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- [发明专利]运算装置-CN202211164996.0在审
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大岡徹也;西山高浩
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罗姆股份有限公司
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2022-09-23
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2023-06-06
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G06F9/32
- 本发明的课题是在无需进行存储体切换的情况下扩展存储空间。本发明涉及一种运算装置。具备构成为能够执行程序的运算处理电路、及存储程序的程序存储器,程序中的各指令具有16比特的长度,程序存储器具有第1存储器区域、及相比第1存储器区域与更为上位侧的地址建立对应的第2存储器区域,运算处理电路具有用于指定成为读出对象的地址的16比特的程序计数器,从对象存储器区域中读出与程序计数器中的上位侧15比特的值对应的地址的指令并予以执行,对象存储器区域是第1存储器区域及第2存储器区域中与程序计数器中的最下位比特的值对应的存储器区域。
- 运算装置
- [发明专利]存储装置和存储系统的操作方法-CN202010574788.2在审
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赵显守;金东民;李京伯
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三星电子株式会社
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2020-06-22
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2021-02-02
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G06F12/02
- 提供一种存储装置和存储系统的操作方法。一种存储装置包括:非易失性存储器装置,包括第一区域、第二区域和第三区域;和控制器,从主机装置接收包括第一逻辑块地址的第一写入命令,响应于第一写入命令而接收与第一逻辑块地址对应的第一数据,并将第一数据存储在非易失性存储器装置中,当第一写入命令包括区域信息时,控制器基于区域信息将第一数据存储在第一区域或第二区域中,当第一写入命令不包括区域信息时,控制器将第一数据存储在第三区域中,第一区域和第二区域中的每个包括均存储“n”个比特的存储器单元(n为正整数),并且第三区域包括均存储“m”个比特的存储器单元(m为大于n的正整数)。
- 存储装置存储系统操作方法
- [发明专利]非易失性的电可编程存储器-CN200710146845.1有效
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R·米歇洛尼;R·拉瓦西奥
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意法半导体股份有限公司;海力士半导体有限公司
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2007-08-24
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2008-02-27
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G11C16/00
- 本发明涉及非易失性的电可编程存储器。提供一种固态大容量存储器件(105,100;400,415,420)。该固态大容量存储器件限定了适于存储数据的存储区域(100;415);该存储区域适合用于以第一存储密度以第一数据传送速度存储数据。该存储区域至少包括第一存储区域部分(120)和第二存储区域部分(130)。该固态大容量存储器件进一步包括存取装置(105;420;440),该装置适于利用第一存储区域部分以第二存储密度以第二数据传送速度存储数据,以及适于利用第二存储区域部分以第三存储密度和第三数据传送速度存储数据第二存储密度低于第三存储密度,其又低于或等于第一存储密度;第二数据传送速度高于第三数据传送速度,其又高于或等于第一数据传送速度。
- 非易失性可编程存储器
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