专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]光纤激光泵浦耦合器-CN201210507719.5有效
  • 肖起榕;巩马理;闫平;张海涛 - 清华大学
  • 2012-11-30 - 2013-02-27 - H01S3/098
  • 本发明提出了一种具有选功能的光纤激光泵浦耦合器,由至少一根泵浦光纤和微弯曲的主光纤组成,其中,泵浦光纤贴合到微弯曲主光纤侧面,泵浦光纤中传输的泵浦光通过贴合耦合区高效耦合进入主光纤。主光纤传输的信号光通过微弯曲光纤后,保持高效传输,而高阶模式发生泄漏,并有部分高阶模式将转换为,使整个耦合器对信号传输起到激光传输模式选择功能。此耦合器在不影响泵浦激光耦合效率的情况下,能选择光波中高光束质量的模式高效透过,而光束质量较差的激光模式有效阻止,提高了光纤中的传输效果,可将此耦合器其应用于大场光纤的光纤激光器中,将会直接提高光纤激光器的光束质量
  • 光纤激光耦合器
  • [发明专利]一种基于分光比可调MMI的高消比的硅MZI调制器-CN202110687791.X在审
  • 方青;胡鹤鸣;张馨丹;马晓悦;陈华;张志群 - 昆明理工大学
  • 2021-06-21 - 2021-09-10 - G02F1/03
  • 本发明涉及一种基于分光比可调MMI的高消比的硅MZI调制器。本发明包括光输入通道、与光输入通道相连接的多干涉分路器、光输出通道、与光输出通道相连接的多干涉耦合器;多干涉分路器及多干涉耦合器通过传输波导连接,且传输波导上附有能负载信号的调制移相臂;多干涉分路器还包括位于顶部的第一附载电极、第一多干涉波导及两个多干涉分路器输出端口,多干涉耦合器同样包括位于顶部的第二附载电极、第二多干涉波导及两个多干涉耦合器输入端口。本发明使MZI在调制时两个臂的光强保持在同一水平上,提高了器件输出时的消比。有效的解决了当前MZI调制器的消比低的问题。
  • 一种基于分光可调mmi高消光mzi调制器
  • [实用新型]一种基于分光比可调MMI的高消比的硅MZI调制器-CN202121376905.0有效
  • 方青;胡鹤鸣;张馨丹;马晓悦;陈华;张志群 - 昆明理工大学
  • 2021-06-21 - 2021-11-23 - G02F1/03
  • 本实用新型涉及一种基于分光比可调MMI的高消比的硅MZI调制器。本实用新型包括光输入通道、与光输入通道相连接的多干涉分路器、光输出通道、与光输出通道相连接的多干涉耦合器;多干涉分路器及多干涉耦合器通过传输波导连接,且传输波导上附有能负载信号的调制移相臂;多干涉分路器还包括位于顶部的第一附载电极、第一多干涉波导及两个多干涉分路器输出端口,多干涉耦合器同样包括位于顶部的第二附载电极、第二多干涉波导及两个多干涉耦合器输入端口。本实用新型使MZI在调制时两个臂的光强保持在同一水平上,提高了器件输出时的消比。有效的解决了当前MZI调制器的消比低的问题。
  • 一种基于分光可调mmi高消光mzi调制器
  • [发明专利]一种基于脊形有源区弱波导的半导体放大器-CN201710287611.2有效
  • 梁磊;张建;张星;秦莉;曾玉刚;宁永强;王立军 - 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
  • 2017-04-27 - 2019-12-24 - H01S5/30
  • 本发明公开了一种基于脊形有源区弱波导的半导体放大器,包括有源层,以及分别生长于有源层上表面和下表面的上波导层和下波导层,有源层的折射率与上波导层或者下波导层的折射率的差值小于或者等于阈值,使得强光场从有源层扩散至所述下波导层有源区与波导区折射率之差对光场具有限制作用,并影响场分布,因此,通过限制有源层的折射率与所述上波导层或者所述下波导层的折射率的差值在阈值内,使得有源层的场限制因子的大小得到限制,形成弱波导,有源层场强度分布不再是最大值,强光场分布由原来的有源层扩散至上波导层和下波导层,形成大尺寸光斑,提高了饱和输出功率和光束质量,具有工艺简单、性能稳定、成本低的优势。
  • 一种基于有源波导半导体放大器
  • [发明专利]混合集成可调谐激光器及光子芯片-CN201710998805.3有效
  • 郑婉华;董风鑫;刘安金 - 中国科学院半导体研究所
  • 2017-10-20 - 2019-07-05 - H01S5/14
  • 一种硅混合集成可调谐激光器及光子芯片,所述激光器包括依次设置的半导体放大器、硅斑变换器、热调硅环形谐振器及硅相移器和双端口硅基多干涉反射镜。所述双端口硅基多干涉反射镜包括输入波导、输出波导、多波导,以及分别将输入波导、输出波导与所述多波导一端连接的锥形波导,所述输入波导连接到所述热调硅双环谐振器的输出端,所述多波导的另一端具有两个与波导轴向成45°的刻蚀面,两个刻蚀面垂直相交处位于所述多干涉自成像波导的轴线上;所述激光器和其他硅功能器件组成光子芯片。
  • 混合集成调谐激光器光子芯片
  • [发明专利]基于复合滤波器解调的拉曼检测系统-CN201810345442.8有效
  • 张洁;朱永;王宁;黄培坚;牟国强 - 重庆大学
  • 2018-04-17 - 2020-08-04 - G01N21/65
  • 本发明公开了一种基于复合滤波器解调的拉曼检测系统,包括用于激发待测物产生拉曼的拉曼激发系统和用于对拉曼光谱信号解调的拉曼解调系统;所述拉曼解调系统沿拉曼传播方向依次包括双模光子晶体光纤声光可调谐滤波器、光纤模式滤波器和光电二极管;所述双模光子晶体光纤声光可调谐滤波器用于通过控制激励声波的频率进而控制双模光子晶体光纤声光可调谐滤波器的耦合波长,将特定波长的LP01耦合到双模光子晶体光纤中高阶LP11中调谐输出,所述光纤模式滤波器用于阻止双模光子晶体光纤中LP01通过,所述光电二极管于将高阶LP11信号转换为电信号。
  • 基于复合滤波器解调检测系统
  • [发明专利]一种基于MMI结构的模式不敏感的可变衰减器-CN202211044878.6有效
  • 王希斌;孙士杰;廉天航;车远华;张大明 - 吉林大学
  • 2022-08-30 - 2023-06-09 - G02B6/12
  • 一种用于分复用系统的基于MMI结构的模式不敏感的可变衰减器,属于集成光学技术领域。从下至上依次由硅衬底、聚合物下包层、聚合物波导芯层、聚合物上包层和调制电极组成;沿的传播方向,聚合物波导芯层依次由输入少直波导、输入锥形波导、多波导、输出锥形波导和输出少直波导组成;加热电极位于多波导侧上方的聚合物上包层之上或位于多波导当对加热电极进行调制时,光在多波导中的干涉效果发生变化,在多波导的输出端为和高阶的混合,由于高阶无法通过输出少波导输出,从而使得输出功率发生衰减。
  • 一种基于mmi结构模式敏感可变衰减器
  • [发明专利]一种大制作容差高偏振消比无源波导型偏振旋转分束器-CN202210221580.1在审
  • 陆巧银;戴向阳;国伟华 - 华中科技大学
  • 2022-03-08 - 2022-06-14 - G02B6/122
  • 本申请公开了一种大制作容差高偏振消比无源波导型偏振旋转分束器,其中的波导芯层包括输入波导、第一模式转化器、锥形波导连接器、非对称耦合器、模式滤波器、输出波导;其中非对称耦合器包含宽度不同的上下耦合波导,模式滤波器包含第二模式转化器和1×1多干涉耦合器。第一模式转化器把输入波导的TM偏振旋转成高阶TE模式,非对称耦合器将该高阶TE模式耦合到上波导中,成为TE。输入波导的TE偏振直接通过第一模式转化器、非对称耦合器下波导和模式滤波器,输出TE。本申请的无源波导型偏振旋转分束器具有高偏振消比和大的制作容差。
  • 一种制作容差高偏振无源波导旋转分束器
  • [发明专利]一种硅胶产品合线精致修补方法-CN202111324897.X有效
  • 王晓莉 - 徐州小野影视科技有限公司
  • 2021-11-10 - 2023-08-29 - B29C73/02
  • 本发明公开了二类医疗器械技术领域的一种硅胶产品合线精致修补方法,该硅胶产品合线精致修补方法包括如下步骤:材料制备:将料与增稠剂及混合在一起,制得修补液;修剪:对合线的部分进行修剪;填补:将修补液填补到修剪后的合线内;平滑填补:利用较为粗糙的物品对填补后的合线进行处理,做出皮肤肌理;哑处理:将哑剂喷涂在处理后的合线上,对其作哑处理,本发明能够去除成型产品上的模具合线,或对由于生产失误造成的合线瑕疵进行精细化修补处理,从而达到产品合线肉眼无法看出的效果,实现产品的无生产痕迹。
  • 一种硅胶产品合模线精致修补方法

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