专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]导电膜及导电膜卷-CN201310000667.7在审
  • 藤野望;鹰尾宽行;石桥邦昭 - 日东电工株式会社
  • 2013-01-04 - 2013-07-10 - H01B5/14
  • 本发明涉及一种导电膜及导电膜卷。提供一种导电膜,所述导电膜在卷成卷状时邻接的膜没有压接而能够维持高品质。导电膜(1)具备膜基材(2),形成在该膜基材的一侧的透明导电体层(3),形成在透明导电体层(3)的与膜基材(2)相反侧的铜层(4),形成在膜基材(2)的另一侧的透明导电体层(5),形成在透明导电体层(5)的与膜基材(2)相反侧的铜层(6),形成在铜层(4)的与透明导电体层(3)相反侧、含有氧化亚铜的厚度为1nm~15nm的氧化被膜层(7)。
  • 导电性
  • [发明专利]导电膜及导电膜卷-CN201710150655.0在审
  • 藤野望;鹰尾宽行;石桥邦昭 - 日东电工株式会社
  • 2013-01-04 - 2017-05-10 - H01B5/14
  • 本发明涉及一种导电膜及导电膜卷。提供一种导电膜,所述导电膜在卷成卷状时邻接的膜没有压接而能够维持高品质。导电膜(1)具备膜基材(2),形成在该膜基材的一侧的透明导电体层(3),形成在透明导电体层(3)的与膜基材(2)相反侧的铜层(4),形成在膜基材(2)的另一侧的透明导电体层(5),形成在透明导电体层(5)的与膜基材(2)相反侧的铜层(6),形成在铜层(4)的与透明导电体层(3)相反侧、含有氧化亚铜的厚度为1nm~15nm的氧化被膜层(7)。
  • 导电性
  • [发明专利]导电薄膜和导电薄膜卷-CN201210541208.5有效
  • 藤野望;鹰尾宽行;石桥邦昭 - 日东电工株式会社
  • 2012-12-13 - 2013-06-26 - H01B5/14
  • 本发明提供导电薄膜和导电薄膜卷。已知具备薄膜基材、形成于其两面上的透明导电体层、和形成于透明导电体层的表面上的金属层的导电薄膜。卷取这种导电薄膜形成导电薄膜卷时,存在邻接的导电薄膜的金属层之间相互压接的问题。本发明的导电薄膜(10)具有薄膜基材(11)、层叠于薄膜基材(11)的一个面上的第一透明导电体层(12)、第一金属层(13)、氮化覆膜层(14)、层叠于薄膜基材(11)的另一个面上的第二透明导电体层(氮化覆膜层(14)防止邻接的导电薄膜(10)的压接。
  • 导电性薄膜
  • [发明专利]导电组合物和导电-CN200710091364.5有效
  • 饭岛基;西村达朗;中西优行 - 诺利塔克股份有限公司;则武伊势电子株式会社
  • 2007-03-30 - 2007-10-03 - H01B1/00
  • 本发明的目的是提供一种能够生成导电高且热膨胀系数小的导电膜的导电组合物和导电膏。岛状固着型导电层(10)的热膨胀系数与基板(12)的热膨胀系数适应。因此能够很好地抑制由于它们的热膨胀系数的不同而引起的、岛状固着型导电层(10)上的龟裂的产生、或者基板(12)上的裂纹的产生。而且,由于岛状固着型导电层(10)的热膨胀系数通过在10wt%~55wt%的范围内含有ZWP作为低膨胀填料来调整,因此与添加有其他的低膨胀填料的场合比较,能够抑制导电的降低。因此可以得到导电高且粘合强度高的岛状固着型导电层(10)。
  • 导电性组合
  • [实用新型]导电膜及导电膜卷-CN201320001397.7有效
  • 藤野望;鹰尾宽行;石桥邦昭 - 日东电工株式会社
  • 2013-01-04 - 2013-09-25 - H01B5/14
  • 本实用新型涉及一种导电膜及导电膜卷。提供一种导电膜,所述导电膜在卷成卷状时邻接的膜没有压接而能够维持高品质。导电膜(1)具备膜基材(2),形成在该膜基材的一侧的第1透明导电体层(3),形成在第1透明导电体层(3)的与膜基材(2)相反侧的第1铜层(4),形成在膜基材(2)的另一侧的第2透明导电体层(5),形成在第2透明导电体层(5)的与膜基材(2)相反侧的第2铜层(6),形成在第1铜层(4)的与第1透明导电体层(3)相反侧、厚度为1nm~15nm的第1氧化被膜层(7),第1氧化被膜层(7)实质上仅由氧化亚铜构成导电膜卷是将所述的导电膜(1)卷成卷状而构成的。
  • 导电性

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