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[发明专利]单畴铁电晶体管三态存储的操作方法及装置-CN202310128233.9在审
发明人：任天令;王震泽;鄢诏译;刘厚方;杨轶 -专利权人：清华大学
申请日： 2023-02-07 - 公布日： 2023-06-09 - 主分类号： G11C11/22 文献下载
摘要：本申请涉及铁电存储技术领域，特别涉及一种单畴铁电晶体管三态存储的操作方法及装置，其中，方法包括：判断单畴铁电晶体管是否满足实施三态存储的条件；若单畴铁电晶体管满足实施三态存储的条件，则确定单畴铁电晶体管的三态操作手续种类和目标状态；基于目标三态操作手续对单畴铁电晶体管进行操作，使得单畴铁电晶体管进入目标状态，以在目标状态完成存储动作。由此，解决了相关技术中对于单个铁电畴的利用均局限于上下两个态的问题，拓展了传统操作模式只涵盖铁电畴的上下两态的技术限制，使单畴铁电晶体管能够实现三态存储，提高了数据存储密度，提高存算一体电路集成度。
单畴铁电晶体管三态存储操作方法装置

[发明专利]一种声表面波器件用的芯片-CN202111247142.4在审
发明人：夏钰坤;夏宗仁;夏文英;张婷 -专利权人：江西匀晶光电技术有限公司
申请日： 2021-10-26 - 公布日： 2022-01-18 - 主分类号： H03H9/64 文献下载
摘要：本发明属于半导体技术领域，具体涉及一种声表面波器件用的芯片，包括晶体基片，晶体基片的上表面为抛光面，晶体基片的上表面的下方为单畴薄膜层，单畴薄膜层的下方为多畴厚膜层。本发明通过重构芯片内畴和电导率分布，将常规芯片的单一结构变成单畴薄膜和多畴厚膜的复合结构。上表面光刻出叉指线条(IDT)，单畴薄膜仍保持正常的压电性能，用于传输SAW信号；多畴厚膜层，理论上不具有压电性、热释电性、热膨胀性等，因此，会抑制声波、热静电、温漂等现象，因而提高SAW器件高频段性能
一种表面波器件芯片

[发明专利]组合物、多畴液晶弹性体、单畴液晶弹性体及其制备、加工和焊接方法-CN201810054020.5有效
发明人：吉岩;王振华 -专利权人：清华大学
申请日： 2018-01-19 - 公布日： 2020-08-04 - 主分类号： C08F120/30 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于形成单畴液晶弹性体的组合物，所述组合物包括液晶分子、柔性链、交联剂以及引发剂，所述液晶分子含有第一双键基团，所述液晶分子、所述柔性链以及所述交联剂能够相互连接形成交联网络，并在所述交联网络中形成第二双键基团，所述引发剂用于产生引发剂自由基，引发所述第二双键基团的自由基加成反应，形成单畴液晶弹性体。本发明还公开了一种多畴液晶弹性体、一种单畴液晶弹性体、一种单畴液晶弹性体制备方法、一种单畴液晶弹性体加工方法以及一种单畴液晶弹性体焊接方法。
组合液晶弹性体及其制备加工焊接方法

[发明专利]一种单畴态弛豫铁电单晶及其制备方法和应用-CN202310340775.2在审
发明人：刘鑫;胡庆元;李飞;魏晓勇;徐卓 -专利权人：西安交通大学
申请日： 2023-03-31 - 公布日： 2023-06-27 - 主分类号： C30B30/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种单畴态弛豫铁电单晶及其制备方法和应用，S1，对与长方体弛豫铁电单晶光学面两个短边垂直的两个侧面镀电极，然后在室温下进行极化处理，得到工程畴弛豫铁电单晶；S2，对与工程畴弛豫铁电单晶光学面两个长边垂直的的两个侧面镀电极，然后在室温下进行极化处理，得到单畴态弛豫铁电单晶。简化了工艺流程，实现高性能多畴铁电单晶的高度单畴化，所得样品光学性能稳定。
一种单畴态弛豫铁电单晶及其制备方法应用

[发明专利]一种磷酸氧钛铷晶体的单畴化方法-CN202310235347.3在审
发明人：王鸿雁;王世武;聂奕;孙莽;张芳 -专利权人：青岛海泰光电技术有限公司
申请日： 2023-03-13 - 公布日： 2023-08-25 - 主分类号： C30B33/04 文献下载
摘要：本发明提供一种磷酸氧钛铷晶体的单畴化方法。包括以下步骤：制备磷酸氧钛铷晶体颗粒；采用制备的磷酸氧钛铷晶体颗粒，通过电子束蒸发沉积在待单畴化处理的极化面，形成沉积极化介质层；极化介质层沉积结束后，在其表面镀极化导电层；对沉积极化介质层和极化导电层的磷酸氧钛铷晶体进行极化处理本发明可以实现简单、高效、单畴化完全的磷酸氧钛铷晶体的单畴化处理。
一种磷酸氧钛铷晶体单畴化方法

[发明专利]利用高温超导原理演示混沌现象的复合摆及其制作方法-CN201810948743.X有效
发明人：杨万民;刘玉光 -专利权人：陕西师范大学
申请日： 2018-08-20 - 公布日： 2021-03-02 - 主分类号： G09B23/10 文献下载
摘要：本发明涉及利用高温超导原理演示混沌现象的复合摆及其制作方法，包括支撑架、第一单畴超导块、第一样品盒、第一永磁体、摆锤和至少一个中间摆，第一样品盒与支撑架固定连接，第一单畴超导块固定在第一样品盒底部，第一永磁体悬浮在第一单畴超导块下方；中间摆包括第二永磁体、内设有第二单畴超导块的两个第二样品盒，两个第二样品盒分别通过非磁性细杆对称设置在第一永磁体下方，第二单畴超导块相对；第二永磁体悬浮在两第二单畴超导块之间；第一样品盒、第二样品盒内盛装液氮
利用高温超导原理演示混沌现象复合及其制作方法

[发明专利]具有特氟龙涂层的单畴YBaCuO超导块材及其涂覆方法-CN200710178256.1无效
发明人：郑明辉;肖玲;焦玉磊 -专利权人：北京有色金属研究总院
申请日： 2007-11-28 - 公布日： 2009-06-10 - 主分类号： H01B12/00 文献下载
摘要：具有特氟龙涂层的单畴YBaCuO超导块材及其涂覆方法。该具有特氟龙涂层的单畴YBaCuO超导块材，是在单畴YBaCuO超导块材的表面上涂覆有特氟龙涂层。本发明的单畴YBaCuO超导块表面上由于形成均匀、稳定的特氟龙薄膜，可以使空气中的水和二氧化碳不能对超导材料形成侵蚀，从而保护超导材料，延长超导材料的使用寿命。
具有特氟龙涂层 ybacuo 超导及其方法

[实用新型]一种永磁真空重合器-CN201220236060.X有效
发明人：孙启健;卫军;赵宝青;潘东东 -专利权人：扬州科宇电力有限公司
申请日： 2012-05-23 - 公布日： 2013-01-23 - 主分类号： H01H33/666 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种永磁真空重合器，包括真空灭弧室、分闸弹簧、触头弹簧、单稳态永磁机构，所述单稳态永磁机构包括：上磁畴、下磁畴、圆磁畴、传动杆，所述上磁畴与所述圆磁畴的上端面连接固定、所述下磁畴与所述圆磁畴的下端面连接固定中间形成一个内部空间，所述内部空间里设有线圈、永磁体、铁芯，所述线圈和所述永磁体套接在所述传动杆上，所述传动杆一端与所述铁芯连接，另一端与所述触头弹簧连接，所述传动杆还与所述分闸弹簧相连，所述永磁体、圆磁畴、上磁畴、铁芯形成一个单向封闭的磁场回路。
一种永磁真空重合

[发明专利]一种多场调控铁电泡状畴结构的方法-CN202310220133.9在审
发明人：田国;高兴森;陈洪英;张兴晨;宋志庆 -专利权人：华南师范大学
申请日： 2023-03-08 - 公布日： 2023-07-04 - 主分类号： H10B53/30 文献下载
摘要：本发明涉及一种多场调控铁电泡状畴结构的方法，其包括以下步骤：S1：通过脉冲激光沉积将外延PTO薄膜沉积在(001)取向的SrRuO3/SrTiO3衬底上，制得STO/SRO/PTO多层膜，其初始畴结构是向上的单畴；S2：通过原子力显微镜尖端对薄膜样品施加压缩应力诱导出纳米级泡状畴结构，其中心发散，且面外具有反畴结构；S3：采用以下三种方式的任一种或任意两种的组合或三种的组合消除薄膜样品的泡状畴结构使其畴结构回到初始状态，即为向上的单畴结构：方式一：采用紫外线照射样品有泡状畴的区畴；方式二：采用红外线照射样品有泡状畴的区畴这种应力、光和热的多场调控方式为将拓扑畴结构应用于光敏传感器或热传感器提供了可能性。
一种调控铁电泡状畴结构方法

[发明专利]一种超薄型单畴熔融织构高温超导块材的制备方法-CN201711399340.6有效
发明人：焦玉磊;郑明辉 -专利权人：有研工程技术研究院有限公司
申请日： 2017-12-21 - 公布日： 2020-03-10 - 主分类号： H01B12/00 文献下载
摘要：一种超薄型单畴熔融织构高温超导块材的制备方法，包括：I.制备厚度为10～13mm的超导块材前驱物坯料；II.制备厚度为4～5mm的替代层；替代粉体为原始组成成分与前驱物相同，但在熔融织构制备单畴超导块材的生长工艺后未能形成单晶结构的废弃材料，或由于不适合制备熔融织构单畴超导块材的弃用的前驱物粉体；III.制备隔离层；IV.在氧化铝垫片上依次放置MgO单晶片、隔离层、替代层和超导块材前驱物坯料，随后采用结合顶部籽晶技术的熔融织构生长工艺制备单畴REBaCuO超导块材；V.将得到的块材去除MgO单晶片、隔离层和替代层，获得厚度小于等于10mm的超薄型单畴熔融织构高温超导块材。
一种超薄型熔融高温超导制备方法

[发明专利]TCM单稳态永磁机构-CN201210086866.X无效
发明人：邹迅;赵爱峰 -专利权人：江苏天驰电气有限公司
申请日： 2012-03-29 - 公布日： 2012-07-25 - 主分类号： H01H33/666 文献下载
摘要：TCM单稳态永磁机构，涉及中压真空断路器生产技术领域。在圆磁畴的两端分别连接上磁畴和下磁畴，在上磁畴上穿置合闸螺杆，在下磁畴上穿置分闸螺杆，于圆磁畴内设置铁芯，合闸螺杆和分闸螺杆的内端分别与铁芯连接，铁芯上部与圆磁畴之间设置线圈，铁芯下部与圆磁畴之间设置内环本发明综合体现了单稳态永磁机构操动机构与真空灭弧室出力特性的良好配合，具有优异的机械特性及电气特性，能给出适当的合闸速度和分闸速度。
tcm 稳态永磁机构

[发明专利]获得单畴弛豫铁电单晶的极化方法-CN201310229132.7有效
发明人：李飞;张树君;李振荣;徐卓 -专利权人：西安交通大学
申请日： 2013-06-08 - 公布日： 2013-08-28 - 主分类号： C30B30/02 文献下载
摘要：本发明涉及一套获得单畴弛豫铁电单晶的极化方法，包括了针对于四方相、三方相及正交相铁电晶体的极化方法，其步骤是将晶体加热使之温度高于该晶体的居里温度后，在晶体上施加相应方向上的直流电场，之后在带场情况下使晶体缓慢降温至室温，即获得极化的四方相、三方相或正交相弛豫铁电单畴晶体。采用本发明所述方法可保证弛豫铁电单晶的高度单畴化，并且在极化后无晶体开裂现象，为单畴弛豫铁电单晶的应用起到了推进作用。
获得单畴弛豫铁电单晶极化方法

[发明专利]单稳铁电体有源点阵显示器-CN99807524.8有效
发明人：汉斯－罗尔夫·杜巴尔;莱恩·文恩;野中敏章 -专利权人：阿温提斯研究技术两合公司
申请日： 1999-05-19 - 公布日： 2003-12-31 - 主分类号： G02F1/141 文献下载
摘要：一种单稳铁电体有源点阵显示器，其中含有一种单畴形式的液晶层，所述单畴具有单值定义的方向，该方向为层列相C*相的法向z，其特征在于，该方向与所述向列相或者胆甾醇相N*的优势方向n形成大于5°的角。
铁电体有源点阵显示器

[发明专利]易除液相源残留的单畴钆钡铜氧超导块材的制备方法-CN201610693560.9有效
发明人：杨万民;杨芃焘 -专利权人：陕西师范大学
申请日： 2016-08-19 - 公布日： 2018-09-28 - 主分类号： C30B29/22 文献下载
摘要：本发明属于高温铜氧化物超导材料技术领域，具体涉及一种易除液相源残留的单畴钆钡铜氧超导块材的制备方法。本发明的方法包括配制固相源粉、配制液相源粉、压制固相先驱块、压制含有圆孔的液相源先驱块、压制Y2O3圆柱形支柱、压制Yb2O3支撑块、制备钕钡铜氧籽晶、装配先驱块、熔渗生长单畴钆钡铜氧块材、渗氧处理步骤本发明了提供了一种装配先驱块的新技术，既能实现液相源先驱块中液相的熔渗，又能保证单畴钆钡铜氧超导块材的生长，同时又能极易实现已生长单畴钆钡铜氧超导块材与液相源残留块的分离；不仅大大简化了对液相源残留块的后续切除加工过程，也避免了已生长单畴钆钡铜氧超导块材在分离过程中被破坏的可能性。
液相源残留单畴钆钡铜氧超导及其制备方法

[发明专利]易除液相源残留的单畴钇钡铜氧超导块材制备方法-CN201610693174.X有效
发明人：杨万民;杨芃焘;王孝江 -专利权人：陕西师范大学
申请日： 2016-08-19 - 公布日： 2019-06-07 - 主分类号： C04B35/45 文献下载
摘要：本发明属于高温铜氧化物超导材料技术领域，具体涉及一种易除液相源残留的单畴钇钡铜氧超导块材制备方法。本发明的方法包括配制固相源粉、配制液相源粉、压制固相先驱块和液相源先驱块、压制第一固液隔离层和第二固液隔离层、压制Yb₂O₃支撑块、装配先驱块、熔渗生长单畴钇钡铜氧块材本发明提供了一种装配先驱块的新技术，既能实现液相源先驱块中液相的熔渗，又能保证单畴钇钡铜氧超导块材的生长，同时又能极易实现已生长单畴钇钡铜氧超导块材与液相源残留块的分离；不仅大大简化了对液相源残留块的后续切除加工过程，也避免了已生长单畴钇钡铜氧超导块材在分离过程中被破坏的可能性。
液相源残留单畴钇钡铜氧超导及其制备方法

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