首页 在售
电子信息机械制造新型材料电气自动化新能源安全防护环保资源轻工纺织生物医药包装印刷海洋开发仪器仪表航空航天建材建筑农林牧业食品饮料采矿冶金家居用品化学化工交通运输橡胶塑料教育休闲其他
求购
电子信息机械制造新型材料电气自动化新能源安全防护环保资源轻工纺织生物医药包装印刷海洋开发仪器仪表航空航天建材建筑农林牧业食品饮料采矿冶金家居用品化学化工交通运输橡胶塑料教育休闲其他
查询 申请 展会 资讯 专利榜 企服商城 升级VIP
专利名称
农业 化学；冶金 建筑 机械工程 区域搜索
主分类
A 农业
B 作业；运输
C 化学；冶金
D 纺织；造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
专利下载VIP
公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
更多 »
专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
更多 »
钻瓜专利网为您找到相关结果1117527个，建议您升级VIP下载更多相关专利
  • [发明专利]一种导电结构、导电组件、充电系统及充电方法-CN202210041188.9在审
  • 李世国 - 李世国
  • 2022-01-12 - 2022-04-22 - B60L53/14
  • 本发明公开了一种导电结构、导电组件、充电系统及充电方法，涉及电动车技术领域，充电系统包括一种导电结构，还包括一种导电组件，还包括：输入端；输出端；转换组件，转换组件的一端和输入端连接，转换组件的另一端和输出端连接；其中，导电区一和导电区二的宽度均小于导电区三的宽度，导电区一和导电区二的宽度均小于导电区四的宽度，或者，导电区三和导电区四的宽度均小于导电区一的宽度，导电区三和导电区四的宽度均小于导电区二的宽度；导电区一和导电区二均与输入端连接，导电区三和导电区四均与输出端连接。
  • 一种导电结构组件充电系统方法
  • [发明专利]ESD保护器件及芯片-CN202110770173.1有效
  • 胡伟佳;张航 - 珠海市杰理科技股份有限公司
  • 2021-07-08 - 2021-10-15 - H01L27/02
  • 其中，ESD保护器件包括括衬底、MOS管、第一导电类型的第一扩散区、第二导电类型的第一扩散区、第二导电类型的第二扩散区和第二导电类型的第三扩散区；衬底内形成有第一导电类型的阱区和第二导电类型的阱区；第一导电类型的阱区设于第二导电类型的阱区内；MOS管位于第一导电类型的阱区；第二导电类型的第一扩散区位于第一导电类型的阱区；第一导电类型的第一扩散区、第二导电类型的第二扩散区和第二导电类型的第三扩散区位于第二导电类型的阱区；第二导电类型的第二扩散区与第一导电类型的第一扩散区电连接；第二导电类型的第三扩散区连接MOS管的漏极；第二导电类型的第一扩散区用于连接衬底的PAD引脚。
  • esd保护器件芯片
  • [发明专利]半导体功率模块、电机控制器和车辆-CN202111342962.1在审
  • 周宇琦;刘春江;张建利 - 比亚迪半导体股份有限公司
  • 2021-11-12 - 2023-05-16 - H01L23/498
  • 本发明公开了一种半导体功率模块、电机控制器和车辆，半导体功率模块包括：衬底，衬底具有彼此正交的第一方向和第二方向；间隔设置在衬底上且沿衬底的第一方向依次排布的第一导电区、第二导电区、第三导电区和第四导电区，第一导电区、第二导电区、第三导电区和第四导电区均沿衬底的第二方向延伸，其中，第一导电区和第三导电区用于接入直流电信号，第四导电区用于输出交流电信号；第一功率芯片和第二功率芯片，第一功率芯片分别与第一导电区和第二导电区连接，第二功率芯片分别与第二导电区、第三导电区和第四导电区连接。
  • 半导体功率模块电机控制器车辆
  • [发明专利]功率半导体器件及其制造方法-CN201710413790.X有效
  • 金莹俊;禹赫;金台烨;赵汉信;朴泰泳;李珠焕 - 奥特润株式会社
  • 2017-06-05 - 2020-10-27 - H01L29/06
  • 一种功率半导体器件及其制造方法，包括：栅电极，配置于基板的沟道内；第一导电型的主体区和第二导电型的源区，第一导电型的主体区在基板内配置于栅电极的一侧，第二导电型的源区在第一导电型的主体区内与栅电极相邻配置；第一导电型的浮动区，在基板内配置于栅电极的另一侧；第一导电型的边缘掺杂区，在基板内与第一导电型的浮动区分离配置并与源区电连接；第二导电型的边缘结隔离区，在基板内配置于第一导电型的浮动区与第一导电型的边缘掺杂区之间；以及第二导电型的漂移区，在基板内配置于第一导电型的浮动区、第一导电型的边缘掺杂区以及第二导电型的边缘结隔离区下方，边缘结隔离区的第二导电型掺杂浓度比漂移区的第二导电型掺杂浓度高。
  • 功率半导体器件及其制造方法
  • [发明专利]背光源及制造该背光源的方法-CN201310038415.3有效
  • 胡哲彰;张光耀;曹谦;熊充 - 深圳市华星光电技术有限公司
  • 2013-01-31 - 2013-06-12 - F21S8/00
  • 一种背光源及制造该背光源的方法，背光源包括PCB及多个LED；PCB包括基层、介电层、导电层和绝缘层；PCB分为灯条区和散热区；导电层分为相互绝缘的第一导电区及第二导电区。制造背光源的方法，包括：从底至顶依次形成逐层堆叠的基层、介电层和导电层形成PCB毛坯；将PCB毛坯划分为灯条区和散热区；将导电层分为相互绝缘的第一导电区及第二导电区；对第二导电区进行蚀刻形成预定的导电线路；在导电层的上方喷绝缘漆形成绝缘层制成PCB；将LED安装于灯条区并与第二导电区建立电性连接。本发明将导电层分为相互绝缘且分别位于散热区上的第一导电区及位于灯条区上的第二导电区，通过保留散热区上的第一导电区，增加背光源的散热能力。
  • 背光源制造方法
  • [发明专利]一种高压结型场效应晶体管-CN201210192221.4有效
  • 韩广涛 - 无锡华润上华半导体有限公司
  • 2012-06-12 - 2014-01-01 - H01L29/78
  • 本发明公开了一种高压结型场效应晶体管，包括：第一导电类型外延层上的第二导电类型漂移区；第二导电类型漂移区中的第二导电类型漏极重掺杂区；第二导电类型漏极重掺杂区一侧、第二导电类型漂移区上的漏端场氧区；第二导电类型漂移区一侧的第一导电类型阱区；第一导电类型阱区上的第二导电类型源极重掺杂区和第一导电类型栅极重掺杂区及栅源端场氧区；第二导电类型源极重掺杂区与第二导电类型漂移区之间的第二导电类型沟道层；第二导电类型沟道层之上的介电层和场极板；其漏极由第二导电类型漏极重掺杂区引出，源极由场极板与第二导电类型源极重掺杂区连接后引出，栅极由第一导电类型栅极重掺杂区引出。
  • 一种高压场效应晶体管
  • [发明专利]一种半导体耐压层结构-CN202210197937.7有效
  • 黄海猛;童星豪 - 电子科技大学
  • 2022-03-02 - 2023-04-25 - H01L29/06
  • 包括第二导电类型重掺杂漏区，位于第二导电类型重掺杂漏区之上的第二导电类型掺杂区，位于第二导电类型重掺杂漏区之上、第二导电类型掺杂区右侧的第一导电类型掺杂区，位于第二导电类型掺杂区和第一导电类型掺杂区之上的第一导电类型重掺杂源区，位于第二导电类型掺杂区之内、靠近第一导电类型重掺杂源区一侧的N个第一氧化层，位于第一导电类型掺杂区之内、靠近第二导电类型重掺杂漏区一侧的K个第二氧化层。本发明通过在第二导电类型掺杂区和第一导电类型掺杂区中分别设置氧化层，阻隔电场线，进而降低器件的电离积分，实现提升击穿电压、降低器件比导通电阻的目的。
  • 一种半导体耐压结构
  • [实用新型]功率模块和具有其的全桥功率模块-CN202222224788.7有效
  • 洪涛;徐益清;曹烨 - 蜂巢传动系统（江苏）有限公司保定研发分公司
  • 2022-08-23 - 2022-12-20 - H01L25/07
  • 本实用新型公开了一种功率模块和具有其的全桥功率模块，功率模块包括：第一导电区、第三导电区和第四导电区用于接入直流电信号，第二导电区用于输出交流电信号；多个第一功率芯片分别设在第一导电区和第四导电区内，位于同一导电区的多个第一功率芯片沿第二方向间隔排布，且位于第一导电区的多个第一功率芯片分别与第一导电区和第二导电区电连接，位于第四导电区的多个第一功率芯片分别与第四导电区和第二导电区电连接；多个第二功率芯片设在第二导电区内且沿第二方向间隔排布，且多个第二功率芯片分别与第二导电区和第三导电区电连接，第一栅极区位于第二导电区的外周侧。
  • 功率模块具有
  • [实用新型]功率模块及其控制器、车辆-CN202223179289.7有效
  • 程玲;杨胜松;李凡文;吴彦 - 比亚迪半导体股份有限公司
  • 2022-11-29 - 2023-05-12 - H01L25/07
  • 本实用新型公开了一种功率模块及其控制器、车辆，功率模块包括：间隔设置在衬底上且沿第一方向排布的第一导电区、第二导电区和第三导电区，第一导电区、第二导电区和第三导电区沿第二方向延伸，第一导电区的一侧设有第一信号区，第二导电区内设有第二信号区；多个第一功率芯片彼此间隔地设在第一导电区内且分别与第一导电区、第一信号区和第二导电区电连接；多个第二功率芯片彼此间隔地设在第二导电区且分别与第二导电区、第二信号区和第三导电区电连接
  • 功率模块及其控制器车辆
  • [实用新型]半导体器件-CN201320634544.4有效
  • J·瓦韦罗;P·莫恩斯;Z·侯赛因 - 半导体元件工业有限责任公司
  • 2013-10-15 - 2014-04-02 - H01L29/06
  • 半导体器件包括：第一导电类型的半导体基板；覆盖于所述半导体基板上的第一导电类型的第一半导电层；以及包括一个或更多个第一超结凹槽的边缘终端结构，第一超结凹槽的每个包括：第二导电类型的第一半导电区；与第一半导电区相邻的第二半导电区，第二半导电区具有与第二导电类型不同的第三导电类型；与第二区相邻的第一缓冲区；与第一缓冲区相邻的第三半导电区，第三半导电区具有第三导电类型；与第三区相邻的第四半导电区，第四区具有第二导电类型；以及将第二区电耦接至第三区的第一导电区
  • 半导体器件
友情链接：交换友情链接需要网站权重大于4，网站收录10W以上，如符合条件，请联系QQ：76009968。

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

400-8765-105周一至周五 9:00-18:00

版权所有钻瓜科技（天津）有限公司津ICP备15000985号津公网安备 12019202000206号http://www.vipzhuanli.com/公布日期
咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top