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[发明专利]形成半导体器件的方法-CN200710102284.5无效
发明人：金柱然;元皙俊;金洛焕;宋珉宇;金元洪;朴廷珉 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2007-05-09 - 公布日： 2007-11-14 - 主分类号： H01L21/283 文献下载
摘要：形成半导体器件的方法可包括利用金属有机化学气相沉积(MOCVD)工艺在基底上形成第一导电金属化合物层和/或利用物理气相沉积(PVD)工艺在第一导电金属化合物层上形成第二导电金属化合物层。可形成第一导电金属化合物层和第二导电金属化合物层来减少或防止第一导电金属化合物层暴露于氧原子中，因此降低了第一导电金属化合物层的退化。
形成半导体器件方法

[发明专利]光敏装置和材料-CN201680059403.0有效
发明人： T.E.布隆贝格;H.霍特里 -专利权人： ASM IP 控股有限公司
申请日： 2016-10-05 - 公布日： 2023-01-10 - 主分类号： H01L27/15 文献下载
摘要：本文公开用于在反应空间中的衬底上沉积包括介电性过渡金属化合物相和导电或半导体过渡金属化合物相的薄膜的沉积方法。沉积方法可包含多个超循环。每一超循环可包含介电性过渡金属化合物子循环和还原子循环。所述介电性过渡金属化合物子循环可包含使所述衬底与介电性过渡金属化合物接触。所述还原子循环可包含使所述衬底与还原剂和氮反应物交替并依次接触。所述薄膜可包括包埋于导电或半导体过渡金属化合物相中的介电性过渡金属化合物相。
光敏装置材料

[发明专利]光敏装置和材料-CN202211663763.5在审
发明人： T·E·布隆贝格;H·霍特里 -专利权人： ASM IP 控股有限公司
申请日： 2016-10-05 - 公布日： 2023-04-04 - 主分类号： C23C16/455 文献下载
摘要：本文公开用于在反应空间中的衬底上沉积包括介电性过渡金属化合物相和导电或半导体过渡金属化合物相的薄膜的沉积方法。沉积方法可包含多个超循环。每一超循环可包含介电性过渡金属化合物子循环和还原子循环。所述介电性过渡金属化合物子循环可包含使所述衬底与介电性过渡金属化合物接触。所述还原子循环可包含使所述衬底与还原剂和氮反应物交替并依次接触。所述薄膜可包括包埋于导电或半导体过渡金属化合物相中的介电性过渡金属化合物相。
光敏装置材料

[发明专利]一种棉布衍生高导电碳/金属化合物复合柔性电极及其制备方法-CN202310017694.9在审
发明人：陈人杰;张喜雪;李丽 -专利权人：北京理工大学
申请日： 2023-01-06 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： H01M4/13 文献下载
摘要：本发明公开了一种棉布衍生高导电碳/金属化合物复合柔性电极及其制备方法。所述电极以废旧棉布碳化得到的碳布作为柔性导电框架，采用简单、可规模化的方法在该导电框架上原位负载纳米金属化合物颗粒，得到具有优异柔性的棉布衍生高导电碳/金属化合物复合柔性电极。其中，三维生物质碳网络不仅具有优异的电子导电性和机械稳定性，同时纳米金属化合物颗粒的均匀负载暴露了更多的电化学活性位点，也有效缓解了体积变化问题，同时该柔性电极可提升电池的能量密度。因此，该棉布衍生高导电碳/金属化合物复合柔性电极作为负极时可表现出优异的储锂/储钠/储钾性能。本发明公开的棉布衍生高导电碳/金属化合物复合柔性电极具有良好的经济价值和应用前景。
一种棉布衍生导电金属化合物复合柔性电极及其制备方法

[发明专利]透明导电性层压体及透明触摸屏-CN200580036138.6有效
发明人：原宽;伊藤晴彦;白石功;御子柴均 -专利权人：帝人株式会社
申请日： 2005-08-18 - 公布日： 2007-09-26 - 主分类号： H01B5/14 文献下载
摘要：透明导电性层压体，其中，(1)在高分子薄膜的至少一面上依次层压金属化合物层、透明导电层，(2)该金属化合物层与该透明导电层相连接，(3)该金属化合物层的膜厚大于等于0.5nm小于10.0nm。
透明导电性层压触摸屏

[发明专利]制造CEM器件的方法-CN201980058328.X在审
发明人：卡洛斯·阿尔贝托·巴斯德阿劳乔;乔兰塔·博兹纳·塞林斯卡;卢西安·希夫伦 -专利权人：切尔费实验室公司
申请日： 2019-07-31 - 公布日： 2021-04-09 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：一种制造相关电子材料器件的方法，该方法包括形成导电衬底并在导电衬底上形成相关电子材料层，其中，形成相关电子材料层包括：形成富含金属的过渡金属化合物层或其他金属化合物层；以及在包含气态前驱体的气氛中对富含金属的过渡金属化合物层或其他金属化合物层进行退火，该气态前驱体用于电子回捐外源配体，该电子回捐外源配体能占据过渡金属化合物或其他金属化合物中的阴离子空位；其中，退火使得过渡金属化合物或其他金属化合物内的阴离子空位被电子回捐外源配体占据；并且其中，退火在预定温度被进行预定时间，从而激活从过渡金属阳离子或其他金属阳离子向占据阴离子空位的电子回捐外源配体的电子回捐。
制造 cem 器件方法

[发明专利]金属化合物材料及其制备方法、量子点发光二极管和发光装置-CN201911390340.9有效
发明人：何斯纳;吴龙佳;吴劲衡 -专利权人： TCL科技集团股份有限公司
申请日： 2019-12-30 - 公布日： 2023-08-25 - 主分类号： C07C241/02 文献下载
摘要：本发明提供了一种金属化合物材料，包括金属化合物纳米颗粒和芳香肼，其中，所述芳香肼中的‑NHNH2结合在芳香基上，且所述芳香肼通过‑NHNH2中的氮原子与所述金属化合物纳米颗粒配位结合。本发明通过表面修饰在金属化合物纳米颗粒表面吸附芳香肼分子，实现了对金属化合物纳米颗粒的表面结构调制，增强金属化合物纳米颗粒的导电性。
金属化合物材料及其制备方法量子发光二极管发光装置

[发明专利]显示装置-CN202110760898.2在审
发明人：白炅旼;申铉亿;李周炫 -专利权人：三星显示有限公司
申请日： 2021-07-06 - 公布日： 2022-01-11 - 主分类号： H01L27/32 文献下载
摘要：布线层包括导电金属层以及导电金属层的金属化合物层。金属化合物层围绕导电金属层。
显示装置

[发明专利]用于导电糊组合物的玻璃组合物-CN201511019977.9在审
发明人： M·内伊德特;王磊;R·M·克西马诺 -专利权人：贺利氏贵金属北美康舍霍肯有限责任公司
申请日： 2015-12-30 - 公布日： 2016-08-31 - 主分类号： C03C3/12 文献下载
摘要：本发明涉及用于形成导电糊组合物的玻璃组合物。在本发明一个方面中，用于太阳能电池板技术的导电糊组合物包含导电金属颗粒、有机载体和玻璃组合物，其中玻璃组合物包含氧化碲(TeO₂)、氧化铋(Bi₂O₃)、氧化锌(ZnO)和至少一种离子玻璃改性剂(IGM)，例如至少一种碱金属化合物、碱土金属化合物、银化合物和/或稀土金属化合物。
用于导电组合玻璃

[发明专利]薄膜太阳能电池-CN95191011.6无效
发明人：近藤正隆;林克彦;石川敦夫;仓田慎一郎;山岸英雄 -专利权人：钟渊化学工业株式会社
申请日： 1995-10-04 - 公布日： 2002-12-11 - 主分类号： H01L31/042 文献下载
摘要：其中，第1种薄膜太阳能电池是在绝缘性基板上依次叠层透明电极层、薄膜半导体层、内面电极层的薄膜太阳能电池，其特征在于，内面电极层是由比构成薄膜半导体导之半导体折射率低的第1透明导电性金属化合物层、第2透明导电性金属化合物层和金属层构成的，同时第2透明导电性金属化合物层至少含有第1透明导电性金属化合物层的构成成分和金属层构成成分中的一种，第1透明导电性金属化合物层是金属氧化物，具体的是氧化铟锡、氧化锡、氧化锌中一种。或者薄膜半导体层使用化合物半导体时，其中第1透明导电性金属化合物层也可以使用硫化镉。作为第2种薄膜太阳能电池是在绝缘性极板上依次叠层透明电极层、薄膜半导体层、内面电极层的薄膜太阳以电池，其特征在于，内面电极层是由含有银和氧和构成透明导电性金属氧化物的金属元素的中间薄层和银膜的叠层体，构成透明导电性金属氧化物的金属元素是锌
薄膜太阳能电池

[发明专利]导电糊用组合物、导电糊及其制备方法-CN02129878.5无效
发明人：丸野哲司;小田和彦;佐佐木昭;田中公二 -专利权人： TDK株式会社
申请日： 2002-08-20 - 公布日： 2003-04-02 - 主分类号： H01B1/22 文献下载
摘要：本发明的目的是提供不引起金属粒子凝聚的导电糊用组合物及导电糊。含有附着了与导电糊中所含的有机成分具有相容性的溶剂13的金属粒子或金属化合物粒子12，呈干燥状态。制备时，经水洗净生成金属粒子或金属化合物粒子，相对于金属粒子或金属化合物粒子，不用干燥，添加与导电糊中所含的有机成分具有相容性的溶剂，然后再干燥。
导电组合及其制备方法

[发明专利]光电转换元件、光电转换元件的制造方法以及电子设备-CN201310421599.1在审
发明人：宫田崇;服部恭典 -专利权人：精工爱普生株式会社
申请日： 2013-09-16 - 公布日： 2014-03-26 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：上述光电转换元件具备：基板；具有设置在基板上的第一导电膜及第二导电膜的第一电极膜；覆盖第一电极膜而设置的金属化合物膜；与金属化合物膜连接设置的半导体膜；与半导体膜连接设置的第二电极膜；以及设置成包覆基板、第一电极膜、半导体膜及金属化合物膜的绝缘膜，上述光电转换元件的制造方法包括：形成与基板连接的第一导电膜以及与第一导电膜连接的第二导电膜的第一电极膜形成工序；在第一电极膜形成工序之后，通过湿蚀刻法将第二导电膜形成为规定的形状的第一图案化工序；以及在第一图案化工序之后，形成覆盖第一电极膜的金属化合物膜的金属化合物膜形成工序。
光电转换元件制造方法以及电子设备

[发明专利]导电金属膏-CN200480043434.4有效
发明人：上田雅行;齐藤宽;细谷一雄;畑宪明;松叶赖重 -专利权人：播磨化成株式会社
申请日： 2004-06-23 - 公布日： 2007-05-30 - 主分类号： H01B1/22 文献下载
摘要：一种与底基板表面例如玻璃基板表面具有优异粘合性的导电金属膏，该导电金属膏具有满意的导电性，可用于形成金属细粒烧结层。导电金属膏包含，相对于100质量份的1～100nm平均粒径的金属细粒；总量为10～60质量份的在安置在金属细粒表面上的分子涂层中使用的、含有能够通过氮、氧或硫原子的孤对电子与金属细粒中含有的金属元素配位键合的基团的至少一种化合物；以金属化合物中含有的金属总量计0.3～7质量份的至少一种金属化合物，该金属化合物在被加热到250℃或更高温度时，可以被还原从而沉析金属原子；和相对于每10质量份的金属化合物中所含金属总量，100～500质量份的能够所述金属化合物的胺－基溶剂；其中所有这些组分都均匀溶解和分散在作为金细粒的分散溶剂的有机溶剂中。
导电金属

[发明专利]用于形成导电图案的组合物和方法以及在其上具有导电图案的树脂结构-CN201480055806.9有效
发明人：朴致成;金宰贤;田信姬;朴哲凞;成恩圭;郑相允;金在镇;郑汉娜;李秀贞 -专利权人： LG化学株式会社
申请日： 2014-11-28 - 公布日： 2018-01-02 - 主分类号： H01B1/22 文献下载
摘要：本发明涉及一种用于形成导电图案的组合物、一种使用该组合物形成导电图案的方法以及一种具有导电图案的树脂结构，所述组合物能够通过显著简单的工艺在各种聚合物树脂产品或树脂层上形成精细导电图案。所述用于形成导电图案的组合物包含聚合物树脂；以及作为包含第一和第二金属的预定非导电金属化合物的包含第一和第二金属中的至少一种的非导电金属化合物，其中，包含第一或第二金属或它们的离子的金属核由所述非导电金属化合物通过电磁辐射形成
用于形成导电图案组合使用方法以及具有树脂结构

[发明专利]导电膜、导电膜的制造方法及其触摸屏-CN201310048359.1有效
发明人：高育龙;何钊 -专利权人：南昌欧菲光科技有限公司
申请日： 2013-02-06 - 公布日： 2013-07-03 - 主分类号： H01B5/14 文献下载
摘要：一种导电膜，包括：基片，包括第一表面和第二表面，第一表面和第二表面相对设置；第一导电层，设于基片的第一表面，第一导电层包括第一导电区及第一绝缘区，第一导电区包括由金属所形成的金属网格，第一绝缘区包括由不导电金属化合物所形成的绝缘网格，其中不导电金属化合物由该金属反应产生；不仅避免了传统工艺流程中将第一绝缘区部分的金属网格刻蚀掉而产生大量金属盐废液，造成重金属污染，而且将不需要的金属网格部分反应成不导电的金属化合物，使得所述绝缘区被透过率与金属网格接近的金属化合物网格覆盖
导电制造方法及其触摸屏

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