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[发明专利]动脉压力测量装置-CN87103412.3无效
发明人：安东尼娜·米海罗夫娜·罗曼诺夫卡娅 -专利权人：全苏医疗技术科学研究试验院
申请日： 1987-04-10 - 公布日： 1990-02-28 - 主分类号： A61B5/02 文献下载
摘要：该传感器4具有压电片8，在该片一个工作面上配置第一弹性导电层9，在其另一工作面上配置第二弹性导电层10，在导电层9表面上配置第一弹性绝缘层12，在该层12上配置第三弹性导电层13。
动脉压力测量装置

[发明专利]发光二极管结构及其制作方法-CN201010169393.0无效
发明人：林咸嘉;唐慈淯 -专利权人：亿光电子工业股份有限公司
申请日： 2010-04-26 - 公布日： 2011-11-09 - 主分类号： H01L33/46 文献下载
摘要：一种发光二极管结构，包括发光元件层、图案化介电层、第一欧姆接触层、导电基板、第一电极层及第二电极层。发光元件层具有第一表面与相对第一表面的第二表面。图案化介电层配置于第一表面上并具有多个开口以暴露出部分发光元件层。第一欧姆接触层配置于图案化介电层上并透过这些开口而与发光元件层连接。导电基板配置于第一欧姆接触层上。第一电极层配置于第二表面上并覆盖部分发光元件层。第二电极层配置于导电基板上，且导电基板位于第一欧姆接触层与第二电极层之间。本发明另提供该发光二极管结构的制作方法。
发光二极管结构及其制作方法

[发明专利]半导体器件-CN200810091260.9无效
发明人：野泽俊哉;二井手亮;饭岛至 -专利权人：株式会社瑞萨科技
申请日： 2008-04-23 - 公布日： 2008-10-29 - 主分类号： H01L27/06 文献下载
摘要：外延层形成于第一导电类型半导体衬底的主表面中。通过器件绝缘区域将外延层划分为第一区域和第二区域。在第一区域的外延层的表面处配备有PN结部分，其具有第二导电类型半导体层并且配置可变电容元件。在第二区域的外延层的表面处配备有PN结部分，该PN结具有第二导电类型半导体层，该层的下部形成为比配置上述可变电容PN结的第二导电类型的半导体层更靠近半导体衬底，并且该层配置为固定电容。半导体衬底的背表面连接到控制电压端，配置可变电容PN结的第二导电类型半导体层连接到第一信号端，并且配置固定电容PN结的第二导电类型半导体层连接到第二信号端，由此配置可变滤波器电路。
半导体器件

[发明专利]半导体存储器装置及半导体存储器装置的制造方法-CN201910093659.9有效
发明人：中木宽 -专利权人：铠侠股份有限公司
申请日： 2019-01-30 - 公布日： 2023-10-10 - 主分类号： H10B41/27 文献下载
摘要：实施方式的半导体存储器装置包含多个第1导电体层、第2导电体层、第1半导体层、第2半导体层、及积层体。多个第1导电体(23)在第1方向上相互隔开地配置，且分别沿与第1方向交叉的第2方向延伸。第2导电体层24相对于多个第1导电体层中的最上层向上方隔开地配置。第1半导体层(31)沿第1方向延伸。积层体32在第2方向上配置在第1半导体层与多个第1导电体层之间及第1半导体层与第2导电体层之间，且包含电荷蓄积层。第2半导体层33配置在积层体与第2导电体层间。第1半导体层至少从与第1导电体层的最上层对向的部分至与第2导电体层对向的部分为止为连续膜。
半导体存储器装置制造方法

[发明专利]复合部件及器件-CN201880032787.6有效
发明人：三井哲朗;平田英俊 -专利权人：富士胶片株式会社
申请日： 2018-05-23 - 公布日： 2022-05-27 - 主分类号： B32B15/08 文献下载
摘要：本发明提供一种能够控制作用于导电层的应力的复合部件及器件。复合部件具有：导电层体，具备绝缘层及通过绝缘层电绝缘且分开配置的至少2个导电层；至少1个粘合层；及弹性模量高于粘合层的部件，在至少2个导电层中与设置于当向弯曲方向弯曲导电层体时绝缘层的曲率半径较大的一侧的第1导电层相接。至少1个粘合层配置于绝缘层与导电层之间以外及第1导电层与弹性模量高于粘合层的部件之间以外，绝缘层的弹性模量高于粘合层。
复合部件器件

[发明专利]薄膜太阳能电池及其制作方法-CN200910259023.3无效
发明人：游萃蓉;蔡宗闵;陈国栋;林俊荣;吕晓玲;李春生 -专利权人：英属开曼群岛商精曜有限公司
申请日： 2009-12-09 - 公布日： 2011-06-15 - 主分类号： H01L31/042 文献下载
摘要：本发明公开了一种薄膜太阳能电池及其制作方法，该薄膜太阳能电池，包括一基板、一第一导电层、一催化材料层、一氧化物纳米结构、一本质层、一第一型半导体层以及一第二导电层。第一导电层配置于基板上。催化材料层配置于第一导电层上，其中催化材料层的材质为一金属化合物。氧化物纳米结构位于催化材料层上，其中氧化物纳米结构的材质为一金属氧化合物。本质层覆盖氧化物纳米结构。第一型半导体层配置于本质层上。第二导电层配置于第一型半导体层上。本发明亦提出一种薄膜太阳能电池的制作方法。
薄膜太阳能电池及其制作方法

[发明专利]单次可程序化记忆单元及其操作方法-CN200810171814.6无效
发明人：林崇荣;金雅琴 -专利权人：亚特伦工业有限公司
申请日： 2008-11-12 - 公布日： 2010-06-16 - 主分类号： H01L27/115 文献下载
摘要：该单次可程序化记忆单元，其包含栅极介电层、栅极电极、第一源极/漏极、第二源极/漏极、第一自我对准金属硅化层、电容介电层、第二导电插塞与第一导电插塞。此栅极电极配置于此栅极介电层上。此第一自我对准金属硅化层配置于此第一源极/漏极上。此电容介电层，配置于此第二源极/漏极上。此第二导电插塞，配置于此第一自我对准金属硅化层上。此第一导电插塞，配置于此电容介电层上，其中此第二导电插塞的尺寸不同于此第一导电插塞的尺寸。
单次可程序化记忆单元及其操作方法

[发明专利]透明导电性膜的制造方法-CN202180054449.4在审
发明人：长原一平;长濑纯一;桥本尚树 -专利权人：日东电工株式会社
申请日： 2021-08-31 - 公布日： 2023-04-25 - 主分类号： B32B27/06 文献下载
摘要：本发明提供一种包含金属纳米线且电阻的均匀性优异的透明导电性膜。本发明的透明导电性膜具备基材和配置于该基材的至少单侧的透明导电层，该基材的透明导电层侧的面是经表面处理的面，且该透明导电层包含金属纳米线。在一个实施方式中，上述透明导电层直接配置于上述基材。
透明导电性制造方法

[发明专利]非易失性半导体存储装置-CN202010112529.8在审
发明人：渡辺正一;野口充宏 -专利权人：铠侠股份有限公司
申请日： 2020-02-24 - 公布日： 2021-03-09 - 主分类号： G11C16/04 文献下载
摘要：非易失性半导体存储装置(20)具备：半导体衬底(30)，具有第1导电型，且在背面具备破碎层(30R)；存储单元阵列(21)，配置在半导体衬底的与破碎层相反侧的正面上；及第1导电型高电压晶体管(HVP)，配置在半导体衬底上，具备第1导电型通道，对存储单元阵列供给高电压。第1导电型高电压晶体管具备：阱区域(NW)，配置在半导体衬底的正面，具有与第1导电型为相反导电型的第2导电型；p+源极区域及p+漏极区域，配置在阱区域；及第1高浓度层(WT2)，配置在半导体衬底的破碎层与阱区域之间，浓度比半导体衬底的杂质浓度高，且为第1导电型。
非易失性半导体存储装置

[发明专利]半导体元件-CN201510045094.9有效
发明人：伊牧 -专利权人：新唐科技股份有限公司
申请日： 2015-01-29 - 公布日： 2018-03-23 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：提供具有第一导电型的基底。基底具有第一区以及第二区。具有第二导电型的半导体层配置于基底的前侧。具有第一导电型的第一掺杂区配置于第一区的半导体层中，其中第一掺杂区的掺杂深度随着远离第二区而逐渐减少。具有第二导电型的至少一第二掺杂区配置于第一掺杂区中，其中至少一第二掺杂区的掺杂深度随着远离第二区而逐渐增加。介电层配置于半导体层上。第一导体层配置于介电层上。
半导体元件

[发明专利]晶圆封装元件-CN201911170992.1有效
发明人：杨吴德;尤俊煌 -专利权人：南亚科技股份有限公司
申请日： 2019-11-26 - 公布日： 2022-09-02 - 主分类号： H01L23/488 文献下载
摘要：本发明公开了一种晶圆封装元件，包括基板、第一晶圆、第一导电层、第一接线以及第二接线。基板包括第一上表面以及配置于第一上表面的第一接垫。第一晶圆配置在第一上表面，且第一晶圆包括第二上表面以及配置在第二上表面的第二接垫。第一导电层配置在第二上表面。第一接线连接第一接垫以及第一导电层的一侧，第二接线连接第二接垫以及第一导电层的另一侧。每个第一接线和每个第二接线连接各自第一导电层的相反侧。第一导电层使晶圆封装元件具有较佳的电性连接。
封装元件

[实用新型]触控面板-CN200920136350.5有效
发明人：吴俊纬;胡正中 -专利权人：福建华映显示科技有限公司;中华映管股份有限公司
申请日： 2009-01-16 - 公布日： 2009-12-23 - 主分类号： G06F3/041 文献下载
摘要：一种触控面板，包括一第一基板；平行配置在第一基板上方的第二基板；一第一导电层，配置在第一基板上，并面向第二基板；一第二导电层，配置在第二基板上，并面向第一基板，第二导电层具有多个边缘以及夹于边缘之间的多个角落；多个椭圆电极图案，沿着第二导电层的边缘配置，并电连接所述第二导电层，在各边缘上，这些椭圆电极图案呈现不均匀的分布密度。本实用新型的优点在于：可在第二导电层中形成均匀的电场，从而有助于提升触控面板的感测准确性。另外，椭圆电极图案的设计可以利用网版印刷制作而成，因而有助于简化触控面板的制作步骤。
面板

[实用新型]触控元件-CN201320463514.1有效
发明人：何钊;何世磊;孙超 -专利权人：南昌欧菲光科技有限公司;深圳欧菲光科技股份有限公司;苏州欧菲光科技有限公司
申请日： 2013-07-31 - 公布日： 2014-01-01 - 主分类号： G06F3/041 文献下载
摘要：本实用新型提供一种触控元件，其中，触控元件包括第一导电层和第二导电层，第一导电层包括多个沿第一方向延伸且沿第二方向间隔设置的第一网格条带；第二导电层包括多个沿第二方向延伸的第二网格条带，每个第二网格条带为金属网格结构；第一导电层中相邻的四个第一导电单元围设成配置区，第二导电层的第二导电单元在第一导电层上的投影落于配置区内且与形成该配置区的四个第一导电单元相间隔，第二导电层的第二连接部在第一导电层上的投影与第一连接部交叉本实用新型中，通过金属网格结构代替现有技术中导电层的ITO薄膜，可以减小触控元件的制造成本。
元件

[发明专利]用于PTF叠层的UV可固化印剂(包括挠性电路)-CN02802649.7有效
发明人：肯尼思·伯罗斯 -专利权人： MRM开发有限公司
申请日： 2002-06-19 - 公布日： 2004-05-26 - 主分类号： B05D5/12 文献下载
摘要：一种聚合物厚膜(“PTF”)叠层，其中利用UV可固化印剂配置选择的(优选所有的)层。配置了连续的绝缘层。绝缘层具有配置在其上的导电通路。在单层上或层之间以所需的方式连接导电通路。在绝缘层中留有孔以接收表面安装元件(“SMC”)，表面安装元件与在层之下配置的导电通路连接。在层上导电通路之间也可以配置有源区。当导电通路被加压时，这种有源区包括当固化时具有预先设计的电特性(例如电阻、电容、电感、半导体等)的印剂。在另一个实施例中，在挠性电路中的选择层包括导电通路、有源区和绝缘区，所有层彼此相邻地配置以形成单一多功能层。这种多功能层的利用使得导电通路、有源区和绝缘区可以被设计到挠性电路中，尺寸其不限于配置层的常规平面。
用于 ptf uv 固化包括电路

[发明专利]芯片封装体及制作方法-CN200910171343.3有效
发明人：高东均;李正;安载善 -专利权人：日月光半导体制造股份有限公司
申请日： 2009-08-27 - 公布日： 2010-06-09 - 主分类号： H01L23/552 文献下载
摘要：该芯片封装体，包括一积层基板、至少一芯片、多个导电体、一封装胶体以及一遮蔽层。芯片配置于积层基板上。导电体配置于积层基板上且环绕芯片。封装胶体至少包覆芯片、部分积层基板与导电体。遮蔽层配置于封装胶体上，且覆盖封装胶体与部分地覆盖至少每一导电体暴露于封装胶体的一上表面。
芯片封装制作方法

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