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- [发明专利]电路、应用以及运行电路的方法-CN200910208104.0有效
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S·约赫曼;L·达特
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爱特梅尔汽车股份有限公司
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2009-10-28
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2010-06-09
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G11C5/14
- 电路、应用以及用于运行电路的方法具有稳压的第一电压源,所述稳压的第一电压源用于在所述第一电压源的输出端上为子电路提供供电电压,具有可调整的第二电压源,所述可调整的第二电压源用于提供输出电压以向所述电路馈电,具有分析处理电路,所述分析处理电路与所述第二电压源的输出端相连接并且与所述第二电压源的控制输入端相连接并且与所述第一电压源的输出端连接,其中,所述分析处理电路被构造用于在分析处理所述第一电压源的输出端上的供电电压的情况下借助所述第二电压源的控制输入端上的控制信号来调整所述第二电压源的输出电压,以及其中,所述分析处理电路和/或所述第二电压源具有存储器,所述存储器用于存储所述调整的值。
- 电路应用以及运行方法
- [发明专利]等离子体处理装置-CN202110495002.2在审
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金俸奭;井上雅博;大秦充敬;小林宪
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东京毅力科创株式会社
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2021-05-07
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2021-11-19
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H01J37/32
- 本发明提供一种等离子体处理装置,其包括等离子体处理腔室、基片支承部、生成源RF产生部和偏置RF产生部。基片支承部配置在等离子体处理腔室内。生成源RF产生部构成为能够产生生成源RF信号。生成源RF信号包含多个生成源周期,各生成源周期包含生成源接通状态和生成源关断状态。生成源接通状态具有至少两个生成源功率级。偏置RF产生部耦合于基片支承部,构成为能够产生偏置RF信号。偏置RF信号包含分别与多个生成源周期对应的多个偏置周期,各偏置周期包含偏置接通状态和偏置关断状态。偏置接通状态具有至少两个偏置功率级。根据本发明,能够提高等离子体蚀刻的处理性能。
- 等离子体处理装置
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