专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]一种传感器及其制造方法-CN201210262535.7有效
  • 徐少颖;谢振宇;陈旭 - 北京京东方光电科技有限公司
  • 2012-07-26 - 2012-11-21 - H01L27/146
  • 本发明公开了一种传感器及其制造方法,所述传感器包括:衬底基板、呈交叉排列的一组线和一组数据线、由所述一组线和一组数据线所界定的多个呈阵列状排布的测单元,及穿过每一个测单元的一组偏压线,每个测单元包括至少一个由薄膜晶体管器件和光电二极管传感器件组成的测子单元本发明所提出的传感器的薄膜晶体管器件为底型,传感器的制造可共采用五次构图工艺制作形成,对比于现有技术,减少了掩模板的使用数量,降低了制造成本,简化了生产工艺,大大提升了设备产能及产品的良品率。
  • 一种传感器及其制造方法
  • [发明专利]一种传感器及其制造方法-CN201210262848.2有效
  • 徐少颖;谢振宇;陈旭 - 北京京东方光电科技有限公司
  • 2012-07-26 - 2012-11-21 - H01L27/146
  • 本发明公开了一种传感器及其制造方法,所述传感器包括:衬底基板、呈交叉排列的一组线和一组数据线、由所述一组线和一组数据线所界定的多个呈阵列状排布的测单元,及贯穿所述测单元的一组偏压线,每个测单元包括至少一个由薄膜晶体管器件和光电二极管传感器件组成的测子单元本发明所提出的传感器的薄膜晶体管器件为底型,对比于现有技术,传感器的制造工艺减少了掩模板的使用数量,降低了制造成本,简化了生产工艺,大大提升了设备产能及产品的良品率。
  • 一种传感器及其制造方法
  • [发明专利]室灭弧装置和断路器-CN202211661275.0在审
  • 何亚伟;张建奇;吴建宾 - 德力西电气有限公司
  • 2022-12-22 - 2023-03-14 - H01H73/18
  • 本发明公开一种室灭弧装置,包括多个对同一触头组灭弧的灭弧室,每个灭弧室分别设有一片组;各灭弧室的开口并列,并且各灭弧室的开口位于室灭弧装置同侧;各片组通过导电件依次串联成片总成;片总成的两自由端位于室灭弧装置相对的两端处;在断路器处于分断状态时,动触头、静触头的引弧片分别靠近片总成的两端。该室灭弧装置中,各灭弧室的排列方式避免增加整个室灭弧装置沿片排布方向的尺寸,且各灭弧室的片组依次串联成片总成,使断路器分断时动静触头间的电弧贯穿所有灭弧室,电弧电压显著增大,电弧分断效果好,适于直流电弧分断本发明还公开一种应用上述室灭弧装置的断路器。
  • 多室灭弧装置断路器
  • [实用新型]室灭弧装置和断路器-CN202223499004.8有效
  • 何亚伟;张建奇;吴建宾 - 德力西电气有限公司
  • 2022-12-22 - 2023-06-13 - H01H73/18
  • 本实用新型公开一种室灭弧装置,包括多个对同一触头组灭弧的灭弧室,每个灭弧室分别设有一片组;各灭弧室的开口并列,并且各灭弧室的开口位于室灭弧装置同侧;各片组通过导电件依次串联成片总成;片总成的两自由端位于室灭弧装置相对的两端处;在断路器处于分断状态时,动触头、静触头的引弧片分别靠近片总成的两端。该室灭弧装置中,各灭弧室的排列方式避免增加整个室灭弧装置沿片排布方向的尺寸,且各灭弧室的片组依次串联成片总成,使断路器分断时动静触头间的电弧贯穿所有灭弧室,电弧电压显著增大,电弧分断效果好,适于直流电弧分断本实用新型还公开一种应用上述室灭弧装置的断路器。
  • 多室灭弧装置断路器
  • [发明专利]阵列基板以及显示装置-CN202210148521.6有效
  • 龙春平;马永达 - 成都中电熊猫显示科技有限公司
  • 2022-02-18 - 2022-07-15 - G02F1/1362
  • 阵列基板包括衬底基板、以及位于衬底基板上的线和金属层。金属层位于线远离衬底基板的一侧,金属层包括数据线,数据线沿第一方向,线沿第二方向延伸,数据线与线相交以限定像素区。线包括线垫,线垫包括相对于线上除线垫以外位置向像素区内突出的突出部,位于像素区的金属层包括沿像素区的至少部分轮廓延伸的段走线;段走线包括围绕突出部的段第一走线,每段第一走线沿第一方向或第二方向延伸,段第一走线首尾相接以形成台阶结构。将围绕线垫的突出部的第一走线设置为台阶结构,有利于提高不同像素区中金属层与像素电极产生的电容的一致性。
  • 阵列以及显示装置
  • [发明专利]一种无主抗隐裂电池组件-CN201610737949.9有效
  • 不公告发明人 - 无锡携创新能源科技有限公司
  • 2016-08-26 - 2018-03-06 - H01L31/0224
  • 本发明公开了一种无主抗隐裂电池组件,包括无主电池片和铜线网;所述无主电池片正面有根横向的副;所述铜线网为根纵向铜线和根横向铜线编织而成;铜线网覆盖于纵向排列的多个无主电池片的正面,且铜线网的铜线与无主电池片的副的交叉处焊接本发明使用了无主结构的电池片,且直接使用编织成型的铜线网与电池细交叉并焊接的工艺。编织成型的铜线网与电池上副之间的触点有几千个,在硅片隐裂和微裂部位电流传导的路径更加优化,因此由于隐裂造成的损失被大大减小,组件热斑问题也能大大减少。
  • 一种无主栅抗隐裂电池组件
  • [实用新型]晶体硅太阳能电池正面电极结构-CN201520435629.9有效
  • 白海赞;李广龙 - 江苏欧耐尔新型材料有限公司
  • 2015-06-24 - 2015-10-07 - H01L31/0224
  • 本实用新型公开了一种晶体硅太阳能电池正面电极结构,电池片正面具有四根主线,四根主线平行且等距分布四根主线等宽等长,四根主线在电池片正面以电池片中心呈对称分布,每根所述主线的宽度为1.2毫米,电池片正面具有根与主线垂直的副线,根副线相互之间呈平行且等距排布,主线和副线纵横交错,每根副线的宽度为40±2微米,相邻副线之间的中心距为1.618毫米,根副线的周边具有副线框,副线框的线条宽度为0.5毫米,副线框的四边与电池片边缘的距离皆为
  • 晶体太阳能电池正面电极结构
  • [发明专利]指FET中的热管理-CN201710833146.8有效
  • R·R·诺顿 - 美国亚德诺半导体公司
  • 2017-09-15 - 2021-10-15 - H01L27/085
  • 本公开涉及指FET中的热管理。本公开通过提供指FET布置而在指场效应晶体管(FET)中解决热问题,其中多个指之间的相应距离沿着器件被调制,使得在器件的中间或朝向器件的中间的指之间的距离大于在器件的边缘或朝向器件的边缘的指之间的距离通过在位于在器件的中间或朝向器件的中间的指之间设置更大的距离,然后获得改进的热管理性能,并且器件作为整体保持比其他情况更冷,这是与器件寿命相关的改进。
  • 多指fet中的管理

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