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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]制造半导体结构的方法-CN201911043782.6在审
发明人：管式凡 -专利权人：南亚科技股份有限公司
申请日： 2019-10-30 - 公布日： 2021-03-05 - 主分类号： H01L21/762 文献下载
摘要：前驱结构依序在基板上包括第一导电结构、第一间隔物层和间隔氧化物层。间隔氧化物层暴露第一间隔物层的顶表面。随后使间隔氧化物层凹陷。形成第二间隔物层以覆盖间隔氧化物层和第一间隔物层。随后蚀刻第二间隔物层的一部分和间隔氧化物层的一部分以暴露第一间隔物层的横向部分。蚀刻剩余的间隔氧化物层以在第一间隔物层与第二间隔物层之间形成气隙。在第一间隔物层的横向部分上形成第三间隔物层以密封气隙。
制造半导体结构方法

[发明专利]彩膜基板及其制作方法-CN201811116377.8在审
发明人：饶夙缔 -专利权人：深圳市华星光电技术有限公司
申请日： 2018-09-25 - 公布日： 2019-01-11 - 主分类号： G02F1/1335 文献下载
摘要：非显示区设置有主间隔物和辅间隔物，主间隔物包括依次设置在下基板上的黑色矩阵层、基色色阻层和平坦层，辅间隔物包括依次设置在下基板上的基色色阻层和平坦层；主间隔物层累厚度大于辅间隔物的层累厚度，黑色矩阵层的厚度用以调节主间隔物和辅间隔物的层累厚度差辅间隔物相较于主间隔物缺少黑色矩阵层，只需调节黑色矩阵层的厚度即可调节主辅间隔物的厚度差，无需修改掩膜版，降低了成本，简化了工艺。
间隔物黑色矩阵层主间隔物彩膜基板非显示区依次设置厚度差基板阻层显示区掩膜版主辅制作

[发明专利]一种层间隔震结构的隔震层限位保护装置-CN201510226416.X在审
发明人：颜桂云;黄莉玲;张铮 -专利权人：福建工程学院
申请日： 2015-05-06 - 公布日： 2015-08-12 - 主分类号： E04B1/98 文献下载
摘要：本发明提供一种层间隔震结构的隔震层限位保护装置，包括：固定箱体，在固定箱体上设置有限位单元；所述限位单元包括：光杆、高阻尼橡胶垫层、非线性弹簧、限位挡板、支架；所述高阻尼橡胶垫层贴在固定箱体的内侧壁上，
一种间隔结构隔震层限位保护装置

[发明专利]IC内连线和层间介质层之间的空气间隔形成方法-CN201110362161.1有效
发明人：鲍宇 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2011-11-16 - 公布日： 2013-05-22 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明公开了一种IC内连线和层间介质层之间的空气间隔形成方法，包括：提供半导体器件，在所述半导体器件上依次形成第一电介质阻挡层和层间介质层；在所述层间介质层上刻蚀出牺牲区并露出所述第一电介质阻挡层；在所述牺牲区中沉积氧化物；刻蚀部分氧化物形成沟槽，并在所述沟槽中继续刻蚀所述氧化物和第一电介质阻挡层直至露出半导体器件的源漏区或者栅极，形成通孔；在所述沟槽和通孔内电化学镀内连线；去除剩余的氧化物形成空气间隔。本发明的方法形成了内连线和层间介质层之间的空气间隔，从而降低了内连线的电容影响，进而降低内连线的RC延迟，加快了内连线的信号传递速度。
ic 连线介质之间空气间隔形成方法

[实用新型]一种层间隔震结构的隔震层限位保护装置-CN201520288160.0有效
发明人：颜桂云;黄莉玲;张铮 -专利权人：福建工程学院
申请日： 2015-05-06 - 公布日： 2015-11-11 - 主分类号： E04B1/98 文献下载
摘要：本实用新型提供一种层间隔震结构的隔震层限位保护装置，包括：固定箱体，在固定箱体上设置有限位单元；所述限位单元包括：光杆、高阻尼橡胶垫层、非线性弹簧、限位挡板、支架；所述高阻尼橡胶垫层贴在固定箱体的内侧壁上
一种间隔结构隔震层限位保护装置

[发明专利]一种包扎用弹力布-CN201911081511.X有效
发明人：冯明阳 -专利权人：吴江市卓品纺织有限公司
申请日： 2019-11-07 - 公布日： 2021-03-09 - 主分类号： A61F13/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种包扎用弹力布，包括纱布层、间隔织物层和高弹力无纺布层，所述纱布层缝接在所述间隔织物层上，所述高弹力无纺布层粘结在所述间隔织物层上，所述间隔织物层为经编织物，该间隔织物层包括吸湿层、间隔层和导湿层，所述吸湿层、间隔层和导湿层均为经编双梳组织，其中，间隔层的上端与导湿层编织连接，下端与吸湿层编织连接，所述纱布层与所述间隔织物层之间设有亲水性聚氨酯泡沫层，所述高弹力无纺布层粘结在所述间隔织物层上。
一种包扎弹力布

[实用新型]变色中空玻璃-CN202020474947.7有效
发明人：倪学平 -专利权人：海门市贝斯特钢化玻璃有限公司
申请日： 2020-04-03 - 公布日： 2021-04-23 - 主分类号： E06B3/67 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种变色中空玻璃，包括平行且间隔设置的外玻璃层、内玻璃层和间隔玻璃层，间隔玻璃层固定于外玻璃层和内玻璃层之间，外玻璃层、内玻璃层和间隔玻璃层的侧边设有支撑框架，间隔玻璃层分别与外玻璃层和内玻璃层形成空腔；外玻璃层和间隔玻璃层之间设有PVB层，PVB层和间隔玻璃层之间设有光致变色胶片层；内玻璃层和间隔玻璃层之间设有红外反射层和二氧化钒基薄膜层。
变色中空玻璃

[发明专利]负压伤口疗法设备-CN201680077261.0有效
发明人： S.J.诺贝尔;B.格林纳;J.P.高恩斯 -专利权人：史密夫及内修公开有限公司
申请日： 2016-12-22 - 公布日： 2022-02-22 - 主分类号： A61F13/02 文献下载
摘要：在某些实施例中，负压伤口疗法设备能够包括带有上部部分和下部部分的间隔件层。间隔件层能够被构造成包绕吸收层的至少一个边缘，并且其中间隔件层的上部部分在吸收层上方，且间隔件层的下部部分在吸收层下方。在一些实施例中，负压伤口疗法设备能够包括第一间隔件层和第二间隔件层和吸收层。第一间隔件层能够定位在吸收层下方，且第一间隔件层能够具有大于吸收层的外周的外周。第二间隔件层能够定位在吸收层上方。第二间隔件层能够具有大于吸收层的外周的外周。
伤口疗法设备

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN202310189133.7在审
发明人：金银贞;金智勋;李宪周 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2023-02-22 - 公布日： 2023-10-17 - 主分类号： H01L23/532 文献下载
摘要：一种半导体器件包括：衬底，其具有单元区和外围区；晶体管，其在衬底之上在外围区中；下层间绝缘层，其在晶体管之间；在晶体管和下层间绝缘层之上的互连部和第一间隔物层；上层间绝缘层，其在互连部和第一间隔物层之上第一间隔物层被设置在互连部之间。第一间隔物层包括第一下间隔物层和在第一下间隔物层之上的第一上间隔物层。第一下间隔物层和第一上间隔物层包括硅、硼和氮。第一下间隔物层的硼浓度与第一上间隔物层的硼浓度不同。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]一种白光有机电致发光器件-CN201710021106.3在审
发明人：罗东向;杨炎锋;刘佰全;何俊彬;杨亿斌;牟中飞;李京波 -专利权人：广东工业大学
申请日： 2017-01-11 - 公布日： 2017-05-31 - 主分类号： H01L51/50 文献下载
摘要：本发明公开了一种白光有机电致发光器件，所述白光有机电致发光器件以如下顺序设置阴极；有机功能层；以及阳极；所述有机功能层包括至少三层发光层和至少两层间隔层，所述发光层之间通过所述间隔层相间设置；所述发光层包括至少一层蓝色荧光层和至少两层磷光层；所述间隔层包含至少一层电子型间隔层和至少一层双极性间隔层，或所述间隔层包含至少一层电子型间隔层和至少一层空穴型间隔层，或所述间隔层包含至少一层双极性间隔层和至少一层空穴型间隔层。
一种白光有机电致发光器件

[实用新型]一种碾压混凝土坝-CN201920687366.9有效
发明人：汪永剑;石爱军;丁仕辉;姚楚康 -专利权人：广东水电二局股份有限公司
申请日： 2019-05-14 - 公布日： 2020-06-02 - 主分类号： E02B7/08 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种碾压混凝土坝，其包括多个竖向堆叠的组合层，所述组合层包括中心层、间隔层以及外围层，所述中心层和间隔层均为碾压混凝土构件，所述外围层为变态混凝土构件，所述间隔层包围中心层的侧面，所述外围层包围间隔层的外侧，所述中心层、间隔层和外围层的端面齐平，所述间隔层由至少两个间隔薄层堆叠形成。本实用新型通过先施工间隔薄层以形成间隔层，再分别施工外围层及中心层，既保证了中心层在施工时不会倾斜或侧翻，也减少了中心层的层间接合面数。
一种碾压混凝土

[发明专利]半导体结构及其形成方法-CN202010288169.7在审
发明人：杨建勋 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2020-04-14 - 公布日： 2021-03-30 - 主分类号： H01L27/088 文献下载
摘要：本发明描述了用于形成具有气隙的栅极间隔件结构以减小晶体管的栅极结构和源极/漏极接触件之间的寄生电容的方法。在一些实施例中，该方法包括在衬底上形成栅极结构，并且在栅极结构的侧壁表面上形成间隔件堆叠件—其中，间隔件堆叠件包括与栅极结构接触的内部间隔件层、位于内部间隔件层上的牺牲间隔件层和位于牺牲间隔件层上的外部间隔件层该方法还包括去除牺牲间隔件层以在内部间隔件层和外部间隔件层之间形成开口，在内部和外部间隔件层的顶面上沉积聚合物材料，蚀刻内部和外部间隔件层的顶部侧壁表面以形成锥形顶部，以及沉积密封材料。
半导体结构及其形成方法

[发明专利]具有矩形轮廓的间隔件及其制造方法-CN201910768482.8有效
发明人：张钰声;李忠儒;包天一 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2014-12-05 - 公布日： 2022-11-29 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：一种方法，包括在图案化部件的顶面和侧壁上形成间隔件层，其中，图案化部件在基础层的上面。形成保护层以接触间隔件层的顶面和侧壁表面。保护层的水平部分被移除，其中，在移除之后保留保护层的垂直部分。间隔件层被蚀刻以移除间隔件层的水平部分，其中，间隔件层的垂直部分保留来形成间隔件的部分。本发明还提供具有矩形轮廓的间隔件及其制造方法。
具有矩形轮廓间隔及其制造方法

[发明专利]用于磁隧道结的间隔件堆叠件-CN201910162848.7有效
发明人：刘中伟;蓝锦坤 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2019-03-05 - 公布日： 2022-12-13 - 主分类号： H01L27/22 文献下载
摘要：本发明实施例描述形成具有金属化合物层的间隔件的示例性方法。该方法包括：在互连层上方形成磁隧道结(MTJ)结构和在磁隧道结结构和互连层上方沉积第一间隔件层。该方法还包括在第一间隔材料，磁隧道结结构和互连层上方沉积第二间隔件层，其中，第二间隔件层比第一间隔件层薄，并包括金属化合物。此外，该方法还包括：在第二间隔件层上方和MTJ结构之间沉积第三间隔件层。第二间隔件比第一间隔件薄。本发明实施例涉及用于磁隧道结的间隔件堆叠件。
用于隧道间隔堆叠

[发明专利]量子阱场效应晶体管及其制造方法-CN202080064602.7在审
发明人： M·J·曼弗拉;C·F·托马斯 -专利权人：微软技术许可有限责任公司
申请日： 2020-06-26 - 公布日： 2022-04-26 - 主分类号： H01L29/12 文献下载
摘要：量子阱场效应晶体管(QWFET)包括阻挡层、量子阱层和间隔层。量子阱层在阻挡层上。阻挡层和间隔层包括未掺杂的锑化铝铟。量子阱层包括锑化铟。间隔层在量子阱层上。量子阱层和间隔层在源极触点与漏极触点之间。栅极触点在介电层上，介电层在间隔层上。通过将阻挡层和间隔层设置为未掺杂的层，可以改善QWFET的性能。
量子场效应晶体管及其制造方法

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