专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [实用新型]-CN91228026.3无效
  • 王世旺 - 王世旺
  • 1991-11-15 - 1993-04-07 - E04C2/06
  • 本实用新型提供一种,基本由预制体,连锁槽口和固端接头所构成。其特征是板面上的连锁槽口纵横连通,固端接头悬伸对偶,组合后即为固端整,又可叫做悬架式双向槽
  • 平连板
  • [发明专利]新型屏蔽栅沟槽MOSFET及其制造方法-CN202210833418.5在审
  • 白羽 - 扬杰科技(无锡)有限公司
  • 2022-07-14 - 2022-09-09 - H01L29/06
  • 该MOSFET包括:衬垫氧化层,其生长覆盖在沟槽的表面和外延层的表面;氮化硅层,其生长覆盖在衬垫氧化层的表面;介质层,其生长覆盖在氮化硅层的表面;源极多晶硅,其填充在位于沟槽内的介质层上,对源极多晶硅进行一次回蚀,使得源极多晶硅的高度小于沟槽的深度,通过回蚀将裸露的介质层移除,通过二次回蚀将源极多晶硅与未移除的介质层齐;隔离氧化层,其在源极多晶硅的顶部氧化形成,并将氮化硅层的上半部分刻蚀掉,直至与隔离氧化层齐
  • 新型屏蔽沟槽mosfet及其制造方法
  • [实用新型]新型屏蔽栅沟槽MOSFET-CN202221823517.7有效
  • 白羽 - 扬杰科技(无锡)有限公司
  • 2022-07-14 - 2022-11-25 - H01L29/06
  • 该MOSFET包括:衬垫氧化层,其生长覆盖在沟槽的表面和外延层的表面;氮化硅层,其生长覆盖在衬垫氧化层的表面;介质层,其生长覆盖在氮化硅层的表面;源极多晶硅,其填充在位于沟槽内的介质层上,对源极多晶硅进行一次回蚀,使得源极多晶硅的高度小于沟槽的深度,通过回蚀将裸露的介质层移除,通过二次回蚀将源极多晶硅与未移除的介质层齐;隔离氧化层,其在源极多晶硅的顶部氧化形成,并将氮化硅层的上半部分刻蚀掉,直至与隔离氧化层齐
  • 新型屏蔽沟槽mosfet
  • [发明专利]一种TDLAS气体测温检测装置-CN201510410012.6在审
  • 李鑫;周涛;贾晓东 - 天津津航技术物理研究所
  • 2015-07-13 - 2015-09-30 - G01K11/00
  • 本发明属于光学检测领域,具体涉及一种TDLAS气体测温检测装置,其包括电源、激光器、激光驱动器、激光信号发生器、激光信号调试器、单模光纤、激光合束器、光纤准直器、凸透镜、积分球、光电探测器及光电转换器,本发明采用半导体可调谐红外激光器作为燃烧气体检测光源,能量较高,传播光信号稳定,散失能量小,在燃烧后端在利用凸透镜聚焦进入积分球探测器中,聚焦效果较好,信号较强,经光电信号变换,利用计算机相关检测软件对信号进行提取计算在转换成相关温度数据测量结果精确度高,操作简便,适用于检测小型工业生产的火焰,对测量燃烧提供温度数据支持。
  • 一种tdlas气体测温检测装置

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