜晶体管包含栅极电极、位于栅极电极上的微结晶硅化合物层、位于微结晶硅化合物层上的主动层以及位于主动层上的源极与漏极电极，其中微结晶硅化合物层的结晶粒径实质小于或等于20纳米(nm)。
显示装置薄膜晶体管及其形成方法

[发明专利]一种基于硅铝基空心微珠材料的板材及其生产工艺-CN202010772835.4在审
发明人：吴光辉 -专利权人：吴光辉
申请日： 2020-08-04 - 公布日： 2020-11-10 - 主分类号： C08L33/08 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于硅铝基空心微珠材料的板材及其生产工艺，该板材由如下重量份的原料加工制备而成：改性硅铝基空心微珠8‑14份、改性无机填料36‑44份、改性纤维材料7‑9.5份与粘接乳液12‑15份；本发明通过硅烷偶联剂对硅铝基空心微珠的表面进行处理，然后使部分还原的氧化石墨烯包覆在硅铝基空心微珠的表面，通过焙烧处理、氢碘酸蒸汽环境下加热处理，对包覆在硅铝基空心微珠表面的石墨烯进行还原，得到改性硅铝基空心微珠，通过石墨烯包覆能够对硅铝基空心微珠上开孔进行封闭，避免加工过程中大量液态材料进入硅铝基空心微珠的孔道结构中，提升了硅铝基空心微珠的保温效果，降低了成品板材的密度。
一种基于硅铝基空心材料板材及其生产工艺

[发明专利]太阳电池及其制备方法和用电设备-CN202310036559.9在审
发明人：张丽平;蓝仕虎;赵晖;李龙文;李俊;付昊鑫;孟凡英;刘正新 -专利权人：中威新能源（成都）有限公司
申请日： 2023-01-10 - 公布日： 2023-05-09 - 主分类号： H01L31/028 文献下载
摘要：本发明公开了太阳电池及其制备方法和用电设备，太阳电池包括：半导体基底、第一钝化层、第二钝化层、N型掺杂微晶硅层、P型掺杂微晶硅层、第一电极和第二电极；其中，N型掺杂微晶硅层包括第一N型掺杂微晶硅层和第二N型掺杂微晶硅层，与第二N型掺杂微晶硅层相比，第一N型掺杂微晶硅层具有较小的孔隙率；和/或，P型掺杂微晶硅层的结构与N型掺杂微晶硅层的结构类似。
太阳电池及其制备方法用电设备

[发明专利]改善单室沉积本征微晶硅薄膜的制备方法-CN200710150230.6有效
发明人：张晓丹;赵颖;熊绍珍;耿新华 -专利权人：南开大学
申请日： 2007-11-19 - 公布日： 2008-04-09 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种改善单室沉积本征微晶硅薄膜的制备方法，其是将玻璃衬底放在真空室内；采用等离子增强化学气相沉积或者热丝技术在衬底上沉积P层微晶硅薄膜；采用和沉积P层微晶硅薄膜相同的沉积方法沉积I层本征微晶硅薄膜，根据P层微晶硅薄膜沉积后对的腔室环境，对随后生长的I层本征微晶硅薄膜进行硼补偿，达到对随后生长的I层本征微晶硅薄膜中硼浓度的有效控制，并控制I层本征微晶硅薄膜内硼的浓度在10¹⁶这样利用单室沉积和原位的补偿实现本征微晶硅薄膜质量的改善，既不增加新的设备改造投资，又避免了交叉污染的难点，同时还有效提高电池效率。
改善沉积征微晶硅薄膜制备方法

[发明专利]一种具有高深宽比的全硅微色谱柱及其制备方法-CN202210593785.2在审
发明人：冯飞;张海燕 -专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
申请日： 2022-05-27 - 公布日： 2022-09-16 - 主分类号： B01J20/286 文献下载
摘要：本发明提供一种具有高深宽比的全硅微色谱柱及其制备方法，分别在第一硅衬底及第二硅衬底中形成对应的微沟道及微流控端口，而后通过硅硅键合工艺形成具有闭合微沟道及闭合微流控端口的复合硅基底，从而形成仅具有一种硅材质的全硅微色谱柱，有利于获得均匀的固定相，且可形成具有高深宽比的闭合微沟道，使待分析组分分子在固定相和流动相之间快速达到平衡，有利于提高微色谱柱的分离性能和柱容量。
一种具有高深全硅微色谱及其制备方法

[发明专利]一种单晶硅高通量微针结构-CN201910277913.0在审
发明人：蔡晓雨 -专利权人：苏州泽矽能电子科技有限公司
申请日： 2019-04-08 - 公布日： 2019-06-18 - 主分类号： A61M37/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种单晶硅高通量微针结构，包括单晶硅衬底、单晶硅微针针体阵列和通量孔，所述单晶硅微针针体阵列均匀分布在所述单晶硅衬底上表面，所述通量孔为单个或多个，贯穿设置于所述单晶硅衬底上，所述通量孔和所述单晶硅微针针体阵列互不干涉，所述单晶硅微针针体阵列中的微针针体为实心针体，所述实心针体轴线与单晶硅衬底表面垂直，所述实心针体为圆锥状或多棱锥状，所述单晶硅微针针体阵列排布形式为蜂窝型、方型或三角型中的一种。具有结构强度大、加工成本低、成品率高、一致性好的优点，并且在微针周围分布有多个贯通孔，用于持续提供药液进行皮下渗透，具有不断针、高通量的优点。
单晶硅微针针体阵列高通量实心针通量微针结构衬底衬底上表面衬底表面持续提供互不干涉排布形式一致性好成品率多棱锥蜂窝型贯通孔体轴线圆锥状方型皮下针体垂直贯穿加工

[发明专利]一种硅基微环光电探测器-CN202211485089.6在审
发明人：叶楠;胡志涛;陈昌;王兆璁;赵金杨;王柱天;欧阳越华;程强 -专利权人：上海大学
申请日： 2022-11-24 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： H01L31/0232 文献下载
摘要：本发明公开了一种硅基光电探测器，包括硅波导层(012)，硅波导层(012)上表面有脊型的硅母线波导(001)和硅微环(006)，硅微环(006)靠近硅母线波导(001)的一段为耦合区(020)，除耦合区(020)外硅微环(006)的上表面有锗吸收层(004)。本发明利用半导体材料的双光子吸收效应，并利用硅基平台以及微环谐振腔结构，实现了低成本、高集成度的2μm波段光电探测器，并对光电探测器的结构做出了优化，将单层硅微环改为Ge‑on‑Si双层微环，并对耦合区的锗微环进行了部分刻蚀的处理，处理后的微环探测器在保留了与成熟的互补金属氧化物半导体技术兼容的特点的同时，在数值仿真中取得了良好的探测效果。
一种硅基微环光电探测器